CoolSiC技术资讯-电子产品世界网

CoolSiC™ MOSFET M1H共源配置62mm模块

英飞凌推出1200V和2000V CoolSiC™ MOSFET 62mm半桥模块，结合M1H芯片技术，推出共源配置版本产品型号：■ FF1MR12KM1H■ FF3MR12KM1H■ F...

英飞凌 CoolSiC 2026-03-03

英飞凌CoolSiC碳化硅MOSFET获丰田bZ4X车型采用

英飞凌宣布，其碳化硅功率半导体器件被丰田新款纯电动车型 bZ4X 选用，旗下 CoolSiC 碳化硅 MOSFET 将应用于该车的车载充电器（OBC）与直流 - 直流转换器（DC/DC）中。对于欧洲电子工程新闻网的读者而...

英飞凌 CoolSiC 2026-02-11

英飞凌拓展 CoolSiC™ MOSFET 750 V G2系列，提供超低导通电阻和新型封装

【2026年1月12日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出全新封装的 CoolSiC™ MOSFET 750V G2系列，旨...

英飞凌 CoolSiC 2026-01-13

英飞凌推出采用Q-DPAK和TOLL封装的全新工业CoolSiC MOSFET 650V G2，实现更高的功率密度

简介CoolSiC MOSFET G2 沟槽式 MOSFET 发挥碳化硅的性能优势，通过降低能量损耗来提高功率转换过程中的效率。将 SiC 性能提升到一个新水平，同时满足所有常见电源方案组合的最高质量标准： AC-DC、...

英飞凌 CoolSiC MOSFET 650V G2 2025-12-29

英飞凌扩展其CoolSiC™产品系列，推出专为高功率与计算密集型应用而设计的400V和440V MOSFET

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司通过增加顶部散热（TSC）的TOLT封装及TO-247-3和TO-247-4封装扩展其CoolSiC™ 400V G2 MOSFET产品组合。此外，英飞凌还推出了三...

英飞凌 CoolSiC 2025-10-26

英飞凌推出采用Q-DPAK封装的CoolSiC™ MOSFET 1200V G2

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司近日推出了采用顶部散热（TSC）Q-DPAK封装的CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2。这款新型半导体器件能够提供更加出色的热性能、系统效率和功率密度...

英飞凌 CoolSiC 2025-08-05

英飞凌推出具有超低导通电阻的CoolSiC™ MOSFET 750 V G2

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司近日推出新型CoolSiC™ MOSFET 750 V G2。这款新型CoolSiC™ MOSFET 750 V G2专为提升汽车及工业功率转换应用的系统效率和功率...

英飞凌超低导通电阻 2025-07-02

英飞凌推出新型CoolSiC™ JFET技术，实现更加智能、快速的固态配电

近日，为推动下一代固态配电系统的发展，英飞凌科技股份公司正在扩展其碳化硅（SiC）产品组合，推出了新型CoolSiC™ JFET产品系列。新系列产品拥有极低的导通损耗、出色的关断能力和高可靠性，使其成为先进固态保护与配电...

英飞凌 CoolSiC 2025-05-07

CoolSiC™肖特基二极管G5 10-80A 2000V，TO-247-2封装

CoolSiC™肖特基二极管10-80A 2000V G5系列现在也采用TO-247-2封装。在高达1500V的高直流母线系统中，该二极管可实现更高的效率和设计简化。此外，由于采用了.XT互联技术，它们还具有一流的散热性...

二极管 CoolSiC 2025-03-26

英飞凌推出CoolSiC™肖特基二极管2000 V的TO-247-2封装，在提升效率的同时简化设计

目前，许多工业应用正朝着更高功率水平、且功率损耗最小化的方向发展，实现这一目标的方法之一是提高直流母线电压。针对这一市场趋势，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代...

英飞凌 CoolSiC 2025-03-17

英飞凌推出采用Q-DPAK和TOLL封装的全新工业CoolSiC™ MOSFET 650 V G2

电子行业正在向更加紧凑而强大的系统快速转型。为了支持这一趋势并进一步推动系统层面的创新，全球功率系统、汽车和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司正在扩展其CoolSiC™ MOSFET 650 V单管产品组合，推出...

英飞凌 CoolSiC 2025-02-21

第二代 CoolSiC™ MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬电距离

采用TO-247-4HC高爬电距离封装的第二代CoolSiC™ MOSFET G2 1200V 12mΩ至78mΩ系列以第一代技术的优势为基础，加快了系统设计的成本优化，实现高效率、紧凑设计和可靠性。第二代产品在硬开关工...

CoolSiC MOSFET 2025-02-18

技术洞察 | 英飞凌CoolSiC™和CoolGaN™产品，升级电源和机架架构，满足AI服务器的需求

前言人工智能（AI）的迅猛发展推动了数据中心处理能力的显著增长。如图1所示，英飞凌预测单台GPU的功耗将呈指数级上升，预计到2030年将达到约2000W [1] ，而AI服务器机架的峰值功耗将突破惊人的300kW。这一趋...

英飞凌 AI 2025-01-03

实现3.3KW高功率密度双向图腾柱PFC数字电源方案

随着社会经济发展、能源结构变革，近几年全球对家用储能系统的需求量一直保持相当程度的增长。2023年，全球家用储能系统市场销售额达到了87.4亿美元，预计2029年将达到498.6亿美元，年复合增长率（CAGR）为33.6...

Infineon XMC1400 2024-08-05

贸泽开售适合能量转换应用的新型英飞凌CoolSiC G2 MOSFET

专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开售英飞凌公司的CoolSiC™ G2 MOSFET。CoolSiC™ G2 MOSFET系列采用新一代碳...

贸泽英飞凌 2024-07-24

英飞凌推出CoolSiC MOSFET 400V，重新定义AI服务器电源的功率密度和效率

随着人工智能（AI）处理器对功率的要求日益提高，服务器电源（PSU）必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率，这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年末，每颗高级GPU芯片的能耗可能达到2千瓦或以上。这...

英飞凌 CoolSiC MOSFET 2024-06-25

英飞凌推出TOLT和Thin-TOLL封装的新型工业CoolSiC™ MOSFET 650 V G2

在技术进步和低碳化日益受到重视的推动下，电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用PCB主板和子...

英飞凌 CoolSiC 2024-06-14

英飞凌全新CoolSiC™ MOSFET 750 V G1产品系列推动汽车和工业解决方案的发展

英飞凌科技股份公司近日推出750V G1分立式CoolSiC™ MOSFET，以满足工业和汽车功率应用对更高能效和功率密度日益增长的需求。该产品系列包含工业级和车规级SiC MOSFET，针对图腾柱 PFC、T型、LLC...

英飞凌 CoolSiC 2024-03-15

英飞凌推出全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V，在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度

英飞凌科技股份公司近日推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也不会降低系...

英飞凌 CoolSiC 2024-03-13

英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2，推动低碳化的高性能系统

英飞凌科技股份公司近日推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，开启功率系统和能量转换的新篇章。与上一代产品相比，英飞凌全新的CoolSiC™ MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技...

英飞凌碳化硅 2024-03-12

2000V 12-100mΩ CoolSiC™ MOSFET

CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封装，规格为12-100mΩ。由于采用了.XT互联技术，CoolSiC™技术的输出电流能力强，可靠性提高。产品型号：▪️ IMYH...

MOSFET CoolSiC 2024-02-19

英飞凌推出全新62 mm封装CoolSiC产品组合,助力实现更高效率和功率密度

英飞凌科技股份公司近日宣布其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用成熟的62 mm 器件半桥拓扑设计并基于新推出的增强型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技术。...

英飞凌 CoolSiC 2023-11-29

英飞凌的 CoolSiC™ XHP™ 2 高功率模块助力推动节能电气化列车低碳化

【2023 年 5 月 12 日，德国慕尼黑讯】为了实现全球气候目标，交通运输必须转用更加环保的车辆，比如节能的电气化列车。然而，列车运行有苛刻的运行条件，需要频繁加速和制动，且要在相当长的使用寿命内可靠运行。因此，它们...

英飞凌 CoolSiC 2023-05-12

英飞凌为布鲁姆能源公司的电解系统和燃料电池提供CoolSiC™功率器件

【2022年10月26日，德国慕尼黑讯】当前的能源危机充分表明，全球迫切需要寻找替代能源来构建气候友好型的能源供应能力。近日，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）的CoolSiC™ M...

英飞凌布鲁姆能源公司 2022-10-26

英飞凌CoolSiC™器件为台达双向逆变器提供助力，让电动汽车化身家庭应急备用电源

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）的CoolSiC™产品被总部位于台湾的全球领先的电源管理及散热解决方案提供商台达电子选用，使得台达电子向着利用绿色电力实现能源转型和碳中和的目标迈出...

英飞凌 CoolSiC 2022-08-01

碳化硅发展势头旺，英飞凌祭出650 V C oolSiC M O SFET

王莹（《电子产品世界》编辑）近期，多家公司发布了碳化硅（SiC）方面的新产品。作为新兴的第三代半导体材料之一，碳化硅具备哪些优势，现在的发展程度如何？不久前，碳化硅的先驱英飞凌科技公司推出了650 V ...

202004 碳化硅 2020-03-30

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