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非易失性存储

一种数据存储方法，实现原理后是，它包括在介电材料衬底上形成的一个交叉点存储阵列。交叉点存储阵列包括第一和第二组横向电极，它们被一个包含至少一个半导体层的存储层所分隔。在每个由第一和第二组电极形成的交叉点处，存储层形成一个非易失性存储元件。通过对经过存储元件的预定电流形式的写入信号的应用，每个存储元件可以在低和高阻抗状态之间切换，表示对应的二进制状态。查看更多>>

  • 非易失性存储资讯

Intel傲腾死了 中国非易失性存储重大突破！容量128Gb

英特尔 傲腾 2025-02-24

FRAM在医疗设备中的应用现状

FRAM 医疗设备 2017-06-06

ST推出2 x 3mm封装的512-Kbit串口EEPROM

ST 非易失性存储 2009-07-09

瞄准亚洲存储增长商机 恒忆积极开拓经销商网络

Numonyx 非易失性存储 2009-06-16
查看更多>> 非易失性存储电路方案

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