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阻变存储器

　　阻变式存储器(resistive random access memory，RRAM)是以材料的电阻在外加电场作用下可在高阻态和低阻态之间实现可逆转换为基础的一类前瞻性下一代非挥发存储器。它具有在32nm节点及以下取代现有主流Flash存储器的潜力，成为目前新型存储器的一个重要研究方向。　　图1是RRAM器件典型的“三明治”(MIM)结构示意图，其上下电极之间是能够发生电阻转变的阻变层材料。在外加偏压的作用下，器件的电阻会在高低阻态之间发生转换，从而实现“0”和“1”的存储。查看更多>>

  • 阻变存储器资讯

全球首款28nm嵌入式RRAM画质调节芯片正式量产

显芯科技 28nm 2024-09-09

最新阻变存储器RRAM技术可在单芯片中存下1TB数据

阻变存储器 RRAM 2013-08-13
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