绝缘体上硅技术社区-电子产品世界网

绝缘体上硅

　　绝缘体上硅（SOI，Silicon-on-insulator）被业界公认为纳米技术时代取代现有单晶硅材料的解决方案之一，是维持 Moore 定律走势的一大利器。绝缘体上硅是指以“工程化的”基板代替传统的体型衬底硅的基板技术，应用于诸如军事和空间电子系统等一些专门场合已有20多年，由于SOI具有良好的抗辐射性和高速特性，使它在这些领域具有独特的优势。　　SOI 材料是 SOI 技术发展的基础，SOI 技术的发展有赖于 SOI 材料的不断进步。缺乏低成本、高质量的 SOI 材料一直是制约 SOI 技术进入大规模工业生产的首要因素。查看更多>>

550V无电压折回逆导型横向绝缘栅双极晶体管器件设计

逆导型横向绝缘栅双极晶体管（RC-LIGBT）由于高电流密度、小封装成本等优点，成为了功率器件领域内主流器件之一，然而其会受到电压折回现象的不利影响。本文提出了一种基于绝缘体上硅技术的RCLIGBT器件，将续流二极管集成...

逆导型横向绝缘栅双极晶体管电压折回现象 2022-04-24

一种增大质量块的三轴MEMS加速度计的设计

　　冯堃，张国俊，王姝娅，戴丽萍，钟志亲（电子科技大学电子科学与工程学院，成都611731）　　摘要：介绍了一种增大质量块设计的三轴MEMS加速度计。该加速度计基于绝缘体上硅（SOI）硅片，采用双面光刻、干法刻蚀的...

202005 微机械系统 2020-04-29

绝缘体上硅

550V无电压折回逆导型横向绝缘栅双极晶体管器件设计

一种增大质量块的三轴MEMS加速度计的设计

借助组合式电量计提升精度并缩减系统占用空间

实施可靠电源的途径

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