混合键合技术社区-电子产品世界网

据《朝鲜日报》消息，JEDEC（电子器件工程联合委员会）正考虑放宽下一代高带宽内存（HBM）标准，计划将 HBM 高度规格上调至约 900 微米（μm）。Newsis 报道称，新标准预计从第七代 HBM4E开始实施。作为...

JEDEC HBM 2026-04-01

光刻机龙头企业阿斯麦(ASML)拟进军半导体后端设备市场，瞄准高速增长的先进封装领域，相关传闻近期再度浮出水面。据韩国媒体《The Elec》消息，阿斯麦已启动混合键合设备的研发工作，该技术被公认为下一代芯片封装的核心关...

ASML 混合键合 2026-03-23

LG 电子已悄然启动成为半导体设备制造商的计划。其生产技术研究所已开始开发为下一代高带宽存储器（HBM）量身定制的混合键合机，其内部目标是到 2028 年出货生产单元。混合键合是一种晶圆级连接技术，无需焊料凸块。相反...

LG电子混合键合 2025-07-15

三星计划在其 HBM4 中采用混合键合技术，以减少热量并实现超宽内存接口，该公司在韩国首尔举行的 AI 半导体论坛上透露。相比之下，该公司的竞争对手 SK 海力士可能会推迟采用混合键合技术，EBN 报道。高带宽...

三星 HBM4 2025-05-14

随着存储器巨头加速布局HBM4和多层NAND产品，混合键合技术越来越受到关注。根据 ZDNet 的一份报告，韩国三星电子和SK海力士在关键专利方面仍然落后。该报告强调，三星和SK海力士披露的混合键合相...

长江存储混合键合 2025-05-09

近日，三星与长江存储（YMTC）签署了3D NAND混合键合（Hybrid Bonding）相关专利许可协议。不过，目前尚不清楚三星是否也获得了Xperi等其他公司的专利许可。三星从第10代V-NAND（V10）将开始采...

三星长江存储 2025-02-27

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