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极紫外光刻

　　目录　　1 定义　　2 概述　　3 背景　　4 展望　　定义　　极紫外光刻（Extreme Ultraviolet Lithography），常称作EUV光刻，它以波长为10-14纳米的极紫外光作为光源的光刻技术。具体为采用波长为13。4nm 的软x 射线。　　概述　　EUV光刻采用波长为10-14纳米的极紫外光作为光源，可使曝光波长一下子降到13。查看更多>>

超越摩尔定律：高数值孔径极紫外光刻技术重塑先进芯片制造

比利时微电子研究中心（imec）在其位于鲁汶的 300 毫米超净间内，完成了阿斯麦（ASML）EXE:5200 高数值孔径（High NA）极紫外（EUV）光刻系统的装机调试，这是半导体制造与研发领域的一项里程碑式突破。...

摩尔定律高数值孔径 2026-03-26

极紫外光刻之外阿斯麦瞄准AI芯片制造未来新挑战

荷兰阿斯麦高管向路透社透露，公司制定了宏大计划，将芯片制造设备产品线拓展至多款新产品，以期在快速增长的人工智能芯片市场中占据更大份额。历经十多年研发，阿斯麦是全球唯一的极紫外光刻设备制造商，该设备是台积电、英...

极紫外光刻阿斯麦 2026-03-06

气体控制技术提升极紫外光刻（EUV）晶圆产能

比利时微电子研究中心（imec）证实，在极紫外光刻（EUV）曝光后的关键步骤中，对气体成分进行精准控制，可最大限度降低所需曝光剂量，进而显著提升晶圆产能。具体而言，当极紫外光刻曝光后烘烤（post-exposure ba...

气体控制技术极紫外光刻 2026-02-27

极紫外光刻新技术问世，超越半导体制造业的标准界限

据科技日报报道称，日本冲绳科学技术大学院大学（OIST）官网最新报告，该校设计了一种极紫外（EUV）光刻技术，超越了半导体制造业的标准界限。基于此设计的光刻设备可采用更小的EUV光源，其功耗还不到传统EUV光刻机的十分之...

极紫外光刻半导体制造 2024-08-05

EUV光刻机订单少了？ASML下调Q1季度营收预期暂停股票回购

由于COVID-19新冠病毒在全球的蔓延,多个行业的生产、消费都受到影响了,半导体行业也不例外。ASML公司今天宣布下调Q1季度营收预期,同时暂停股票回购,不过他们没公布EUV光刻机出货量是否受影响了。今年1月份ASML...

阿斯麦光刻机 2020-04-01

ASML研发下一代EUV光刻机：分辨率提升70% 逼近1nm极限

在EUV光刻机方面,荷兰ASML(阿斯麦)公司垄断了目前的EUV光刻机,去年出货26台,创造了新纪录。据报道,ASML公司正在研发新一代EUV光刻机,预计在2022年开始出货。根据ASML之前的报告,去年他们出货了26台...

光刻机极紫外光刻 2020-03-18

极紫外光刻

超越摩尔定律：高数值孔径极紫外光刻技术重塑先进芯片制造

极紫外光刻之外阿斯麦瞄准AI芯片制造未来新挑战

气体控制技术提升极紫外光刻（EUV）晶圆产能

极紫外光刻新技术问世，超越半导体制造业的标准界限

EUV光刻机订单少了？ASML下调Q1季度营收预期暂停股票回购

ASML研发下一代EUV光刻机：分辨率提升70% 逼近1nm极限

借助组合式电量计提升精度并缩减系统占用空间

实施可靠电源的途径

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