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存储技术资讯

三星大力推崇96%的NAND设计采用低功耗——研究人员研究基于铁电晶体管的设计

研究人员展示了基于FeFET的三维NAND电池，其通电电压接近零，每个单元最多可达五位。三星研究人员发布了一份详细的NAND实验性架构报告，旨在将该技术最大的功耗之一减少多达96%。这项工作——用于低功耗NAND闪存的铁...

NAND 三星 2025-12-03

AI驱动内存革新台积电与三星引领存储技术抢攻万亿商机

全球新兴记忆体与储存技术市场正快速扩张，而台积电、三星、美光、英特尔等半导体巨头正与专业IP供应商合作，积极推动先进非挥发性存储器解决方案的商业化。过去两年，相变内存（PCM）、电阻式随机存取内存（RRAM）和自旋...

AI 内存 2025-06-30

HBM4标准正式发布

据报道，当地时间4月16日，JEDEC固态技术协会宣布，正式推出HBM4内存规范JESD270-4，该规范为HBM的最新版本设定了更高的带宽性能标准。据介绍，与此前的版本相比，HBM4标准在带宽、通道数、功耗、容量等多方...

HBM4 存储技术 2025-04-18

铠侠即将发布三大创新研究成果

自铠侠官网获悉，铠侠（Kioxia）宣布其多项创新研究成果，将于今年12月7日至11日在美国旧金山举行的IEEE国际电子器件大会（IEDM）上发表。声明中称，铠侠旨在不断创新以满足未来计算和存储系统的需求。此次发布包括以...

铠侠存储技术 2024-10-24

我国高校团队实现存储技术突破！

近日，复旦大学和清华大学团队在存储芯片上创下新突破。复旦团队研发超快闪存集成工艺，可实现20纳秒超快编程、10年非易失；清华大学团队则提出一种基于磁振子的新型逻辑器件，有望重构逻辑存储器。复旦团队研发超快闪存集成工艺，突...

存储技术 2024-08-15

业界预测：LPDDR6的带宽将增加一倍以上？

当前低功耗问题仍是业界关心重点。根据国际能源署(IEA)最近报告显示，考虑到谷歌平均每次搜索需要0.3Wh，OpenAI的ChatGPT每次请求消耗2.9Wh，每天进行90亿次搜索，每年需要额外消耗10太瓦时(TWh)的...

内存存储技术 2024-05-28

存储技术专栏

企业级PCIe 5.0 SSD主控的闪存接口（ONFI）选型指南

随着生成式AI和高性能数据中心的爆发，企业级SSD正全面向PCIe 5.0演进。在这个过程中，主控芯片与NAND闪存颗粒之间的数据交互通道（NAND Flash Interface）成为了决定整盘性能与稳定性的关键瓶颈。...

存储技术芯片设计 2026-05-09

存储技术未来演进：NVMe over Fabrics (NVMeoF）

众所周知，NVMe 是一个逻辑设备接口规范，NVM代表非易失性存储器（Non-Volatile Memory）的首字母缩略字，是固态硬盘（SSD）的常见的闪存形式。SSD 通常分为两类接口：SATA 和 NVM...

存储技术 2024-06-02

查看更多>> 存储技术电路方案

云存储技术的原理与架构解析

存储技术资料

存储技术论坛

11-17 三种存储技术（MLC、TLC和SLC）之间的区别及比较

万世浮华|浏览：22493|回复：54| ylt20008 2023-04-13 08:27:11

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