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IEGT

　　IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor)是耐压达4KV以上的IGBT系列电力电子器件，通过采取增强注入的结构实现了低通态电压，使大容量电力电子器件取得了飞跃性的发展。 IEGT具有作为MOS系列电力电子器件的潜在发展前景，具有低损耗、高速动作、高耐压、有源栅驱动智能化等特点，以及采用沟槽结构和多芯片并联而自均流的特性，使其在进一步扩大电流容量方面颇具潜力。另外，通过模块封装方式还可提供众多派生产品，在大、中容量变换器应用中被寄予厚望。 　　日本东芝开发的IECT利用了“电子注入增强效应”，使之兼有IGBT和GTO两者的优点：低饱和压降，宽安全工作区(吸收回路容量仅为GTO的1/10左右)，低栅极驱动功率(比GTO低两个数量级)和较高的工作频率，如图3所示。查看更多>>

  • IEGT资讯

东芝电子亮相PCIM Asia 2018，为客户提供全方位系统级解决方案

东芝电子 IEGT 2018-06-19

大功率器件IEGT的前世今生

东芝 大功率器件 2017-04-07

东芝2016媒体沙龙举办，在华产品重点一目了然

东芝 IEGT 2016-09-26

IEGT与SiC降低损耗

IEGT SiC 2016-04-11

东芝电子携多款功率器件产品参加PCIM 2014

东芝 IEGT 2014-06-10

东芝电子携多款功率器件产品参加PCIM 2014

东芝 PCIM 2014-06-05
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