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SK hynix 发布技术说明，系统阐述 Cu-Cu 混合键合在存储产品中的演进路径。混合键合通过裸片表面的铜焊盘直接对接实现互连，间距可压到 1μm 以下；作为对比，传统焊料凸块的互连间距约 100μm，微凸块约 20...

SKhynix 混合键合 2026-08-26

SK 海力士与闪迪（Sandisk）联合发布高带宽闪存（HBF）首套完整标准规范，将其定位为面向 AI 算力基础设施的全新存储层级。该标准于加州圣克拉拉举办的 2026 未来内存与存储峰会（FMS 2026）正式对外公布...

SK海力士闪迪 2026-08-11

SK海力士与SanDisk在FMS 2026期间联合发布了HBF（High Bandwidth Flash，高带宽闪存）开放标准，并通过OCP（开放计算项目）对外公开规范。HBF被业界称为"NAND版的HBM&...

SK海力士 SanDisk 2026-08-05

本文要点全新堆叠式 3D 闪存 HBF 架构对标 HBM，专为 AI 算力处理场景打造HBF 存储容量远超传统内存，可就近静态存放 AI 模型权重参数，并优化读取速率今年下半年推出 HBF 工程样片，搭载该存储...

闪存高带宽闪存 2026-05-19

在各大存储巨头竞相押注 HBF（高带宽闪存）等后 HBM 时代技术之际，被公认为 **“HBM 之父”的韩国科学技术院（KAIST）教授金正浩（Joungho Kim）** 抛出重磅判断：当前由英伟达主导的GPU 中心化...

HBM HBF 2026-04-01

固态硬盘（SSD）中常用的 NAND 芯片，其速度和容量一直在稳步提升，当前服务器级产品的单芯片速度已能达到 28GB/s。但即便如此，这一性能在人工智能领域仍显不足。为此，SK 海力士与闪迪联合宣布推出高带宽闪存（HB...

SK海力士闪迪 2026-02-27

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