SK海力士与闪迪联合发布高带宽闪存（HBF） 高速标准瞄准人工智能推理服务器

固态硬盘（SSD）中常用的 NAND 芯片，其速度和容量一直在稳步提升，当前服务器级产品的单芯片速度已能达到 28GB/s。但即便如此，这一性能在人工智能领域仍显不足。为此，SK 海力士与闪迪联合宣布推出高带宽闪存（HBF，High Bandwidth Flash），专为下一代人工智能推理服务器打造。

官方新闻稿的细节披露极为有限，但提及 HBF 将定位为高带宽内存（HBM DRAM）与闪存固态硬盘之间的中间层级。鉴于当前一代 HBM3E 内存堆的速度约为 1.2TB/s，我们可以推测，单颗 HBF 芯片的目标速度至少为 10GB/s（甚至更高），这样多芯片组合后的总速度可达到数百 GB/s。毕竟，若速度提升不显著，耗费资源打造一套全新标准便失去了实际意义。

标准制定方显然也关注功耗效率 —— 在数据中心耗电量巨大的当下，这一考量合情合理。以美光 9650 高端固态硬盘为例，其满负载运行时功耗为 25 瓦，而在包含数万个硬盘的艾字节级部署场景中，总功耗将急剧攀升，带来巨大的能耗压力。

目前尚无关于这款新型 HBF 如何与系统交互的具体信息，但新闻稿中 “支撑层级” 这一模糊表述，可能意味着它类似固态硬盘上的缓存，但容量要大得多；也可能是一种类似傲腾（Optane）的超高速块存储设备，需要对应用程序和 / 或操作系统进行优化才能高效使用。

该公告未给出明确的发布时间表，但提到 “到 2030 年左右，包括 HBF 在内的复杂存储解决方案的需求将迎来增长”，因此这一时间点可作为量产发布的合理预估。该标准将由开放计算项目（Open Compute Project）负责管理。两家公司将 HBF 的目标市场锁定在人工智能推理服务器，原因在于聊天机器人等应用产生的输出数据需要存储载体，且这类存储需求预计将呈指数级增长。