日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，扩大了符合美军标MIL-PRF-55342认证的E/H薄膜贴片电阻的阻值范围，推出增强型E/H贴片电阻。该系列电阻采用紧凑的2208、2010和2512外形尺寸。增强后的器件使高可靠性应用能够用上更低阻值的电阻，在±25ppm/℃ TCR下的阻值为49.9Ω，容差为0.1%，10Ω电阻的容差为1.0%。
增强型E/H贴片电阻适用于对性能有严格要求的高可靠性军
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Vishay 贴片电阻
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有业内1.1mm最薄厚度的新系列1500W表面贴装TransZorb瞬态电压抑制器(TVS) --- SMPC系列。SMPC系列具有6.7V～42.4V的击穿电压和10.0V～58.1V的优异钳位能力。
今天发布的TVS器件采用eSMP TO-277A封装，比传统SMC封装的占位面积小27%。SMPC系列的峰值前向浪涌电流高达200A，工作温度为-55℃～+105℃。
TVS器件可用来保护通信和普通应用中的敏感设备，
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Vishay TVS 瞬态电压抑制器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款经济、长寿命的面板电位计 --- P11L，该电位计具有四种模块和12.5mm的紧凑外形。
标准的低成本面板电位计的循环寿命只有50000次，而Vishay的P11L的寿命则长达2百万次循环。对设计者来说，P11L的长寿命可减少对替换零件的需求，提高可靠性和降低维护成本。
Vishay的这款多功能面板电位计针对焊接机、空调单元、加工机械、医疗系统、X光设备、卡车和拖车，以及军用和航天系统中的CMOS放大器增益、
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Vishay 电位计 P11L
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出高容值、高纹波电流，并可在+105℃高温下工作的径向铝电容器 --- 142 RHS系列。
142 RHS系列提供从5mm x 11mm至18mm x 40mm的15种外形尺寸，105℃的最高温度等级使器件能在更高的温度下工作，或是具有比标准的85℃系列更长的器件寿命。其他特性包括在105℃下高达3100A的额定纹波电流，在10V～450V电压范围内的容值为1μF～22,000μF。
做为一款采用非固态电解
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Vishay 电容
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出用于遥控系统的新款系列超小型SMD红外接收器。该系列器件是业界首个采用两个光敏二极管及专利技术内部金属EMI屏蔽的产品，超薄封装的厚度仅为2.35mm。TSOP75xxxW采用无镜片设计，实现了业界最佳的敏感度尺寸比，在在±75°宽的角度内，辐照度为0.3mW/m2～0.7mW/m2。
今天发布的器件中有三款是自动增益控制(AGC)版本。TSOP752xxW兼容于所有常用红外遥控数据格式。TSOP7
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Vishay SMD 红外接收器
日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出VBPW34x和VBP104x系列高速SMD PIN光敏二极管，新器件采用鸥翼和倒鸥翼型封装，提供透明环氧树脂封装和具有日光阻断滤波功能的版本。八款新器件针对烟雾探测、光栅中的探测器，以及各种消费类和工业应用中的数据传输进行了优化。
VBPW34FAS、VBPW34FASR、VBP104FAS和VBP104FASR光敏二极管具有与红外发射器相匹配的日光阻断滤波器，例如波长为870nm或950nm的Vishay TSFFxxxx
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Vishay 二极管
日前，Vishay宣布推出两款MICRO FOOT功率MOSFET --- Si8461DB和Si8465DB，最大尺寸为1mm x 1 mm x 0.548mm，是迄今为止业界最小的芯片级功率MOSFET。
在种类繁多的便携式设备中，20V的P沟道Si8461DB和Si8465DB可用于负载开关、电池开关和充电开关应用。器件的小尺寸和薄厚度有助于减少电源管理电路所占用的空间，以及/或是实现更多的功能。与市场上尺寸与之最接近的芯片级功率MOSFET相比，1mm x 1mm x 0.548mm的M
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Vishay MOSFET Si8461DB Si8465DB
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用glass-to-tantalum新型密封的新系列钽外壳液钽电容器 --- 136D。对于高可靠性应用，136D器件可在-55℃～+85℃温度范围内工作，在电压降额的情况下可在+200℃下工作，在120Hz和+25℃条件下的ESR低至0.44Ω。
商用的136D电容器等同于军用型的CLR90和CLR91器件，军用型器件是按照军标MIL-PRF-39006/30和39006/31的性能要求设计的。另外，今天发布
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Vishay 电容器 电子元件
2009年4月23日—日前，VishayIntertechnology,Inc.(NYSE股市代号：VSH)宣布，推出两款新型液钽电容器---M34和M35，新器件是业界首款采用真正可表面贴装的模压封装产品。
M34和M35液钽电解芯片电容器集中了所有电解电容器的优点，摒弃了大多数缺点。在相似的电容量和外壳尺寸的情况下，新器件可耐受比其他类型电解电容器更高的纹波电流。此外，M35系列在+85℃温度下可承受3V的反向电压。
新器件可以使目前使用Vish
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Vishay 钽电容器
近日，Vishay Intertechno logy,Inc.宣布推出新系列径向铝电容器---EKX系列，这些器件可实现+105°C的高温运行，且具有低阻抗值以及高电容值及纹波电流。
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Vishay 电容器 EKX
光检测电路用LED和光检测器线性阵列来检测切断光束的目标;然后，触发报警输出。然而，光检测电路通常不提供发生空间的数据以指明光束被切断的位置。本设计增加了位置检测功能，能告知何处光束被切断并经RS-232把切断光束的位置传送到PC。
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Vishay TSOP6236 IR接收器
Vishay Intertechnology, Inc.发布其第七代通用高压电源模块系列，该系列具有增强的电流处理能力、更轻的重量、更低的热阻、更高的可靠性及完全无铅的结构。
第七代模块均采用与 TO-240AA 兼容的 ADD-A-PAK 封装，将两个有源元件整入各系列，并包括标准二极管、可控硅/二极管、可控硅/可控硅及肖特基整流器组合。
新器件具有高达 1600 V 的阻断电压、1000 V/µ
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Vishay 电源模块 RoHS规定
虽然全球经济正陷入低迷中，电子行业也在经历着严峻的挑战。但作为全球最大的分立器件与无源器件供应商，Vishay并未因此放慢自己的脚步，反而利用其技术上的优势，推出了众多高性能、低功耗、低成本的产品。在继续保持其领导地位的同时，更帮助客户将Vishay的技术实力转化为他们自身的竞争力。
在本次IIC期间，Vishay携带多款最新产品参展。包括具有 3300µF～72000µF 超高电容范围的新型HE3液体钽高能电容器，新器件采用 SuperTan技术，可提供 0.035Ω
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Vishay IIC
宾夕法尼亚、MALVERN — 2008 年10月29日— 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）推出一款新型 25V n 通道器件 --- SiR476DP，从而扩展了其 Gen III TrenchFET® 功率 MOSFET 系列，对于采用 PowerPAK® SO-8 封装类型且具有该额定电压的器件而言，该器件具有业界最低的导通电阻以及导通电阻与栅极电荷之乘积。
SiR476DP 在 4.5V
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Vishay 栅极驱 降压转换器
vishay介绍
威世（VISHAY）集团成立于1962年，总部位于美国宾夕法尼亚洲。40多年中威世集团通过科技创新和不断的并购, 迅速发展成为世界上最大的分离式半导体和无源电子器件制造商之一。目前集团已有69个制造基地遍布全球17个国家，其中中国大陆有7家制造业工厂分别坐落于天津、北京、上海、惠州。威世集团被美国财富杂志评为半导体领域“2004、2005年度全美最让人钦佩的公司”。其产品被广泛地应用于工业、计算机 [
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