日前，Vishay宣布推出两款MICRO FOOT功率MOSFET --- Si8461DB和Si8465DB，最大尺寸为1mm x 1 mm x 0.548mm，是迄今为止业界最小的芯片级功率MOSFET。
在种类繁多的便携式设备中，20V的P沟道Si8461DB和Si8465DB可用于负载开关、电池开关和充电开关应用。器件的小尺寸和薄厚度有助于减少电源管理电路所占用的空间，以及/或是实现更多的功能。与市场上尺寸与之最接近的芯片级功率MOSFET相比，1mm x 1mm x 0.548mm的M
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Vishay MOSFET Si8461DB Si8465DB
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用glass-to-tantalum新型密封的新系列钽外壳液钽电容器 --- 136D。对于高可靠性应用，136D器件可在-55℃～+85℃温度范围内工作，在电压降额的情况下可在+200℃下工作，在120Hz和+25℃条件下的ESR低至0.44Ω。
商用的136D电容器等同于军用型的CLR90和CLR91器件，军用型器件是按照军标MIL-PRF-39006/30和39006/31的性能要求设计的。另外，今天发布
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Vishay 电容器 电子元件
2009年4月23日—日前，VishayIntertechnology,Inc.(NYSE股市代号：VSH)宣布，推出两款新型液钽电容器---M34和M35，新器件是业界首款采用真正可表面贴装的模压封装产品。
M34和M35液钽电解芯片电容器集中了所有电解电容器的优点，摒弃了大多数缺点。在相似的电容量和外壳尺寸的情况下，新器件可耐受比其他类型电解电容器更高的纹波电流。此外，M35系列在+85℃温度下可承受3V的反向电压。
新器件可以使目前使用Vish
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Vishay 钽电容器
近日，Vishay Intertechno logy,Inc.宣布推出新系列径向铝电容器---EKX系列，这些器件可实现+105°C的高温运行，且具有低阻抗值以及高电容值及纹波电流。
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Vishay 电容器 EKX
光检测电路用LED和光检测器线性阵列来检测切断光束的目标;然后，触发报警输出。然而，光检测电路通常不提供发生空间的数据以指明光束被切断的位置。本设计增加了位置检测功能，能告知何处光束被切断并经RS-232把切断光束的位置传送到PC。
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Vishay TSOP6236 IR接收器
Vishay Intertechnology, Inc.发布其第七代通用高压电源模块系列，该系列具有增强的电流处理能力、更轻的重量、更低的热阻、更高的可靠性及完全无铅的结构。
第七代模块均采用与 TO-240AA 兼容的 ADD-A-PAK 封装，将两个有源元件整入各系列，并包括标准二极管、可控硅/二极管、可控硅/可控硅及肖特基整流器组合。
新器件具有高达 1600 V 的阻断电压、1000 V/µ
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Vishay 电源模块 RoHS规定
虽然全球经济正陷入低迷中，电子行业也在经历着严峻的挑战。但作为全球最大的分立器件与无源器件供应商，Vishay并未因此放慢自己的脚步，反而利用其技术上的优势，推出了众多高性能、低功耗、低成本的产品。在继续保持其领导地位的同时，更帮助客户将Vishay的技术实力转化为他们自身的竞争力。
在本次IIC期间，Vishay携带多款最新产品参展。包括具有 3300µF～72000µF 超高电容范围的新型HE3液体钽高能电容器，新器件采用 SuperTan技术，可提供 0.035Ω
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Vishay IIC
宾夕法尼亚、MALVERN — 2008 年10月29日— 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）推出一款新型 25V n 通道器件 --- SiR476DP，从而扩展了其 Gen III TrenchFET® 功率 MOSFET 系列，对于采用 PowerPAK® SO-8 封装类型且具有该额定电压的器件而言，该器件具有业界最低的导通电阻以及导通电阻与栅极电荷之乘积。
SiR476DP 在 4.5V
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Vishay 栅极驱 降压转换器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出业界首款采用 CLCC-6 及 CLCC-6 扁平陶瓷封装的高强度白光功率 SMD LED --- VLMW63.. 系列和VLMW64.. 系列。上述系列器件均提供基于蓝宝石 InGaN/TAG 技术、2240mcd 至 5600mcd 的高光功率。
新型 VLMW63.. 系列采用 CLCC-6 封装且具有低达 50k/W 的低热阻，而采用 CLCC-6 扁平封装的 VLMW64.. 系列则具有 40k/W 低热阻及 0.9m
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Vishay 白光 LED 陶瓷封装
Vishay Intertechnology, Inc.日前宣布，其 HVArc Guard 表面贴装 X7R 多层陶瓷芯片电容器 (MLCC) 现可提供可选聚合体端子。该器件专为耐受较高机械应用而设计，旨在减少机械破碎相关的电容器故障。
凭借可选聚合体端子，VJ0805、VJ1206、VJ1210、VJ1808 和 VJ1812 HVArc Guard? MLCC 可减少电容器故障，并通过限制电容器故障节约保修成本，从而进一步减少电路板上受损元件的数量或减少对整个设备的损坏。
Visha
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Vishay 电容器 MLCC 转换器
日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布推出新型超高精度 Z 箔电阻 —— VPR221Z.此新型器件可提供 ±0.05ppm/°C（当温度介于 0°C 至 +60°C 之间）及 ±0.2 ppm/°C（当温度范围在 55°C 至 +125°C）（参考温度为 +25°C）的工业级别绝对 TCR、在 +25°C 时最多 8
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Vishay Z 箔 电阻 超高精度
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出最新小型 4 线 ESD 保护阵列 --- VBUS054CV-HS3，该器件可在高浪涌电流情况下提供低电容，以保护两个高速 USB 端口或四个其它高频信号线，以免它们受到瞬态电压信号的损坏。
VBUS054CV-HS3 采用占位面积为 1.6mm×1.6mm 且具有 0.75mm 超薄厚度的无铅 LLP75 封装，可将众多便携式电子设备中的有源 ESD 保护所需的板面空间缩减至最小，这些系统包括便携式与手持式计算、通
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Vishay ESD 保护阵列 电容
Vishay推出采用 CLCC-2 扁平陶瓷封装且具有 400mA 驱动电流的业界首个高强度淡黄色及黄色功率 SMD LED 系列 --- VLMK82.. 与 VLMY82.. 器件。该系列 SMD LED 器件具有 20K/W 的低热阻以及 5600mcd～14000mcd 的高光功率，主要面向热敏应用。
凭借 0.75mm 的超薄厚度，VLMK82.. 与 VLMY82.. LED 的 CLCC-2 扁平陶瓷封装可实现能够达到最大光输出的额外电流驱动，同时保持长达 50,0
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Vishay LED 功率 热敏
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用 PowerPAK SC-75 封装的 p 通道功率 MOSFET 系列，该系列包括额定电压介于 8V～30V 的多个器件，这些是采用此封装类型的业界首批具有上述额定电压的器件。
日前推出的这些器件包括业界首款采用 PowerPAK SC-75 封装的 -12V (SiB419DK) 及 -30V (SiB415DK) 单 p 通道功率 MOSFET。先前宣布推出的 SiB417DK 为首款 -8V 的此类器件，目前此类器件又
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Vishay MOSFET p 通道 功率
vishay介绍
威世（VISHAY）集团成立于1962年，总部位于美国宾夕法尼亚洲。40多年中威世集团通过科技创新和不断的并购, 迅速发展成为世界上最大的分离式半导体和无源电子器件制造商之一。目前集团已有69个制造基地遍布全球17个国家，其中中国大陆有7家制造业工厂分别坐落于天津、北京、上海、惠州。威世集团被美国财富杂志评为半导体领域“2004、2005年度全美最让人钦佩的公司”。其产品被广泛地应用于工业、计算机 [
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