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Vishay推出6款FRED Pt超快恢复整流器

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出6款用于消费电子应用的FRED Pt™超快恢复整流器。新的600V、8A器件在额定电流下具有1V的超低典型压降,在硬开关条件下的快速恢复时间只有16ns,在125℃下的典型泄漏电流低至30μA。   新整流器适用于70W~400W的开关电源,为笔记本电脑和打印机适配器、桌面电脑、电视机和显示器、游戏控制器,以及DVD和蓝光播放器中的AC-DC电源提供了高能效的功率因数校正(PF
  • 关键字: Vishay  整流器  

Vishay推出新款4线双向对称ESD保护阵列

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款4线VCUT05A4-05S-G-08双向对称(BiSy)ESD保护阵列,可保护PC和便携式消费电子产品中的USB 2.0等数据端口应用。   新的保护阵列在0V时具有16pF的低容值,在5V工作电压下的泄漏电流小于0.1μA。器件使用广为采用的SOT23-5L封装,在生产过程中很容易进行处理,0.7mm的超薄厚度可节省电路板空间。   VCUT05A4-05S-G-08能够对4条数据线提供瞬态保护,保护等级达到pe
  • 关键字: Vishay  ESD保护  USB2.0  

Vishay推出超高容值液钽电容器 DSCC 10011

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出通过新DSCC Drawing 10011认证的超高容值液钽电容器 --- 10011。Vishay的新款DSCC 10011器件具有高达72,000µF的容值,采用A、B和C外形编码。对于高可靠性应用,10011器件采用玻璃至金属的密封结构,可以在-55℃~+85℃的温度范围内工作,电压降额情况下的温度可达+125℃,1kHz时的最大ESR低至0.035Ω。   10011器件的特殊阴极系统具有单位体积的最高容
  • 关键字: Vishay  液钽电容器  DSCC  

Vishay帮助客户进一步了解Vishay Dale电阻技术的先进性

  • Vishay在官方网站上发布Power Metal Strip®分流电阻如何应用在定制产品中的解决方案的视频介绍 宾夕法尼亚、MALVERN — 2010 年 5 月 6 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,为帮助客户了解如何将Vishay Dale电阻技术用于定制产品,满足特定用户的需求,Vishay在其网站(http://www.vishay.com)新增加了一个介绍Power Metal Stri
  • 关键字: Vishay  Power Metal Strip  分流电阻  

Vishay推出30V P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出首款采用PowerPAK® 1212-8封装的30V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si7625DN。在这种电压等级和3.3mmx3.3mm占位面积的P沟道MOSFET中,该器件的导通电阻是最低的。   新款Si7625DN可用于笔记本电脑、上网本和工业/通用系统中的适配器、负载和电池开关。适配器开关(在适配器、墙上电源和电池电源之间切换)通常是开启并且吸收电流。Si7625DN更低的
  • 关键字: Vishay  MOSFET  PowerPAK  TrenchFET  

Vishay新款TANTAMOUNT固态钽电容可满足宇航级应用

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,其CWR06和CWR16 TANTAMOUNT®固态钽电容器现可满足MIL-PRF-55365为宇航级应用制定的“T”-level要求。   为达到T级的可靠性,Vishay的CWR06和CWR16进行了额外测试,对原材料和产品批次定义进行严格控制,并达到Weibull C或D故障率,在-55℃、+0℃和+85℃下进行了100%的C浪涌试验。此外,电容器进行了完备的视觉和
  • 关键字: Vishay  电容  

Vishay推出P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出首款采用芯片级MICRO FOOT®封装的P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占位面积内,这款20V器件提供业内P沟道MOSFET最低的导通电阻。   新的Si8499DB是采用第三代TrenchFET P沟道技术的首款芯片级产品。这种最先进的技术能够实现超精细、亚微米的节距工艺,将业内P沟道MOSFET所能实现的最低导通电阻减小了一半:在4.5V、2
  • 关键字: Vishay  MOSFET  TrenchFET  

Vishay推出其最小的IHLP器件

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用1212外形尺寸的新款IHLP®小尺寸、高电流电感器 --- IHLP-1212BZ-11。IHLP-1212BZ-11是迄今为止Vishay最小的IHLP器件,具有3.0mm x 3.6mm的占位、2.0mm的超小尺寸以及0.22µH至1.5µH的标准感值,其最高频率可达1.0MHz。   IHLP-1212BZ-11具有0.22µH~1.5µH的感值范围,饱和电流范
  • 关键字: Vishay  IHLP  电感器  

Vishay推出适用在极端恶劣环境下的薄膜贴片电阻

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出为钻井和航空等极端高温环境优化的新系列打线式、裸芯片贴片式电阻 --- Vishay Sfernice RMKHT和电阻网络。   新的Vishay Sfernice RMKHT打线式贴片电阻的工作温度范围为-55℃~+215℃,最高储存温度可达+230℃,是业界首款达到如此高温范围的薄膜电阻。该器件甚至在215℃的高温下经过1000小时后的负载寿命稳定率依然可达0.5%,并同时保持严格的TCR和容差。   新款分立电阻的
  • 关键字: Vishay  贴片电阻  电阻元件  

Vishay推出新的外形尺的寸电阻器件

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出采用0402、0603、0805和1206外形尺寸的电阻器件,扩充了MC AT系列专用薄膜贴片式电阻。此外,该系列中具有更低TCR和容差的新款精密版本也已经发布了。   越来越多的电子设计要求器件能够耐受高温和潮湿效应,因为这些效应会影响到器件的稳定性和性能。Vishay的MC AT专业和精密电阻能够在这些应用当中提供稳定的性能。   今天发布的新款专业系列器件可在175℃的高温下工作1000小时
  • 关键字: Vishay  电阻器  

Vishay推出具有业内最高容值的新款液钽电容器

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出通过了DSCC Drawing 10004认证的超高容值液钽电容器 --- DSCC 10004。Vishay的新款DSCC 10004器件具有业内最高的容值,采用轴向T1、T2、T3和T4外形编码。对于高可靠性应用,扩展的SuperTan® 10004采用玻璃至金属的密封封装,工作温度范围为-55℃~+85℃,电压降额情况下的温度可达+125℃,在120Hz下的最大ESR低至0.25Ω。   10004
  • 关键字: Vishay  液钽电容器  DSCC  

Vishay Siliconix 推出新款500V N沟道功率MOSFET

  •   日前,Vishay宣布推出新款500V N沟道功率MOSFET --- SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比,该器件的开关速度和损耗均得到了改善。SiHF8N50L-E3适用于ZVS拓扑,具有低至63ns的trr和114nC的Qrr,栅极电荷为34nC。   SiHF8N50L-E3改善了反向恢复特性,从而能够更好地抵御EMI,实现更高的效率,同时避免出现导致MOSFET烧毁的内部体二极管恢复故障。   Vishay今天推出的新MOSFET具有500V电压等级,在10V栅极驱动下的最大导通电
  • 关键字: Vishay  MOSFET   

Vishay推出采用6767外形尺寸的新器件

  •   日前,Vishay宣布,推出采用6767外形尺寸、低外形、高电流的新款IHLP®电感器 --- IHLP-6767DZ-01。IHLP-6767DZ-01具有4.0mm的超薄外形,具有高最高频率、高达92A的饱和电流和0.22μH至10.0μH的标准感值。   新款IHLP-6767DZ-01的频率范围达2MHz,是终端产品中电压调节模块(VRM)和DC-DC应用的高效能、节省空间和低功耗的解决方案,这些应用领域包括下一代移动设备、桌面电脑、服务器、图形卡和汽车电子系统,低外形、
  • 关键字: Vishay  电感器  IHLP  

Vishay发布新款集成功率光敏

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出两款新的集成功率光敏,分别是输出电流为0.9A的VO2223和输出电流为1A的VO2223A,扩充了其光电产品组合。这些新款功率光敏集成了以往需要由光敏和电源TRIAC两个器件完成的功能。由于不需要采用外部功率TRIAC,这些器件可节省电路板空间和降低成本。这些光耦产品采用8引脚的DIP封装,可保护人体免受电击,在家电和很多其他系统中,可对低压控制电路与高压电源进行光电隔离,避免出现过流情况。   VO2223和VO2223A的
  • 关键字: Vishay  功率光敏  VO2223  VO2223A  

Vishay发布2010年的“Super 12”高性能产品

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出2010年的“Super 12”高性能产品。这些系列器件具有业内领先的标准,如容值电压、电流等级和导通电阻。这些创新产品在http://www.vishay.com/landingpage/super12/2010/进行展示,是很多关键应用的理想选择,也是Vishay广泛的产品线组合的典型代表产品。   2010年将要发布的Super 12产品是: 597D和T97多模钽电容:对于+28V应
  • 关键字: Vishay  电容  导通电阻  MOSFET  
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vishay介绍

威世(VISHAY)集团成立于1962年,总部位于美国宾夕法尼亚洲。40多年中威世集团通过科技创新和不断的并购, 迅速发展成为世界上最大的分离式半导体和无源电子器件制造商之一。目前集团已有69个制造基地遍布全球17个国家,其中中国大陆有7家制造业工厂分别坐落于天津、北京、上海、惠州。威世集团被美国财富杂志评为半导体领域“2004、2005年度全美最让人钦佩的公司”。其产品被广泛地应用于工业、计算机 [ 查看详细 ]

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