日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出6款单芯片和双芯片80-V TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器。这些整流器采用4种功率封装，具有10A～30A的电流额定范围。
今天发布的器件包括单芯片的V(B,F,I)T1080S、V(B,F,I)T2080S、和V(B,F,I)T3080S，以及双芯片的V(B,F,I)T1080C、V(B,F,I)T2080C和V(B,F,I)T3080C。每款器件均提供功率TO-22
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Vishay 整流器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出采用两种分装版本的新款表面贴装白光LED --- VLMW321xx LED和VLMW322xx LED。为了与类似器件保持大范围的引脚兼容，VLMW321xx LED提供了3个阳极和1个阴极，VLMW322xx LED提供了3个阴极和1个阳极。
今天发布的这些器件采用PLCC-4封装，优化的引线框使热阻降低至300K/W，功率耗散高达200mW，从而使器件能够使用高达50mA的驱动电流，使亮度
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Vishay 器件 LED照明
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出内置熔丝的新系列TANTAMOUNT®低ESR固钽贴片电容器 --- TF3。TF3系列电容器采用三种模压外形尺寸，可在以安全为首要考虑的应用中为短路故障提供非常高级别的保护。
TF3系列器件具有一个内部的电子式熔断装置，在+25℃、最小5A电流条件下，熔断装置可以0.1秒的时间内起作用。在因电流过大引发故障的情况下，可以防止对电路元器件造成损伤。
这些电容器在+25℃和100kHz条件下的ESR低至0.25&
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Vishay 贴片电容器 TF3 TANTAMOUNT
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，将其Super Junction FET®技术延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封装。
新的SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK
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Vishay MOSFET FET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出通过AEC-Q200认证、ESD级别高达2kV的新款PAT系列精密车用薄膜电阻。该电阻的标准TCR低至±25ppm/℃，经过激光微调后的容差低至±0.1%，可满足汽车行业对温度、湿度提出的新需求，同时具有可靠的可重复性和稳定的性能。
由于在高纯度的氧化铝基板上涂上了一层氮化钽电阻薄膜，使PAT电阻实现了稳定的薄膜，在+70℃下经过10,000小时后的性能特性为1000ppm。器件针对混合动力/电控
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Vishay ESD 薄膜电阻
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，其101/102 PHR-ST螺旋式接线柱功率铝电容器新增了90mm x 146mm、76mm x 220mm及90mm x 220mm三种更大的外形尺寸，接线柱的长度为13mm。
101/102 PHR-ST 器件现在共有从35mmx 60mm至90mm x 220mm的11种外形尺寸，圆柱形的铝外壳与圆盘里的蓝色套筒和减压装置保持绝缘。新的外形尺寸使器件实现了从1F、25V至10,000F、45
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Vishay 电容器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出电流密度高达2A~4A、采用低尺寸表面贴装SMA和SMB封装的新款100V TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器。
今天发布的器件包括采用DO-214AC(SMA)封装的VSSA310S和VSSA210，以及采用DO-214AA(SMB)封装的VSSB410S和VSSB310。SMA和SMB封装的厚度分别只有2.29mm和2.44mm。
由于器件具有0.56V的极低典型前向电压降和优异的雪崩容量
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Vishay 整流器 TMBS
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，在网站上新增了低尺寸、大电流IHLP电感器的视频产品演示，帮助客户了解在应用中使用这种电感器的好处。
视频演示显示，当电流增大时，采用其他技术的电感器会硬饱和，导致感值急剧下降至几乎为零。IHLP器件能够软饱和，使得感值能够缓慢地滚降。
Vishay的IHLP电感器可处理高瞬态电流尖峰，而不会出现硬饱和。这段4分钟的视频介绍了饱和电流性能测试，充分显示了IHLP器件在5A和25A的额定电流下的出色性能。
为尽可能
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Vishay 电感器 IHLP
日前，Vishay推出采用LLP006封装的新款双向对称(BiSy)单线ESD保护二极管 --- VBUS05L1-DD1-G-08。小尺寸的VBUS05L1-DD1-G-08具有0.3 pF的极低容值，可保护便携式电子设备中的天线、USB 3.0和HDMI端口免受瞬态电压信号的损害。
VBUS05L1-DD1-G-08的占位仅有0.6mm x 1.0mm，封装的厚度小于0.4mm，因此在便携式游戏机、数码相机、MP3播放器和手机等设备中进行有源ESD保护时，只需要很小的电路板空间。
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Vishay 二极管 ESD保护
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出副基准、密封充油的Bulk Metal®箔电阻 --- H和HZ系列，在精度、稳定性和速度上都设定了新的行业基准。新的H和HZ系列具有0.001%(10ppm)的容差，5Ω～1.84MΩ的阻值范围，在至少6年内(未受潮)的工厂寿命稳定率可达2ppm(±0.0002%)，上升时间小于1ns。H系列的最大TCR为±2ppm/℃，Z-Foil HZ系列的最大TCR仅有&plus
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Vishay 箔电阻 Bulk Metal
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款12V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- SiB455EDK。该器件采用热增强的PowerPAK® SC-75封装，占位面积为1.6mm x 1.6mm，具有业内P沟道器件最低的导通电阻。
SiB455EDK是采用第三代TrenchFET P沟道技术的最新产品，使用了自对准工艺技术，在每平方英寸的硅片上装入了10亿个晶体管单元。这种最先进的技术实现了超精细、亚微米的节距工艺，将业内
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Vishay MOSFET TrenchFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用SOT-923封装的60V N沟道功率MOSFET --- SiM400。该器件为业界最小的60V功率MOSFET，比SC-70和SC-90等封装能节约更多的空间。
SiM400是迄今为止最小的60V功率MOSFET，其SOT-923封装的尺寸为1mm x 0.6mm，最大厚度仅有0.43mm。器件的占位尺寸比SC-89小77%，厚度则薄了26%。
在VGS为10V、4.5V和3.5V的情况下，新器件的导通电阻分别
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Vishay MOSFET SiM400
日前，Vishay Intertechnology, Inc.今天宣布，推出新系列增强型高电流密度PowerBridge整流器。整流器的额定电流高达30A~45A，最大峰值反向额定电压为600V~1000V，外壳绝缘强度高达1500V。该系列45A器件是业界首款采用PowerBridge封装的单列直插桥式整流器，产品尺寸为30mm x 20mm，厚度为3.8mm。
与市场上其他更大尺寸的桥式整流器相比，PowerBridge器件先进的导热结构使热量能更有效地散发出去。因此，PowerBrid
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Vishay 整流器 PowerBridge
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出用于线焊组装的新系列RF螺旋电感器 --- Vishay Electro-Films PSC系列电感器 --- 具有低DCR、高Q值和宽感值范围，提供RF等效电路模型，使得设计者可以对器件性能进行高度精确的计算机仿真。
PSC电感器是针对需要线焊器件的RF电路而设计的，包括在通信系统及测试测量仪器中的阻抗调谐电路、集总元件滤波器和混合RF集成电路。
螺旋电感具有1nH~100nH的宽感
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Vishay RF 螺旋电感器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位面积的热增强PowerPAK SC-70®封装，具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。新款SiA433EDJ是采用第三代TrenchFET® P沟道技术的最新器件，使用了自矫正的工艺技术，在每平方英寸的硅片上装进了1亿个晶体管。这种最先进的技术实现了超精细、亚微米的间距工艺，将目前业界最好的P沟道MOSFET
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Vishay MOSFET SiA433EDJ
vishay介绍
威世（VISHAY）集团成立于1962年，总部位于美国宾夕法尼亚洲。40多年中威世集团通过科技创新和不断的并购, 迅速发展成为世界上最大的分离式半导体和无源电子器件制造商之一。目前集团已有69个制造基地遍布全球17个国家，其中中国大陆有7家制造业工厂分别坐落于天津、北京、上海、惠州。威世集团被美国财富杂志评为半导体领域“2004、2005年度全美最让人钦佩的公司”。其产品被广泛地应用于工业、计算机 [
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