- Vishay Intertechnology日前宣布推出VSMP系列高精度表面贴装Bulk Metal Z Foil(BMZF)箔电阻，据称是业界率先在70℃时具有750mW额定功率、具有
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Vishay 箔电阻 通信测试 电阻 电位器
- Vishay推出三款高精度低压单片CMOS模拟开关IC。该IC集宽电压范围、低漏电流以及精准接通电阻匹配等优点于一身，适用于精密信号开关及路由应用。 推出的产品有：8通道模拟多路转换器（DG9051）、双4通道模拟多路转换器（DG9052）及三重2通道单刀/双掷（SPDT）模拟开关（DG9053）。以上三种器件适用于手机、通讯系统、调制解调器、数据采集系统、自动测试设备及机动系统等终端产品。 三种器件均可在单电源时适应2.7V至12V输入电压，双电源时适应
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IC VISHAY 超宽电压 模拟开关
- 日前，Vishay宣布推出一款小型表面贴装芯片电阻分压器 CDHV，该器件在高压下可实现出色的比例稳定性。这款新型电阻分压器主要用于高压电源、电源开关设备及变频器控制。 采用氧化铝底板制造的 CDHV 能够处理 3kV 的高压，其电压系数低至 5ppm/V。该器件的电阻值介于 1 兆欧～20 千欧，符合宽泛的 10:1～500:1的标准及定制电阻比例范围，在以全功率、70
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CDHV VISHAY 薄膜芯片 电阻分压器 电阻 电位器
- Vishay推出三款高精度低压单片CMOS模拟开关IC。该IC集宽电压范围、低漏电流以及精准接通电阻匹配等优点于一身，适用于精密信号开关及路由应用。 推出的产品有：8通道模拟多路转换器（DG9051）、双4通道模拟多路转换器（DG9052）及三重2通道单刀/双掷（SPDT）模拟开关（DG9053）。以上三种器件适用于手机、通讯系统、调制解调器、数据采集系统、自动测试设备及机动系统等终端产品。 三种器件均可在单电源时适应2.7V至12V输入电压，双电源时适应
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IC VISHAY 超宽电压 模拟开关
- 日前，Vishay宣布推出业界首款基于 Trench MOS 技术的肖特基势垒整流器。这五款新型 TMBS™ 器件可在开关模式电源中作为整流电路或 OR-ing 二极管，或可替代同步整流解决方案，它们在同类型封装的肖特基二极管中具有最低的正向压降。 VTS40100CT 是市场上第一款此类器件，其采用 TO-220AB 封装，额定电流为 40A (2&nb
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Vishay 双高压 肖特基 整流器
- Vishay Intertechnology日前宣布推出VSMP系列高精度表面贴装Bulk Metal Z Foil(BMZF)箔电阻，据称是业界率先在70℃时具有750mW额定功率、具有
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750mW Vishay 箔电阻 电阻 电位器
- Vishay 的新型 VSM Bulk Metal® 箔超高精度包裹式表面贴装 芯片电阻率先将 2ppm/C 的低 TCR、0.01% 的负载寿命稳定性 及 0.01% 的容差等特性集于一身 新型器件采用小型封装而为需要高精度、稳定性及可靠性的应用 提供了 400mW 的功率 日前，Vishay
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Bulk Metal® Vishay VSM 电阻 电阻 电位器
- Vishay Intertechnology日前推出两款可与外部MOSFET共同运行的新型同步降压控制器IC。高压SiP12201及低压SiP12202控制器均可在电池供电系统、电信及工业终端系统等广泛应用中实现灵活、高效的电压转换，其同步降压架构可实现以93%的效率进行电压转换，从而延长可电池使用时间，同时减少封闭的现场安装或机架安装系统中的热量，以及降低对冷却系统的需求。 SiP12201的输入电压范围介于4.2V～26V，而SiP12202的介于2.
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IC Vishay 控制器
- Vishay Intertechnology日前推出两款可与外部MOSFET共同运行的新型同步降压控制器IC。高压SiP12201及低压SiP12202控制器均可在电池供电系统、电信及工业终端系统等广泛应用中实现灵活、高效的电压转换，其同步降压架构可实现以93%的效率进行电压转换，从而延长可电池使用时间，同时减少封闭的现场安装或机架安装系统中的热量，以及降低对冷却系统的需求。 SiP12201的输入电压范围介于4.2V～26V，而SiP12202的介于2
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IC Vishay 控制器
- 可处理 10A 的电流，并且能够以 93% 的高效率提供 0.6V 的业界低输出电压 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代码：VSH）推出两款可与外部 MOSFET 共同运行的新型同步降压控制器 IC，这些器件在需要 10A 输出电流的直流到直流转换器电路中具有的外部元件数最少。 高压 SiP12201
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VISHAY
- 具有 0.1% 的低匹配容差 当用于替换四个分立的 0603 电阻时，ACAS 0612 阵列将占位面积缩减了 40% 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代码：VSH）宣布推出具有低至 0.1 % 的匹配容差的新型电阻阵列。这些阵列将四个薄膜电阻整合到占位面积为 1.6 毫米
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Vishay 电阻 电位器
- 具有 0.1% 的低匹配容差 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出具有低至 0.1 % 的匹配容差的新型电阻阵列。这些阵列将四个薄膜电阻整合到占位面积为 1.6 毫米
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Vishay 电阻 电位器
- 日前，Vishay宣布推出钽电容器Sprague 592D系列，可在厚度仅2.5mm的封装中提供3300μF电容。提供的该解决方案可取代在超薄应用中使用多个低值电容器实现充足电容的方式。 Vishay采用“X”封装尺寸的Sprague 592D共形敷膜(Conformal-Coated)固体钽电容器主要面向PCMCIA卡、电源、线卡及手机等终端产品中的噪声抑制、滤波、耦合及定时应用。新型592D电容器使用户无需并行使用多个电容器来满足
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Vishay 电容器
- Vishay Intertechnolog公司推出了新一代射频晶体管，这些经优化的晶体管能使电视机、盒式录像机、机顶盒和卫星系统具有极好的动态性能并大大节省空间。 这些新的MOS晶体管（MOSMIC）器件包括两种单MOSMIC，即S505TY和S506TY，以及一种双MOSMIC，即TSDF02830Y。S505TY和S506TY经过优化，分别用于超高频（UHF）放大和甚高频（VHF）放大。TSDF02830Y既可用于UHF优化放大器，又可用于VHF优化放大器。这三种MOSMIC都可用在数字
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Vishay Intertechnolog公司
vishay介绍
威世（VISHAY）集团成立于1962年，总部位于美国宾夕法尼亚洲。40多年中威世集团通过科技创新和不断的并购, 迅速发展成为世界上最大的分离式半导体和无源电子器件制造商之一。目前集团已有69个制造基地遍布全球17个国家，其中中国大陆有7家制造业工厂分别坐落于天津、北京、上海、惠州。威世集团被美国财富杂志评为半导体领域“2004、2005年度全美最让人钦佩的公司”。其产品被广泛地应用于工业、计算机 [
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