- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出业界首款采用 CLCC-6 及 CLCC-6 扁平陶瓷封装的高强度白光功率 SMD LED --- VLMW63.. 系列和VLMW64.. 系列。上述系列器件均提供基于蓝宝石 InGaN/TAG 技术、2240mcd 至 5600mcd 的高光功率。
新型 VLMW63.. 系列采用 CLCC-6 封装且具有低达 50k/W 的低热阻，而采用 CLCC-6 扁平封装的 VLMW64.. 系列则具有 40k/W 低热阻及 0.9m
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Vishay 白光 LED 陶瓷封装
- Vishay Intertechnology, Inc.日前宣布，其 HVArc Guard 表面贴装 X7R 多层陶瓷芯片电容器 (MLCC) 现可提供可选聚合体端子。该器件专为耐受较高机械应用而设计，旨在减少机械破碎相关的电容器故障。
凭借可选聚合体端子，VJ0805、VJ1206、VJ1210、VJ1808 和 VJ1812 HVArc Guard? MLCC 可减少电容器故障，并通过限制电容器故障节约保修成本，从而进一步减少电路板上受损元件的数量或减少对整个设备的损坏。
Visha
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Vishay 电容器 MLCC 转换器
- 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布推出新型超高精度 Z 箔电阻 —— VPR221Z.此新型器件可提供 ±0.05ppm/°C（当温度介于 0°C 至 +60°C 之间）及 ±0.2 ppm/°C（当温度范围在 55°C 至 +125°C）（参考温度为 +25°C）的工业级别绝对 TCR、在 +25°C 时最多 8
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Vishay Z 箔 电阻 超高精度
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出最新小型 4 线 ESD 保护阵列 --- VBUS054CV-HS3，该器件可在高浪涌电流情况下提供低电容，以保护两个高速 USB 端口或四个其它高频信号线，以免它们受到瞬态电压信号的损坏。
VBUS054CV-HS3 采用占位面积为 1.6mm×1.6mm 且具有 0.75mm 超薄厚度的无铅 LLP75 封装，可将众多便携式电子设备中的有源 ESD 保护所需的板面空间缩减至最小，这些系统包括便携式与手持式计算、通
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Vishay ESD 保护阵列 电容
- Vishay推出采用 CLCC-2 扁平陶瓷封装且具有 400mA 驱动电流的业界首个高强度淡黄色及黄色功率 SMD LED 系列 --- VLMK82.. 与 VLMY82.. 器件。该系列 SMD LED 器件具有 20K/W 的低热阻以及 5600mcd～14000mcd 的高光功率，主要面向热敏应用。
凭借 0.75mm 的超薄厚度，VLMK82.. 与 VLMY82.. LED 的 CLCC-2 扁平陶瓷封装可实现能够达到最大光输出的额外电流驱动，同时保持长达 50,0
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Vishay LED 功率 热敏
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用 PowerPAK SC-75 封装的 p 通道功率 MOSFET 系列，该系列包括额定电压介于 8V～30V 的多个器件，这些是采用此封装类型的业界首批具有上述额定电压的器件。
日前推出的这些器件包括业界首款采用 PowerPAK SC-75 封装的 -12V (SiB419DK) 及 -30V (SiB415DK) 单 p 通道功率 MOSFET。先前宣布推出的 SiB417DK 为首款 -8V 的此类器件，目前此类器件又
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Vishay MOSFET p 通道 功率
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布推出新型 VCS1625Z 超高精度 Z 箔表面贴装电流感应芯片电阻。此新器件可提供 ±0.05ppm/°C（当温度介于 0°C 至 +60°C 之间）或 ±0.2 ppm/°C（当温度范围在 55°C 至 +125°C）（参考温度为+25°C）的工业级别绝对 TCR、在額定功率時 ±5ppm 的超
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Vishay 电阻 电流感应芯片 Z 箔
- 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布推出新型 VSMP0603 超高精度Bulk Metal® Z 箔 （BMZF） 卷型表面贴装电阻。该器件是业内率先采用 0603 芯片尺寸的产品，当温度范围在 55°C 至 +125°C （参考温度为+25°C）时，可提供±0.2 ppm/°C的军用级绝对 TCR、±0.01%的容差以及1 纳秒的快速响应时间（几乎不可测量），
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Vishay Z 箔 电阻 BMZF
- 日前，Vishay Intertechnology，Inc.推出用于串行红外（IrDA®）无线通信的新型小型编码器/解码器 —— TOIM5232，进一步扩大其光电产品组合。
此新型器件可为串行红外（SIR） IrDA 收发器提供适当的 RS-232 数据信号脉冲波形，并支持 1.2kbit/s 至 115.2kbit/s 的数据速率。TOIM5232 采用 QFN（四方扁平无引脚）封装，尺寸为 4mm × 4mm × 0.75mm，其操作
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Vishay IrDA 编码器 解码器
- 日前，Vishay Intertechnology， Inc.推出业界首款具有63V 额定电压及22μF 电容的固体钽芯片电容器 —— Tantamount® Hi-Rel COTS T97 产品系列，以满足业内长久以来在+28V 电源设计中的额定值降低要求。
由于缺乏面向 +28V 应用的替代产品，在此之前，设计人员不得不依赖 50V 钽电容器，这种电容器无法满足 50% 额定电压的降级要求（军事及最佳商业实践）。而这次，凭借 63V 的额定电压及 22&
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Vishay 电容器 固体钽 Tantamount
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出改进的 S 系列高精度 Bulk Metal® 箔 (BMF) 电阻，这些电阻在 -55°C～+125°C（+25°C 参考点）时具有 ±2 ppm/°C 的军用级典型 TCR、±0.005% 的容差，以及超过 10,000 小时的 ±0.005% 负载寿命稳定性。
S 系列包含 12 个型号，电阻值介于 0.5Ω～1MΩ
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Vishay BMF 电阻 军用
- 宾夕法尼亚、MALVERN — 2008 年 7 月 17 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）推出新型 VSA101 轴向 Bulk Metal® Z 箔电阻，旨在为满足在高可靠性应用中对超高精度电阻的需求。这款新型器件在 0°C～+60°C 以及 55°C～+125°C（+25°C 参考温度）的温度范围内分别具有 ±0.05 ppm/°C
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箔电阻 Vishay 电阻元件 ESD
- Vishay Intertechnology, Inc.推出新型 VSA101 轴向 Bulk Metal® Z 箔电阻，旨在为满足在高可靠性应用中对超高精度电阻的需求。这款新型器件在 0°C～+60°C 以及 -55°C～+125°C（+25°C 参考温度）的温度范围内分别具有 ±0.05 ppm/°C 及 ±0.2 ppm/°C 的低绝对 TCR、额定功率时 ±5 ppm 的出色 PCR（&l
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Vishay Z 箔电阻 放大器
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布推出具有长久使用寿命、温度系数低至 ±150 ppm/°C 且具有 9.6mm 小型尺寸的新型低成本面板电位计。
标准低成本面板电位计的寿命为 50,000 个周期，而 Vishay 的 P10L 具有长达10倍的 500,000 个周期的长久使用寿命。对于设计人员而言，这降低了对更换部件的需求，从而可提高可靠性并降低维护成本。
该电位计采用具有纯锡端子的完全密封式 IP6
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Vishay 面板电位计
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出最大结温高达 +175°C 的业界首款新型第五代（Gen. 5.0）高性能 45V 肖特基二极管。30CTT045 与 60CPT045 器件基于亚微米沟槽技术，可提供超低的正向压降以及低反向漏电流，从而可使设计人员提高汽车及其他高温应用中的功率密度。
日前推出的这两款肖特基二极管在 +125°C 时具有超低的最大正向压降，对于 2 x 30A 60CPT045，30A 时典型正向压降低于 0.50
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Vishay 二极管
vishay介绍
威世（VISHAY）集团成立于1962年，总部位于美国宾夕法尼亚洲。40多年中威世集团通过科技创新和不断的并购, 迅速发展成为世界上最大的分离式半导体和无源电子器件制造商之一。目前集团已有69个制造基地遍布全球17个国家，其中中国大陆有7家制造业工厂分别坐落于天津、北京、上海、惠州。威世集团被美国财富杂志评为半导体领域“2004、2005年度全美最让人钦佩的公司”。其产品被广泛地应用于工业、计算机 [
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