日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有低容值和低漏电流的新款ESD保护阵列 --- VBUS053BZ-HNH-G-08，可保护USB-OTG端口免受瞬态电压信号的损害。新的VBUS053BZ-HNH-G-08在5.5V工作电压范围内可提供3路USB ESD保护，在12V工作电压范围内提供1路VBUS保护。
VBUS053BZ-HNH-G-08采用无铅的LLP1713-9M,封装，具有0.6mm的超低外形，可在高速数据应用中减少有源ESD保护所需的电路板
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Vishay ESD USB-OTG
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出旗下microBUCK系列集成同步降压稳压器中的新器件 --- SiC414。6A SiC414是DC-DC转换器解决方案，具有先进的控制器IC和栅极驱动器、两个针对PWM控制优化的N沟道MOSFET(高边和低边)、在独立降压稳压器配置中的自启动开关，采用节省空间的MLPQ 4mm x 4mm的28引脚封装。
microBUCK系列的产品综合了Vishay独特的分立MOSFET设计、IC专长和封装工艺，为客户提供了具有成本效
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Vishay microBUCK MOSFET 封装
日前，Vishay宣布，为帮助客户了解在应用中使用环境光传感器的益处，Vishay公司将在官方网站上发布其光电产品组的视频产品演示。
Vishay的环境光传感器采用独家的红外滤波环氧树脂技术，能够使感光光谱匹配人眼的敏感度特性，而对非可见光的敏感度则很小。这种特性可避免自然光、白炽灯和卤素灯泡等人工照明中红外成分对传感器的干扰。这段5分钟的新视频演示了亮度测试，显示出Vishay的TEMT6200FX01在性能上优于竞争产品和标准的硅光敏晶体管。
这段演示表明，在不同的光源下，其他技术
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Vishay 传感器 TEMT6200FX01
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出集成的DrMOS解决方案 --- SiC762CD。在紧凑的PowerPAK® MLP 6x6的40脚封装内，该器件集成了对PWM信号优化的高边和低边N沟道MOSFET、完整功能的MOSFET驱动IC，以及阴极输出二极管。新的SiC762CD完全符合DrMOS®规定的服务器、PC、图形卡、工作站、游戏机和其他高功率CPU系统中电压调节器(VR)标准。该器件的工作频率超过1MHz，效率高达92%。
SiC7
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Vishay 驱动IC PowerPAK SiC762CD
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出6款单芯片和双芯片80-V TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器。这些整流器采用4种功率封装，具有10A～30A的电流额定范围。
今天发布的器件包括单芯片的V(B,F,I)T1080S、V(B,F,I)T2080S、和V(B,F,I)T3080S，以及双芯片的V(B,F,I)T1080C、V(B,F,I)T2080C和V(B,F,I)T3080C。每款器件均提供功率TO-22
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Vishay 整流器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出采用两种分装版本的新款表面贴装白光LED --- VLMW321xx LED和VLMW322xx LED。为了与类似器件保持大范围的引脚兼容，VLMW321xx LED提供了3个阳极和1个阴极，VLMW322xx LED提供了3个阴极和1个阳极。
今天发布的这些器件采用PLCC-4封装，优化的引线框使热阻降低至300K/W，功率耗散高达200mW，从而使器件能够使用高达50mA的驱动电流，使亮度
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Vishay 器件 LED照明
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出内置熔丝的新系列TANTAMOUNT®低ESR固钽贴片电容器 --- TF3。TF3系列电容器采用三种模压外形尺寸，可在以安全为首要考虑的应用中为短路故障提供非常高级别的保护。
TF3系列器件具有一个内部的电子式熔断装置，在+25℃、最小5A电流条件下，熔断装置可以0.1秒的时间内起作用。在因电流过大引发故障的情况下，可以防止对电路元器件造成损伤。
这些电容器在+25℃和100kHz条件下的ESR低至0.25&
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Vishay 贴片电容器 TF3 TANTAMOUNT
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，将其Super Junction FET®技术延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封装。
新的SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK
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Vishay MOSFET FET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出通过AEC-Q200认证、ESD级别高达2kV的新款PAT系列精密车用薄膜电阻。该电阻的标准TCR低至±25ppm/℃，经过激光微调后的容差低至±0.1%，可满足汽车行业对温度、湿度提出的新需求，同时具有可靠的可重复性和稳定的性能。
由于在高纯度的氧化铝基板上涂上了一层氮化钽电阻薄膜，使PAT电阻实现了稳定的薄膜，在+70℃下经过10,000小时后的性能特性为1000ppm。器件针对混合动力/电控
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Vishay ESD 薄膜电阻
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，其101/102 PHR-ST螺旋式接线柱功率铝电容器新增了90mm x 146mm、76mm x 220mm及90mm x 220mm三种更大的外形尺寸，接线柱的长度为13mm。
101/102 PHR-ST 器件现在共有从35mmx 60mm至90mm x 220mm的11种外形尺寸，圆柱形的铝外壳与圆盘里的蓝色套筒和减压装置保持绝缘。新的外形尺寸使器件实现了从1F、25V至10,000F、45
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Vishay 电容器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出电流密度高达2A~4A、采用低尺寸表面贴装SMA和SMB封装的新款100V TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器。
今天发布的器件包括采用DO-214AC(SMA)封装的VSSA310S和VSSA210，以及采用DO-214AA(SMB)封装的VSSB410S和VSSB310。SMA和SMB封装的厚度分别只有2.29mm和2.44mm。
由于器件具有0.56V的极低典型前向电压降和优异的雪崩容量
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Vishay 整流器 TMBS
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，在网站上新增了低尺寸、大电流IHLP电感器的视频产品演示，帮助客户了解在应用中使用这种电感器的好处。
视频演示显示，当电流增大时，采用其他技术的电感器会硬饱和，导致感值急剧下降至几乎为零。IHLP器件能够软饱和，使得感值能够缓慢地滚降。
Vishay的IHLP电感器可处理高瞬态电流尖峰，而不会出现硬饱和。这段4分钟的视频介绍了饱和电流性能测试，充分显示了IHLP器件在5A和25A的额定电流下的出色性能。
为尽可能
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Vishay 电感器 IHLP
日前，Vishay推出采用LLP006封装的新款双向对称(BiSy)单线ESD保护二极管 --- VBUS05L1-DD1-G-08。小尺寸的VBUS05L1-DD1-G-08具有0.3 pF的极低容值，可保护便携式电子设备中的天线、USB 3.0和HDMI端口免受瞬态电压信号的损害。
VBUS05L1-DD1-G-08的占位仅有0.6mm x 1.0mm，封装的厚度小于0.4mm，因此在便携式游戏机、数码相机、MP3播放器和手机等设备中进行有源ESD保护时，只需要很小的电路板空间。
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Vishay 二极管 ESD保护
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出副基准、密封充油的Bulk Metal®箔电阻 --- H和HZ系列，在精度、稳定性和速度上都设定了新的行业基准。新的H和HZ系列具有0.001%(10ppm)的容差，5Ω～1.84MΩ的阻值范围，在至少6年内(未受潮)的工厂寿命稳定率可达2ppm(±0.0002%)，上升时间小于1ns。H系列的最大TCR为±2ppm/℃，Z-Foil HZ系列的最大TCR仅有&plus
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Vishay 箔电阻 Bulk Metal
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款12V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- SiB455EDK。该器件采用热增强的PowerPAK® SC-75封装，占位面积为1.6mm x 1.6mm，具有业内P沟道器件最低的导通电阻。
SiB455EDK是采用第三代TrenchFET P沟道技术的最新产品，使用了自对准工艺技术，在每平方英寸的硅片上装入了10亿个晶体管单元。这种最先进的技术实现了超精细、亚微米的节距工艺，将业内
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Vishay MOSFET TrenchFET
vishay介绍
威世（VISHAY）集团成立于1962年，总部位于美国宾夕法尼亚洲。40多年中威世集团通过科技创新和不断的并购, 迅速发展成为世界上最大的分离式半导体和无源电子器件制造商之一。目前集团已有69个制造基地遍布全球17个国家，其中中国大陆有7家制造业工厂分别坐落于天津、北京、上海、惠州。威世集团被美国财富杂志评为半导体领域“2004、2005年度全美最让人钦佩的公司”。其产品被广泛地应用于工业、计算机 [
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