日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出通过了DSCC Drawing 10004认证的超高容值液钽电容器 --- DSCC 10004。Vishay的新款DSCC 10004器件具有业内最高的容值，采用轴向T1、T2、T3和T4外形编码。对于高可靠性应用，扩展的SuperTan® 10004采用玻璃至金属的密封封装，工作温度范围为-55℃~+85℃，电压降额情况下的温度可达+125℃，在120Hz下的最大ESR低至0.25Ω。
10004
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Vishay 液钽电容器 DSCC
日前，Vishay宣布推出新款500V N沟道功率MOSFET --- SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比，该器件的开关速度和损耗均得到了改善。SiHF8N50L-E3适用于ZVS拓扑，具有低至63ns的trr和114nC的Qrr，栅极电荷为34nC。
SiHF8N50L-E3改善了反向恢复特性，从而能够更好地抵御EMI，实现更高的效率，同时避免出现导致MOSFET烧毁的内部体二极管恢复故障。
Vishay今天推出的新MOSFET具有500V电压等级，在10V栅极驱动下的最大导通电
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Vishay MOSFET
日前，Vishay宣布，推出采用6767外形尺寸、低外形、高电流的新款IHLP®电感器 --- IHLP-6767DZ-01。IHLP-6767DZ-01具有4.0mm的超薄外形，具有高最高频率、高达92A的饱和电流和0.22μH至10.0μH的标准感值。
新款IHLP-6767DZ-01的频率范围达2MHz，是终端产品中电压调节模块(VRM)和DC-DC应用的高效能、节省空间和低功耗的解决方案，这些应用领域包括下一代移动设备、桌面电脑、服务器、图形卡和汽车电子系统，低外形、
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Vishay 电感器 IHLP
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出两款新的集成功率光敏，分别是输出电流为0.9A的VO2223和输出电流为1A的VO2223A，扩充了其光电产品组合。这些新款功率光敏集成了以往需要由光敏和电源TRIAC两个器件完成的功能。由于不需要采用外部功率TRIAC，这些器件可节省电路板空间和降低成本。这些光耦产品采用8引脚的DIP封装，可保护人体免受电击，在家电和很多其他系统中，可对低压控制电路与高压电源进行光电隔离，避免出现过流情况。
VO2223和VO2223A的
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Vishay 功率光敏 VO2223 VO2223A
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出2010年的“Super 12”高性能产品。这些系列器件具有业内领先的标准，如容值电压、电流等级和导通电阻。这些创新产品在http://www.vishay.com/landingpage/super12/2010/进行展示，是很多关键应用的理想选择，也是Vishay广泛的产品线组合的典型代表产品。
2010年将要发布的Super 12产品是：
597D和T97多模钽电容：对于+28V应
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Vishay 电容 导通电阻 MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有低容值和低漏电流的新款ESD保护阵列 --- VBUS053BZ-HNH-G-08，可保护USB-OTG端口免受瞬态电压信号的损害。新的VBUS053BZ-HNH-G-08在5.5V工作电压范围内可提供3路USB ESD保护，在12V工作电压范围内提供1路VBUS保护。
VBUS053BZ-HNH-G-08采用无铅的LLP1713-9M,封装，具有0.6mm的超低外形，可在高速数据应用中减少有源ESD保护所需的电路板
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Vishay ESD USB-OTG
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出旗下microBUCK系列集成同步降压稳压器中的新器件 --- SiC414。6A SiC414是DC-DC转换器解决方案，具有先进的控制器IC和栅极驱动器、两个针对PWM控制优化的N沟道MOSFET(高边和低边)、在独立降压稳压器配置中的自启动开关，采用节省空间的MLPQ 4mm x 4mm的28引脚封装。
microBUCK系列的产品综合了Vishay独特的分立MOSFET设计、IC专长和封装工艺，为客户提供了具有成本效
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Vishay microBUCK MOSFET 封装
日前，Vishay宣布，为帮助客户了解在应用中使用环境光传感器的益处，Vishay公司将在官方网站上发布其光电产品组的视频产品演示。
Vishay的环境光传感器采用独家的红外滤波环氧树脂技术，能够使感光光谱匹配人眼的敏感度特性，而对非可见光的敏感度则很小。这种特性可避免自然光、白炽灯和卤素灯泡等人工照明中红外成分对传感器的干扰。这段5分钟的新视频演示了亮度测试，显示出Vishay的TEMT6200FX01在性能上优于竞争产品和标准的硅光敏晶体管。
这段演示表明，在不同的光源下，其他技术
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Vishay 传感器 TEMT6200FX01
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出集成的DrMOS解决方案 --- SiC762CD。在紧凑的PowerPAK® MLP 6x6的40脚封装内，该器件集成了对PWM信号优化的高边和低边N沟道MOSFET、完整功能的MOSFET驱动IC，以及阴极输出二极管。新的SiC762CD完全符合DrMOS®规定的服务器、PC、图形卡、工作站、游戏机和其他高功率CPU系统中电压调节器(VR)标准。该器件的工作频率超过1MHz，效率高达92%。
SiC7
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Vishay 驱动IC PowerPAK SiC762CD
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出6款单芯片和双芯片80-V TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器。这些整流器采用4种功率封装，具有10A～30A的电流额定范围。
今天发布的器件包括单芯片的V(B,F,I)T1080S、V(B,F,I)T2080S、和V(B,F,I)T3080S，以及双芯片的V(B,F,I)T1080C、V(B,F,I)T2080C和V(B,F,I)T3080C。每款器件均提供功率TO-22
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Vishay 整流器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出采用两种分装版本的新款表面贴装白光LED --- VLMW321xx LED和VLMW322xx LED。为了与类似器件保持大范围的引脚兼容，VLMW321xx LED提供了3个阳极和1个阴极，VLMW322xx LED提供了3个阴极和1个阳极。
今天发布的这些器件采用PLCC-4封装，优化的引线框使热阻降低至300K/W，功率耗散高达200mW，从而使器件能够使用高达50mA的驱动电流，使亮度
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Vishay 器件 LED照明
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出内置熔丝的新系列TANTAMOUNT®低ESR固钽贴片电容器 --- TF3。TF3系列电容器采用三种模压外形尺寸，可在以安全为首要考虑的应用中为短路故障提供非常高级别的保护。
TF3系列器件具有一个内部的电子式熔断装置，在+25℃、最小5A电流条件下，熔断装置可以0.1秒的时间内起作用。在因电流过大引发故障的情况下，可以防止对电路元器件造成损伤。
这些电容器在+25℃和100kHz条件下的ESR低至0.25&
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Vishay 贴片电容器 TF3 TANTAMOUNT
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，将其Super Junction FET®技术延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封装。
新的SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK
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Vishay MOSFET FET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出通过AEC-Q200认证、ESD级别高达2kV的新款PAT系列精密车用薄膜电阻。该电阻的标准TCR低至±25ppm/℃，经过激光微调后的容差低至±0.1%，可满足汽车行业对温度、湿度提出的新需求，同时具有可靠的可重复性和稳定的性能。
由于在高纯度的氧化铝基板上涂上了一层氮化钽电阻薄膜，使PAT电阻实现了稳定的薄膜，在+70℃下经过10,000小时后的性能特性为1000ppm。器件针对混合动力/电控
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Vishay ESD 薄膜电阻
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，其101/102 PHR-ST螺旋式接线柱功率铝电容器新增了90mm x 146mm、76mm x 220mm及90mm x 220mm三种更大的外形尺寸，接线柱的长度为13mm。
101/102 PHR-ST 器件现在共有从35mmx 60mm至90mm x 220mm的11种外形尺寸，圆柱形的铝外壳与圆盘里的蓝色套筒和减压装置保持绝缘。新的外形尺寸使器件实现了从1F、25V至10,000F、45
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Vishay 电容器
vishay介绍
威世（VISHAY）集团成立于1962年，总部位于美国宾夕法尼亚洲。40多年中威世集团通过科技创新和不断的并购, 迅速发展成为世界上最大的分离式半导体和无源电子器件制造商之一。目前集团已有69个制造基地遍布全球17个国家，其中中国大陆有7家制造业工厂分别坐落于天津、北京、上海、惠州。威世集团被美国财富杂志评为半导体领域“2004、2005年度全美最让人钦佩的公司”。其产品被广泛地应用于工业、计算机 [
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