- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布推出新型 35W 厚膜功率电阻--- D2TO35，该器件采用易于安装的超小型 TO-263 封装 (D2PAK)，并且具有广泛的电阻值范围。
该新型 D2TO35 厚膜电阻为无电感器件，具有 0.01～550k 的宽泛电阻范围。这款新型电阻采用面积仅为 10.1mm×10.4mm、厚度仅为 4.5mm 的超小型 TO-263 封装，因此可节省电路板上的宝贵空间，从而使设计人员能够缩减
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Vishay 厚膜 电阻 无电感
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）推出采用 5mm 带引线封装的新一代 850nm 红外发射器，从而拓宽了其光电子产品系列。TSHG5210 与 TSHG6210 具有 10°视角，而 TSHG5410 与 TSHG6x10 器件具有18°视角。它们具有极高的辐射强度以及当前业界最低的正向电压。
Vishay 日前推出的这四款发射器专为以下方面的红外照明进行了优化：闭路电视 (CCTV) 安全应用中使用的 CMOS 及
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Vishay 红外 发射器 光电子
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布推出新系列功率表面贴装 LED，这些器件极大的改进了散热与亮度。新型 VLMx32xx 器件采用带引线框的 PLCC 4 封装，该封装专为提供低至 290 K/W 的超低热阻及高达 200mW 的功耗而进行了优化，可实现高达 70mA 的高驱动电流，从而比现有的 SMD LED 产品的亮度提高了一倍。对于汽车应用，VLMx32xx 器件已通过 AEC-Q101 汽车标准认证。
这些新型高强度 LED
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Vishay LED LCD
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）推出新型 20V p 通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Vishay Siliconix Si8445DB，该器件采用 MICRO FOOT® 芯片级封装，具有业界最小占位面积以及 1.2 V 时业界最低的导通电阻。
随着便携式电子设备的体积越来越小以及它们功能的不断增加，电源管理电路的可用板面空间会极大减少。为实现消费者对用电池做电源的电子设备的更长运行时间的期望，
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Vishay MOSFET 芯片 手机 PDA 数码相机 MP3 智能电话
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布推出增强型高电流密度 PowerBridgeTM 整流器的新系列，这些器件的额定电流为 10 A 至 25 A，最大额定峰值反向电压为 600 V 至 1000 V。
与市面上体积更大的桥式整流器相比，PowerBridge 器件更为先进的热构造可提高散热效率。因此，PowerBridge 整流器可以提供与体积更大产品相同的额定功率，并同时需要更少的散热装置。
整流器也因此成为匹配桌面 PC、服
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Vishay 整流器 桥式 单相 OEM
- 2008年5月28日，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出增强型高电流密度PowerBridgeTM 整流器的新系列，这些器件的额定电流为10 A 至25 A，最大额定峰值反向电压为600 V 至1000 V。
与市面上体积更大的桥式整流器相比，PowerBridge 器件更为先进的热构造可提高散热效率。因此，PowerBridge 整流器可以提供与体积更大产品相同的额定功率，并同时需要更少的散热装置。
单相整流器也因此成为匹配桌面PC、服务器、等离子电视、液晶
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Vishay 整流器 开关电源 OEM
- 2008年5月16日，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新型环形高电流、高温电感器TJ3-HT ，该器件具有业内最高额定及饱和电流以及最低电感和DCR。
Vishay的新型TJ3-HT 电感器的最高额定工作温度为+200°C，采用环形设计以减少EMI，可用来优化开关式电源、EMI/RFI滤波器、汽车的输出端扼流圈以及深井钻探产品。
该款低成本器件可为设计人员提供水平和垂直安装选项以优化PCB设计。Vishay 的此款新型电感器具有10个标准电感值以供选
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Vishay 电感器 DCR
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出新型 VFCD1505 表面贴装倒装芯片分压器。当温度范围在0°C 至 +60°C 以及55°C 至+125°C（参考温度为+25°C）时，该分压器将±0.05ppm/°C和 ±0.2 ppm/°C 的超低绝对 TCR、在额定功率时 ±5ppm 的出色 PCR 跟踪（自身散热产生的 ∆R）及±0.005%的负载寿命稳定度等优
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Vishay 分压器
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出新型 TR8 系列模塑 MicroTan™ 钽芯片电容。该系列器件在采用 0805 封装的该类电容具有 0.8Ω 超低 ESR （在100 kHz和47 µF条件下），而采用 0603 封装时，更是达到业内最低的 1.5Ω ESR 值。
由于具有超低 ESR 值以及小型 0805 和 0603 封装，TR8 可在占用更小的PCB板面空间的同时，进一步提高在音频过滤和信号处理应用中的效
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Vishay 电容器
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出八款面向高精度仪表应用的新型高频、低电荷注入模拟多路复用器与开关。这些产品还是同类器件中首批除标准 TSSOP 与 SOIC 封装外还提供采用 1.8mm×2.6mm 无引线微型 QFN 封装的器件。
四款新型模拟多路复用器与四款新型模拟开关将 0.5pC～1.0pC的超低电荷注入、2pF 及 3pF 的低开关电容、0.25nA～5nA 的漏电流及 66Ω～72Ω 的典型导通电阻完美结合在一起。
它们
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Vishay 复用器 开关
- 日前，Vishay宣布推出采用倒立鸥翼式封装的新型 SMD LED 的两个系列：黄色 VLRE31.. 系列和 VLRK31.. 系列，这两种系列的SMD LED具有高发光强度和低功耗的特点，旨在满足日益增长的对 AlInGaP 技术的需求。
由于具有超薄的1.9毫米外形，Vishay 的新型 VLRE31.. 和 VLRK31.. 系列的 SMD LED 采用自顶向下安装方式，并透过 PCB 发光。这些器件采用非扩散透境，该种透境能出色地与光管和背光耦合。
此次 Vishay 推出的新型
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Vishay LED 倒立鸥翼式
- Vishay于5月5日宣布推出新型超高精度Z箔。该电阻采取特殊设计，可增加信号清晰度；当温度范围在 -55°C 至 +125°C （参考温度为+25°C）时，该器件具有 ±0.2 ppm/°C 的超低典型 TCR、在額定功率时 5ppm 的出色PCR（自身散热产生的 ∆R）、0.01% 的绝对容差且电流噪声小于 -40dB。
Vishay 的此款新型音频电阻 (VAR)采用 Vishay 的 Bulk Metal Z 箔技术制成，具有低噪声及低阻抗/
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Vishay 音频电阻
- Vishay Intertechnology, Inc.推出具有38º 宽视角、采用引脚封装的红外发射器，从而扩大了其光电子产品组合。通过其独特设计的镜头，使TSFF5510 具有38º 的视角范围，与标准的 5 mm 发射器相比，可提供更优异的性能。
宽视角、高达 1 A 的功率输出及高速等特点使 TSFF5510 红外发射器非常适合如红外线收费及无线音频传输系统等室外数据传输应用中的红外线音、视频数据传输，这些应用通
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Vishay 发射器
- Vishay推出新型第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列的首款器件。该器件具有破纪录的导通电阻性能和导通电阻与栅极电荷乘积指标。
新型 TrenchFET 第三代 Si7192DP 是一款采用 PowerPAK® SO-8 封装的 N 沟道器件，在 4.5V 栅极驱动电压下具有 2.25 毫欧的最大导通电阻。导通电阻与栅极电荷乘积是 DC-DC 转换器应用中 MOSFET 的关键优值系数(FOM)，Vishay 推出的Si7192DP器件的 FOM 值为 98
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- Vishay Intertechnology宣布推出采用业界标准 Int-A-Pak 封装的新系列半桥绝缘栅双极型晶体管 (IGBT)。该系列由八个 600V 及 1200V 器件组成，这些器件采用多种技术，可在标准及超快速度下实现高开关工作频率。
日前推出的这八款新器件采用可满足各种应用需求的三种不同 IGBT 技术。GA100TS60SFPbF 和GA200HS60S1PbF采用标准穿通 (PT) IGBT 技术，而GA200TS60UPbF、GA75TS120UPbF 及 GA100TS1
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vishay介绍
威世（VISHAY）集团成立于1962年，总部位于美国宾夕法尼亚洲。40多年中威世集团通过科技创新和不断的并购, 迅速发展成为世界上最大的分离式半导体和无源电子器件制造商之一。目前集团已有69个制造基地遍布全球17个国家，其中中国大陆有7家制造业工厂分别坐落于天津、北京、上海、惠州。威世集团被美国财富杂志评为半导体领域“2004、2005年度全美最让人钦佩的公司”。其产品被广泛地应用于工业、计算机 [
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