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Vishay推出新型第三代TrenchFET功率MOSFET系列的首款器件
- Vishay推出新型第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列的首款器件。该器件具有破纪录的导通电阻性能和导通电阻与栅极电荷乘积指标。 新型 TrenchFET 第三代 Si7192DP 是一款采用 PowerPAK® SO-8 封装的 N 沟道器件，在 4.5V 栅极驱动电压下具有 2.25 毫欧的最大导通电阻。导通电阻与栅极电荷乘积是 DC-DC 转换器应用中 MOSFET 的关键优值系数(FOM)，Vishay 推出的Si7192DP器件的 FOM 值为 98
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Vishay推出采用Int-A-Pak封装具有75A-200A高额定电流的新系列半桥IGBT模块
- Vishay Intertechnology宣布推出采用业界标准 Int-A-Pak 封装的新系列半桥绝缘栅双极型晶体管 (IGBT)。该系列由八个 600V 及 1200V 器件组成，这些器件采用多种技术，可在标准及超快速度下实现高开关工作频率。 日前推出的这八款新器件采用可满足各种应用需求的三种不同 IGBT 技术。GA100TS60SFPbF 和GA200HS60S1PbF采用标准穿通 (PT) IGBT 技术，而GA200TS60UPbF、GA75TS120UPbF 及 GA100TS1
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Vishay推出采用三种标准芯片尺寸的新型铂SMD倒装片温度传感器
- 日前，Vishay推出具有三种标准芯片尺寸 — 0603、0805 及 1206 — 采用先进薄膜技术的新型铂 SMD 倒装片温度传感器。这些器件具有 ≤5s(空中)的较短反应时间以及 -55°C～+155ºC 的温度范围。 由于采用高度受控的铂金属薄膜制造工艺，这些新型 Vishay Beyschlag 倒装片传感器具有 <±0.04% 的出色温度特性稳定性，甚至在长期及宽泛的温度范围内也是如此，这可在汽车电子设备、工业电子设
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Vishay 推出新型四通道、六通道及八通道 EMI 滤波器
- 宾夕法尼亚、MALVERN — 2008 年 2 月 6 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布推出采用超紧凑型 LLPXX13 无铅封装的六款新型四通道、六通道及八通道 EMI 滤波器。 凭借 0.6 毫米的超薄厚度，新型 VEMI 滤波器系列可在面向移动计算、移动通信、消费类、工业及医疗应用的便携式电子设备中节省板面空间，以及提供 ESD 保护。 新型滤波器包括四通道 VEMI45AB-HNH 和VE
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Vishay发布小型超高精度 Z 箔电阻
- 宾夕法尼亚、MALVERN — 2008 年 2 月 8 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布推出小型超高精度 Z202系列 Z 箔电阻，当温度范围在 0°C 至 +60°C 时，该电阻具有 ±0.05 ppm/°C 的典型 TCR、±5 ppm 的 PCR（自身散热产生的 ∆R）（额定功率下）、±0.01% 的容差和 ±0.01% 的
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Vishay 推出首款 Power Metal Strip 电阻
- 宾夕法尼亚、MALVERN — 2008 年 2 月 13 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布推出两款高性能表面贴装 Power Metal Strip® 电阻，这两款电阻是业界率先采用 3921 及 5931 封装尺寸且工作温度范围介于 –65°C～+275°C 的此类器件。 新型 WSLT3921 及WSLT5931器件的专有结构将固体金属铁铬合金电阻元件与低 TC
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威世（VISHAY）集团成立于1962年，总部位于美国宾夕法尼亚洲。40多年中威世集团通过科技创新和不断的并购, 迅速发展成为世界上最大的分离式半导体和无源电子器件制造商之一。目前集团已有69个制造基地遍布全球17个国家，其中中国大陆有7家制造业工厂分别坐落于天津、北京、上海、惠州。威世集团被美国财富杂志评为半导体领域“2004、2005年度全美最让人钦佩的公司”。其产品被广泛地应用于工业、计算机 [ 查看详细 ]
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