今日在深圳举办的中国国际电源展览会上，英飞凌科技宣布推出OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列。全新推出的这个产品系列具备业内领先的导通电阻(RDS(on))和品质因素(FOM, Qg * RDS(on))特性，可在任何负载条件下，降低开关模式电源(SMPS)、电机控制和快速开关D类功放等电源产品的功率损耗并改善其整体能效。
OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列，是交流/直流开关模式电源(譬如面向全球市场的台式机和计算机服务器装备的电源)的同步整流的
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英飞凌 MOSFET OptiMOS SMPS
本文描述了不对称半桥转换器的基本工作原理，并介绍了一种相比普通分立式MOSFET及PWM控制器解决方案具有显著优势的集成式功率开关。此外还阐释了这种专门为软开关转换器而设计的功率开关如何降低设计总成本和元件数目、减小尺寸和重量，同时提高效率、产能和系统可靠性。
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飞兆 SMPS PWM MOSFET PCB版图设计 200906
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出AUIRS2003S 200V IC，适用于低、中、高压汽车应用，包括汽车预电充开关、步进驱动器和DC-DC转换器。
AUIRS2003S符合AEC-Q100标准，是一款坚固耐用、灵活的高速功率MOSFET驱动器，并备有高、低侧参考输出通道，适用于恶劣的汽车环境及引擎罩下的应用。这款输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，可将驱动器跨导降至最低，而浮动通道可在最高200V的高侧配置中驱动一个 N 沟道功率MOSFET。
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IR MOSFET 驱动器IC
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道沟道 HEXFET 功率 MOSFET 。它们针对同步降压转换器和电池保护增强了转换性能，适用于消费和网络领域的计算应用。
新 MOSFET 系列采用了 IR 经过验证的硅技术，可提供基准通态电阻 (RDS(on)) ，并且提高了转换性能。新器件的低传导损耗改善了满载效率及热性能，即使在轻负载条件下，低转换损耗也有助于实现高效率
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IR MOSFET 硅技术
Diodes公司应用的高热效率、超小型DFN封装的双器件组合技术,推出便携式充电设备的开关。
Diodes 亚太区技术市场总监梁后权先生指出，DMS2220LFDB和 DMS2120LFWB把一个20V的P沟道增强模式MOSFET与一个配套二极管组合封装，提供2mm x 2mm DFN2020及3mm x 2mm DFN3020两种封装以供选择。DMP2160UFDB则把两个相同的MOSFET组合封装成DFN2020形式。
与传统便携式应用设计中常用的体积较大的3mm x 3mm封装相
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Diodes MOSFET DFN封装
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 为隔离式DC-DC应用设计人员提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101，具有低达50% 的RDS(ON) 和出色的品质因数 (figure of merits, FOM)，有效提高电源设计的效率。FDMS86101是采用5mm x 6mm MLP Power56 封装的100V MOSFET器件，使用了飞兆半导体先进的PowerTrench® 工艺技术，能够最大限度地减小导通阻抗，同时保持优良的开关性能和稳健性
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Fairchild MOSFET
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出新系列逻辑电平栅极驱动沟道HEXFET功率MOSFET。该器件具有基准通态电阻 (RDS(on)) 和高封装电流额定值，适用于高功率DC电机和电动工具、工业电池及电源应用。
新系列基准MOSFET采用了IR最新的沟道技术，可在4.5V Vgs下实现非常低的RDS(on) ，显著改善了热效率。此外，这些器件具有更高的电流额定值，多余瞬变可以带来更多防护频带，并可减少由
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IR 沟道 MOSFET
Maxim推出具有同步整流的双通道、Quick-PWM降压控制器MAX17031，用于为电池供电系统产生5V/3.3V电源。器件内置100mA线性稳压器，以产生上电或其它低功耗、“常备电路”所需的5V偏置电压。控制器还包含一路低电流(5mA)，“始终开启”的线性稳压器，当笔记本电脑的其它所有调节器关闭时为实时时钟(RTC)供电。MAX17031能够为笔记本电脑、便携式PC及其它便携式设备提供完整的、节省空间的电源方案。
器件采用低边MOSFET
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Maxim MOSFET 控制器
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 为便携应用的设计人员带来具有业界最低RDS(ON) 的20V 2mm x 2mm x 0.55mm 薄型MicroFET MOSFET器件。FDMA6023PZT是采用紧凑、薄型封装的双P沟道MOSFET，能够满足便携设计的严苛要求，采用延长电池寿命的技术，实现更薄、更小的应用。FDMA6023PZT采用超薄的微型引线框架的MicroFET 封装，相比传统的MOSFET，它具有出色的热阻，能提供超卓的功率耗散，并可减少传导损耗。该器件采
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Fairchild MOSFET
前不久，能源之星发布了2.0版外部电源能效规范。新规范大幅提高了工作频率要求，同时进一步降低待机功耗要求。例如，为了满足新规范，2.5W（5V，0.5A）外部电源的最低效率必须达到72.3%，新规范要求空载功耗应低于300mW，这些都比目前使用的规范有了大幅提高。不仅是外部电源，很多手持式产品及家电产品，同样面临着低功耗的考验。以手机为例，随着智能手机的功能越来越多，低功耗设计已经成为一个越来越迫切的问题。
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MOSFET 节能
Diodes 公司推出有源OR'ing控制器芯片ZXGD3102，使共享式电源系统的设计人员能以高效MOSFET取代散热阻流二极管，从而在对正常运行时间要求苛刻的电信、服务器及大型机应用中，实现更低温度的运行、更少的维护和更可靠的操作。
Diodes 亚太区技术市场总监梁后权表示，传统上用于电源故障保护的肖特基阻流二极管的热耗散很高，这与其很强的0. 5V 正向压降有直接关系。如果用典型正向电压低于100mV的导通电阻较低的MOSFET替代二极管，功耗将明显减少。ZXGD3102正是为了控
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Diodes MOSFET
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 为设计人员提供一系列能够提升汽车应用功耗、噪声免疫能力和瞬态电压性能的栅极驱动器FAN7080x系列，让工程师开发出在所有操作条件下更准确、精密的燃油喷射控制系统，从而提高燃油效率。这些栅极驱动器在高边和桥驱动器应用中驱动 MOSFET 和 IGBT，如直接燃油喷射系统和电机控制。与市场上同类器件相比，它们的静态功耗减少一半以上 (静态电流100µA对比240µA)，容许设计人员优化系统和扩大工作范围。这些产品
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Fairchild 栅极驱动器 MOSFET IGBT
尽管一直高于全球的发展速度，中国电源管理半导体市场在经历了多年的快速增长之后，正不断放缓步伐，特别是在去年被金融海啸波及之后。但是，随着国家政策刺激拉动整机设备制造保持增长，今后两年中国的市场需求整体也将继续较快增长，预计增长幅度将与金融海啸最肆虐的2008年持平甚至略高。
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电源管理 节能 IGBT MOSFET 数字电源 稳压器 200903
许多电子设计应用要求的激励源幅度超出了当前市场上大多数任意波形/函数发生器的能力，包括电源半导体应用，如汽车电子系统和开关电源中广泛使用的MOSFETs和IGBTs，气相色谱和质谱检测器使用的放大器，以及科学和工业应用中使用的其它设备。本文描述了使用外部放大器生成高幅度信号的传统方法，然后讨论了典型应用，说明了使用集成高幅度阶段的新型任意波形/ 函数发生器的各种优势。
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泰克 MOSFET IGBT 200903
电动工具由于其设计轻巧、动力强劲、使用方便等优点，在各种场合得到了广泛的应用。电动工具一般采用直流有刷电机配合电子无级调速电路实现，具有起动灵敏并可正反调速等功能，如手电钻、电动起子等。无级调速电路一
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系统 可靠性 电动工具 提高 MOSFET 选择
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