D类放大器的应用范围非常广泛，随着技术的成熟，目前已进入大规模普及阶段。针对其在器件成本、EMI等方面的问题，业内企业也提出了多种解决方案。
D类放大器技术是三四年前被业内热议的新技术，目前它已进入大规模普及阶段。业界正在积极解决应用普及过程中的问题，如EMI(电磁干扰)、成本和效率等。与此同时，集成技术也是一个不容忽视的趋势。
转入大规模普及阶段
三四年前，D类放大器在业界掀起了一个新技术的小高潮。D类放大器采用脉冲调制方式将输入信号转换为数字脉冲，由MOSFET进行放大，再通过低
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ADI D类放大器 MOSFET EMI
上网本是笔记本电脑的派生产品，目前上网本的功率需求与笔记本电脑相似。由于需要使用多单元锂离子电池，因而需要具有宽输入电压范围的降压转换器来驱动内核、存储器、外设或通用系统组件。另外也可选择使用低压降(LDO)调节器。
大多数MID和智能手机使用各种功率管理单元(PMU)来实现功率管理，而这源于它们的低功耗需求。过去一年来，上网本市场经历了前所未有的增长，供应商正在积极开发用于上网本的集成式电源解决方案，2008年大多数上网本电脑电源采用了分立式解决方案，然而今年我们预计将转向包含有控制器+MOS
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上网本 PMU MOSFET
上网本的电源管理分为以下几部分：电源适配器、电池充电和管理、CPU供电、系统供电、I/O和显卡供电、显示背光供电、DDR存储器供电。MPS针对上网本对电源小型化和轻载高效的要求，发展了拥有自主知识产权的一系列电路控制策略、半导体集成工艺以及封装技术。
MPS的DC/DC变换器，将电源控制器、驱动和MOSFET完全集成在一个芯片中。和大多数竞争对手所采用的多芯片封装不同，MPS是将这些部分完全集成在一个硅片上，这极大地降低了传统分立元件所带来的寄生参数影响，从而提高变换器的效率和开关频率，减小电容
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MPS 电源管理 MOSFET 上网本
英飞凌科技股份公司在功率电子半导体分立器件和模块领域连续第六年稳居全球第一的宝座。据IMS Research公司2009年发布的《功率半导体分立器件和模块全球市场》报告称，2008年，此类器件的全球市场增长了1.5%，增至139.6亿美元(2007年为137.6亿美元)，而英飞凌的增长率高达7.8%。现在，英飞凌在该市场上占据了10.2%的份额，其最接近的竞争对手份额为6.8%。在欧洲、中东和非洲地区以及美洲，英飞凌也继续独占鳌头，分别占据了22.8%和11.2%的市场份额。
随着汽车、消费和工
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英飞凌 IGBT MOSFET
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET，为开关模式电源 (SMPS) 、不断电系统 (UPS)、反相器和DC马达驱动器等工业应用提供极低的闸电荷 (Qg)。
与其它竞争器件相比，IR 150V MOSFET提供的总闸电荷降低了高达59%。至于新款200V MOSFET的闸电荷，则比竞争器件的降低了多达33%。
IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“随着DC-DC功率转换应用技术的日
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IR MOSFET SMPS UPS 反相器 DC马达驱动器
Diodes 公司进一步扩展其多元化的MOSFET 产品系列，推出15款针对 LCD 电视和显示器背光应用的新型器件。新器件采用业界标准的TO252和SO8 封装，具有高功率处理和快速开关功能，可满足高效CCFL驱动器架构的要求。
Diodes 亚太区技术市场总监梁后权表示：“30V 额定双N沟道DMN3024LSD 采用SO8 封装，适用于推挽式逆变器，可比分立式元件节省更多的空间。对于需要一对互补器件的全桥和半桥拓扑，DMC3028LSD 可提供集成的高性能N 和 P 沟道 MO
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Diodes MOSFET LCD背光 CCFL驱动器
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出IRF6718 DirectFET MOSFET。这款新型25V器件提供业界最低的通态电阻 (RDS(on))，并且使动态ORing、热插拔及电子保险丝等DC开关应用达到最佳效果。
IRF6718在新款大罐式DirectFET封装中融入了IR新一代硅技术，提供极低的通态电阻(在10V Vgs时典型为0.5mΩ)，同时比D2PAK的占位面积缩小60%，高度缩小85%。新器件大幅减少了有关旁路元件的传导
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IR MOSFET DirectFET
飞兆半导体公司 (Farichild Semiconductor)为智能电话、手机、上网本、医疗和其它便携式应用的设计人员带来一款单一P沟道MOSFET器件FDZ197PZ，能够实现更高的效率水平和更小的外形尺寸。FDZ197PZ在VGS= 4.5V时提供64mOhm之RDS(ON) 值，较同类解决方案低15%，且占位面积仅为1mm x 1.5 mm，在提高效率之余，同时减少了电路板空间需求。该器件采用WL-CSP封装，比占位面积相似的传统塑料封装MOSFET具有更佳功耗和传导损耗特性。FDZ197P
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Farichild MOSFET FDZ197PZ ESD
意法半导体(纽约证券交易所代码：STM)公布截至2009年6月27日的第二季度及上半年的财务报告。
意法半导体2009年第2季度收入总计19.93亿美元，包含被ST-Ericsson合并的前爱立信移动平台的全部业务，和1800万美元的技术授权费。净收入环比增幅20%，反映了意法半导体所在的所有市场以及全部地区的需求回暖，特别是中国和亚太地区的需求增长强劲。因为商业大环境的原因，在所有市场以及各地区第2季度的净收入低于去年同期水平，但电信市场和亚太地区的表现则例外。
总裁兼首席执行官 Car
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ST MOSFET MEMS GPS 无线宽带
通用测试
电容-电压(C-V)测试广泛用于测量半导体参数，尤其是MOSCAP和MOSFET结构。此外，利用C-V测量还可以对其他类型的半导体器件和工艺进行特征分析，包括双极结型晶体管(BJT)、JFET、III-V族化合物器件、光伏电池、MEMS器件、有机TFT显示器、光电二极管、碳纳米管(CNT)和多种其他半导体器件。
这类测量的基本特征非常适用于各种应用和培训。大学的研究实验室和半导体厂商利用这类测量评测新材料、新工艺、新器件和新电路。C-V测量对于产品和良率增强工程师也是极其重要的，
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吉时利 C-V测试 半导体 MOSFET MOSCAP
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出低静态电流、两相双路输出同步降压型 DC/DC 控制器 LTC3858/-1。该器件在一个输出有效时仅消耗 170uA 电流，而两个输出都有效时消耗 300uA。两个输出都关断时，LTC3858/-1 仅消耗 8uA，非常适用于汽车和笔记本电脑应用。LTC3858/-1 的 4V 至 38V 宽输入电源范围能够针对负载突降和冷车发动情况所常见的汽车宽输入电压瞬变提供保护作用，并涵盖多种电池化学组成。输出电流高达 20A
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Linear MOSFET 控制器
恩智浦半导体(NXP Semiconductors，由飞利浦创立的独立半导体公司)今日宣布推出全球首款N通道、1毫欧以下25V MOSFET产品，型号为PSMN1R2-25YL，它拥有最低的导通电阻RDSon以及一流的FOM 参数。该产品是迄今为止采用Power-SO8封装(无损耗封装：LFPAK)中拥有最低导通电阻RDSon的MOSFET，也是恩智浦现有MOSFET系列的延伸。最新一代MOSFET器件集高性能Power-S08 LFPAK封装与最新Trench 6硅技术于一体，可在各种严苛应用条件下
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NXP MOSFET PSMN1R2-25YL Power-SO8
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 为设计人员带来业界领先的双MOSFET解决方案FDMC8200，可为笔记本电脑、上网本、服务器、电信和其它 DC-DC 设计提供更高的效率和功率密度。该器件在3mm x 3mm MLP模块中集成了经优化的控制 (高侧) 和同步 (低侧) 30V N沟道MOSFET，二者均使用的专用先进高性能PowerTrench® 7 MOSFET技术，提供出色的低RDS(ON)、总体栅极电荷(QG)和米勒电荷 (QGD)，这些性能最大限度地
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Fairchild MOSFET PowerTrench FDMC8200
Diodes公司推出新型ZXMC10A816器件，它采用SO8封装，包含一对互补100V增强式MOSFET，性能可媲美体积更大的独立封装器件。ZXMC10A816适用于H桥电路，应用范围包括直流风扇和逆变器电路、D类放大器输出级以及其他多种48V应用。
Diodes 亚太区技术市场总监梁后权指出：“这个N通道和P通道组合的MOSFET能够代替采用SOT223及DPak (TO252) 封装的同等器件，有助减省电路板空间及元件数目，同时简化栅极驱动电路设计。比方说，SO8充分发挥了
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Diodes MOSFET ZXMC10A816
Diodes 公司推出四款半桥MOSFET 封装，为空间受限的应用减少了元件数量和PCB尺寸，极大地简化了直流风扇和 CCFL 逆变器电路设计。
Diodes 亚太区技术市场总监梁后权指出：“ZXMHC 元件为SO8封装，包含两对互补N型和P型MOSFET，可取代四个分立式SOT23封装的MOSFET或两个SO8 互补MOSFET 封装。对于现有不同类型的电机或其它感性负载驱动装置来说，这意味着可节省至少一半的PCB占板面积，同时大幅降低整体存货成本。”
ZXM
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Diodes MOSFET 半桥器件 ZXMHC SO8
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