- 2008年5月26日,瑞萨科技公司（Renesas Technology Corp.）今天宣布，推出和高频功MOSFET，以实现业界最高功效级别*1 和IEC61000-4-2的4级ESD标准*2 的高可靠性。这些器件适用于手持式无线设备发射器的功率放大器。
这两种产品可以放大转换为高频的音频信号，以发射规定的输出功率，并将该功率传送给天线。1 W输出的RQA0010的将从2008年8月开始在日本提供样品，0.25 W输出的RQA0014样品将于9月开始提供。
这两种产品具有以下特点。
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瑞萨科技 MOSFET 无线设备 发射器 功率放大器
- 环境污染、温室效应、不可再生能源日趋枯竭……这些日益威胁人类生存的难题已经使全球有识之士认识到节能减排提高能效是未来科学技术活动一项长期的任务。正如英飞凌科技奥地利有限公司全球开关电源高级市场经理Thomas Schmidt所言：“能效不仅是个时髦词汇，更是一个全球挑战！”如何应对这项挑战？各个半导体纷纷从半导体器件入手，帮助系统公司提升电源效率，这方面，英飞凌近年来动作频频，近日，英飞凌公司高调发布其最新的OptiMOS 3系列低压MOSFET，并
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英飞凌 半导体 OptiMOS MOSFET 导通电阻 CanPAK封装 DirectFET封装 电源管理
- 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) ，推出专为笔记本电脑、服务器CPU电源、图形，以及记忆体稳压器应用的同步降压转换器设计而优化的全新30V DirectFET MOSFET系列。
新器件系列结合IR最新的30V HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装技术，比标准SO-8器件的占位面积小40%，而且采用了0.7mm纤薄设计。新一代30V器件的导通电阻 (
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IR 同步降压 转换器 MOSFET
- Zetex Semiconductors（捷特科）推出一款驱动MOSFET的专用整流器控制器，从而使 50 至 150W 的同步反激式转换器成为完美的二极管。ZXGD3101 可使设计人员以表面贴装 MOSFET 取代有损耗的肖特基二极管，以实现更高的效率、更少的发热量，缩小电源尺寸和重量，同时简化整体电路设计。
ZXGD3101 有“零点检测器驱动器”之称，能准确检测达到零点
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Zetex 捷特科 MOSFET 整流器 控制器
- 2008年5月27日，国际整流器公司 (International Rectifier) 推出专为笔记本电脑、服务器CPU电源、图形，以及记忆体稳压器应用的同步降压转换器设计而优化的全新30V DirectFET MOSFET系列。
新器件系列结合IR最新的30V HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装技术，比标准SO-8器件的占位面积小40%，而且采用了0.7mm纤薄设计。新一代30V器
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国际整流器 同步降压转换器 MOSFET
- 车上所使用的灯泡到继电器、从LED显示照明到起动马达，许多组件的多元应用，不仅提供了各式各样的高负载性、低成本效益的解决方案，另外也必须兼具注重安全性汽车所要求的通讯及诊断能力。因此，为了增加车上电子系统的可靠性及耐久性，除了降低维修成本之外，设计人员在功率器件中加入故障保护电路，才能避免组件发生故障，降低电子系统所造成损害。
另外，在一般汽车行驶的情况下，一旦出现了车上的组件出现故障状况，将导致汽车上的电路系统发生短路，或电源无法供电。在远程传感器中采用车用金属氧化半导体场效晶体管（Metal
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MOSFET 安全系统
- MOSFET的开关轨迹线是判断MOSFET开关过程“软硬”程度的重要评估指标，MOSFET的软硬程度对于开关电源的性...
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MOSFET 损耗 开关 动态 截至 饱和
- Intersil公司宣布推出高频 6A 吸入电流同步（sink synchronous） MOSFET 栅极驱动器 ISL6615 和 ISL6615A 。这些新器件有助于为系统安全提供更高的效率、灵活性和更多的保护功能。
Intersil 公司此次推出的新型驱动器增加了栅极驱动电流（ UGATE 的流出和吸入栅极驱动电流为 4A ，LGATE 的吸入和流出电流则分别为 6A 和 4A ），可以缩短栅极电压上升、下降时间。这将最大限度地降低开关损耗并改善效率，尤其是在每相并联功率MOSFET 的
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Intersil MOSFET 驱动器 栅极驱动电流
- 大功率线性射频放大器模块广泛应用于电子对抗、雷达、探测等重要的通讯系统中，其宽频带、大功率的产生技术是无线电子通讯系统中的一项非常关键的技术。随着现代无线通讯技术的发展，宽频带大功率技术、宽频带跳频、扩频技术对固态线性功率放大器设计提出了更高的要求，即射频功率放大器频率宽带化、输出功率更大化、整体设备模块化。
通常情况下，在HF~VHF频段设计的宽带射频功放，采用场效应管(FET)设计要比使用常规功率晶体管设计方便简单，正是基于场效应管输入阻抗比较高，且输入阻抗相对频率的变化不会有太大的偏差，易
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放大器 宽带射频 MOSFET
- Zetex Semiconductors (捷特科) 推出全新ZXGD3000双极栅极驱动器系列，用于开关电源和电机驱动器中的MOSFET及IGBT。低成本的ZXGD3000系列能灌入高达9A的电流，栅极电容的充、放电速度比栅极驱动器IC更快，有助于加快开关时间，提高电路效率。
该系列包含4款高速非反向栅极驱动器，电源电压范围为12V至40V。其快速开关射极跟随器配置，实现了小于2ns的传播延迟和大约10ns的上升/下降时间，有效改善了对MOSFET开关性能的控制。ZXGD3000还能防止锁定，
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Zetex ZXGD3000 MOSFET IGBT
- 电子系统常常要求其输入电路或输出电路必须与主控回路的进行隔离,比如在医疗产品中，基于安全性考虑，连接到病人身上的输入传感器或激励源必须与后级处理电路隔离,当然需要隔离的应用场合还很多，如采集爆炸现场参数的电路同样需要与后级完全隔离，等等。
在这些应用中,通常需要采集被隔离电路的数字线上的一些状态参数, 传统的办法是采用光耦得以实现.然而采用光耦有许多局限性:首先,它要消耗隔离端电路许多电流,其次转换时间长(或动态响应慢)，再者,随着光发射器老化，其光电转换增益将随时间减小。
采用图1所示电
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Maxim MOSFET RC DATA_IN
- AB类输出级精度不高可能有下列几个原因：
·栅极阈值电压变化与VGS温度系数变化引起的MOSFET与双极管间相对温度系数的失配。
·输出器件与检测器件间耦合的延迟与衰减。
·驱动器工作在不同的温度。
·调整单个放大器偏压时存在误差。
·老化引起的阈值电压长期漂移。
鉴于上述原因，自然想用控制环来替代VBE放大器，前者基于偏置电流本身的反馈；而后者只是一种误差反馈。新设计由下列三部分构成；偏置电流检
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MOSFET 自偏压电路
- 对于电路需要 3.3V 及更低电压的应用，负载点 (POL) 转换器已发展成为面向这些应用的广受欢迎的解决方案。对此类电压水平的需求源自对更低内核电压的要求，这样即使功率保持相同, 对这些转换器的电流要求将会很明显地增加。
自引入 POL 理念以来已建议并使用了许多不同的配置，当前尚没有将高压(例如 48V)逐步降低到 0.9V 低压的确定策略。过去使用传统分布式功率架构 (DPAs) 从单个“前端转换器”(图1)提供所有所需的电压水平。在固定电信应用中，48V 的输
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POL MOSFET
- 恩智浦半导体（NXP Semiconductors）发布了全新的小信号MOSFET器件系列，新产品采用了全球最小封装之一的SOT883进行封装。恩智浦SOT883 MOSFET面积超小，仅为1.0 x 0.6毫米，与SOT23相比，功耗和性能不相上下，却只需占据14%的印刷电路板空间。SOT883 MOSFET针对众多应用而设计，包括DC/DC电源转换器模块、液晶电视电源以及手机和其他便携设备的负载开关。SOT883 MOSFET具有超小的面积、0.5毫米的超薄厚度、最佳的开关速度和非常低的Rds(on)
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MOSFET
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