应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体扩充公司市场领先的功率开关产品阵容，推出包括500伏特(V)和600 V器件的高压功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)系列。这些新方案的设计适合功率因数校正(PFC)和脉宽调制(PWM)段等高压、节能应用的强固要求，在这些应用中，加快导通时间及降低动态功率损耗至关重要。具体而言，这些方案非常适合用于游戏机、打印机和笔记本电源适配器，及应用于ATX电源、液晶显示器(LCD)面板电源和工业照明镇流器。
这些新的500 V和60
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安森美 MOSFET 功率开关
恩智浦半导体(NXP Semiconductors)今天宣布推出全新60 V和100 V晶体管，扩充Trench 6 MOSFET产品线。新产品采用Power SO-8LFPAK封装，支持60 V和100 V两种工作电压。Trench 6芯片技术和高性能LFPAK封装工艺的整合赋予新产品出色的性能和可靠性，为客户提供众多实用价值。
LFPAK是一种“真正”意义上的功率封装，通过优化设计实现最佳热/电性能、成本优势和可靠性。LFPAK是汽车行业标准AEC-Q101唯一认可的
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NXP 晶体管 MOSFET
1对于理想开关的需求功率 MOSFET 可作为高频率脉冲宽度调变 (PWM) 应用中的电气开关，例如稳压器及/或控制电源应用之中负载电流的开关。作为负载开关使用时，由于切换时间通常较长，因此装置的成本、尺寸及导通电阻
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NexFETTM MOSFET
在电源系统中，MOSFET驱动器一般仅用于将PWM控制IC的输出信号转换为高速的大电流信号，以便以最快的速度打开和关闭MOSFET。由于驱动器IC与MOSFET的位置相邻，所以就需要增加智能保护功能以增强电源的可靠性。 UC
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MOSFET 驱动器 数字控制电源 性能
应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体扩充N沟道功率MOSFET系列，新增12款100伏(V)器件。安森美半导体经过完备测试的N沟道功率MOSFET提供高达500毫焦(mJ)的业界领先雪崩额定值，非常适用于要顾虑因非钳位电感型负载引致过渡电压应力的设计。
安森美半导体这些100 V功率MOSFET器件的典型应用包括工业电机控制、电源、不间断电源(UPS)中的电源逆变器，以及汽车中的直接燃气喷射(DGI)。这些无铅器件，符合RoHS指令，关键的规范特性包括：
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安森美 MOSFET
电脑的麦克风电路The sound card for a PC generally has a microphone input, speaker output and sometimes line inputs and outputs. The mic input is designed for dynamic microphones only in impedance rang
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电路 耳机 功放 JFET-MOSFET 以及 麦克风 电脑
Maxim推出用于高压系统的高边MOSFET驱动器MAX15054。该器件能够为需要采用降压或升降压拓扑结构、但不带必需的高边MOSFET驱动器的HB (高亮度) LED设计提供低成本方案。MAX15054在单串和多串LED驱动器中通过使用降压以及单电感升降压拓扑结构，并将地电位作为输出电压的参考点，从而使设计人员避免了采用SEPIC结构带来的成本和设计复杂度。
MAX15054可提供2A驱动电流，具有极低(12ns，典型值)的传输延时和较短的上升、下降时间。器件的双UVLO (欠压锁定)功能保
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Maxim 驱动器 MOSFET MAX15054
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驱动器 LTC4449，该器件为在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端 N 沟道功率 MOSFET 而设计。这个驱动器结合凌力尔特公司的 DC/DC 控制器和功率 FET 可形成一个完整的高效率同步稳压器，该稳压器可用作降压型或升压型 DC/DC 转换器。
LTC4449 在 4V 至 6.5V 范围内驱动高端和低端 MOSFET 栅极，以高达 38V 的电源电压工作。这个强大的驱动器可以吸收
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Linear MOSFET 驱动器 LTC4449
RS Components于今日宣布，增加飞兆半导体900种新装置，飞兆是全球领先节能半导体技术供应商。RS目前拥有最先进、最全面的飞兆电源产品系列，均可从库存直接发货至广大设计工程师。
新添加的电源IC家族包括飞兆获得大奖的直流直流控制器，融合了领先行业的便携式装置高功率、高性能、功率密度和规格等特点。RS推出的飞兆系列也包括Intellimax™负荷开关和MOSFET、高性能光耦合器、二极管、IGBT、逻辑及接口产品。
飞兆的FAN2XXX和FAN5XXX直流直流控制器家族
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RS 电源 IGBT MOSFET Intellimax
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 今天推出适用于汽车的 AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 DirectFET®2 功率 MOSFET。这两款产品以坚固可靠、符合AEC-Q101标准的封装为汽车应用实现了卓越的功率密度、双面冷却和极小的寄生电感和电阻。
IR 的这些首款汽车用 DirecFET2 件完全不含铅，与传统标准塑料封装元件相比，可降低整体系统级尺寸和成本，实现更优异的性能和效率。
IR 亚洲区销售副总裁潘大伟
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IR MOSFET AUIRF7739L2 AUIRF7665S2 DirectFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，将其Super Junction FET®技术延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封装。
新的SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK
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Vishay MOSFET FET
英飞凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，进一步扩大OptiMOSTM产品阵容。全新200V和250V器件适用于48V系统、DC/DC变换器、不间断电源(UPS)和直流电机驱动。凭借同类器件中最低的优质化系数(FOM)，OptiMOS 200V和250V技术可使系统设计的导通损耗降低一半。
对于应用二极管整流的48V开关电源而言，工程师们现在有了全新的选择，从而使得整体效率大于95%。这比当前典型的效率水平高出两个百分点，从功率损耗的角度看，也就是发热量降
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英飞凌 MOSFET OptiMOS
日前，德州仪器 (TI) 宣布面向高电流 DC/DC 应用推出业界第一个通过封装顶部散热的标准尺寸功率 MOSFET 产品系列。相对其它标准尺寸封装的产品，DualCool™ NexFET™ 功率 MOSFET 有助于缩小终端设备的尺寸，同时还可将MOSFET允许的电流提高 50%，并改进散热管理。
该系列包含的 5 款 NexFET 器件支持计算机与电信系统设计人员使用具有扩充内存及更高电流的处理器，同时显著节省板级空间。这些采用高级封装的 MOSFET 可广泛用于各种
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TI MOSFET
台晶圆代工厂产能供应失序情形，近期已逐渐从8寸晶圆向下蔓延到5寸及6寸晶圆，包括LCD驱动IC及电源管理IC纷向下抢夺5寸、6寸晶圆产能动作，让许久未传出缺货的金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)亦出现客户一直紧急追单，MOSFET市场明显供不应求现象，对台系相关供应商如富鼎、尼克森及茂达2010年第1季营收表现，将有显著贡献。
台系MOSFET供应商指出，近期合作的5寸、6寸晶圆厂内部产能利用率直线拉升，影响所及，尽管公司紧急向晶圆厂加单，不过，由于加单动作明显落后其它业者，未来3个月可
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晶圆代工 电源管理 MOSFET
日前，德州仪器 (TI) 宣布面向高电流 DC/DC 应用推出业界第一个通过封装顶部散热的标准尺寸功率 MOSFET 产品系列。相对其它标准尺寸封装的产品，DualCool™ NexFET™ 功率 MOSFET 有助于缩小终端设备的尺寸，同时还可将MOSFET允许的电流提高 50%，并改进散热管理。
该系列包含的 5 款 NexFET 器件支持计算机与电信系统设计人员使用具有扩充内存及更高电流的处理器，同时显著节省板级空间。这些采用高级封装的 MOSFET 可广泛用于
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TI MOSFET DualCool NexFET
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