电力电子器件的发展历史大致可以分为三个大阶段：硅晶闸管（可控硅）、IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和刚显露头角的碳化硅（SiC）系列大功率半导体器件。碳化硅属于第三代半导体材料，与普通的硅材料相比，碳化硅的优势非常突出，它不仅克服了普通硅材料的某些缺点，在功耗上也有非常好的表现，因而成为电力电子领域目前最具前景的半导体材料。正因为如此，已经有越来越多的半导体企业开始进入SiC市场。到2023年，SiC功率半导体市场预计将达到15亿美元。SiC器件的供应商包括Fuji、英飞凌、Littelfuse、三菱、安森
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碳化硅、SiC、功率器件、电动汽车
近日，英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）进一步扩展其碳化硅（SiC）产品组合，推出650V器件。其全新发布的CoolSiC™ MOSFET满足了包括服务器、电信和工业SMPS、太阳能系统、能源存储和电池化成、不间断电源（UPS）、电机控制和驱动以及电动汽车充电在内的大量应用与日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求。“随着新产品的发布，英飞凌完善了其600V/650V细分领域的硅基、碳化硅以及氮化镓功率半导体产品组合，”英飞凌电源管理及多元化市场事业部高压转换业务高级总监St
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SiC MOSFET
在本文中，我们将调查电动车牵引逆变器采用 SiC 技术的优势。我们将展示在各种负荷条件下逆变器的能效是如何提升的，包括从轻负荷到满负荷。使用较高的运行电压与高效的 1200V SiC FET 可以帮助降低铜损。还可以提高逆变器开关频率，以对电机绕组输出更理想的正弦曲线波形和降低电机内的铁损。预计在所有这些因素的影响下，纯电动车的单次充电行驶里程将提高 5-10%，同时，降低的损耗还能简化冷却问题。简介近期的新闻表明，纯电动车 (BEV) 的数量增加得比之前的预期要快。这促使汽车制造商（包括现有制
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SiC BEV 牵引逆变器
近日，ERNI推出iBridge Ultra连接器系列的全新型款，这为已经很广泛的线对板解决方案新增了其他连接器。这些2.0mm间距连接器经设计提供紧凑和可靠的连接，可承受强烈的振动，适合在恶劣环境中使用。其中的关键功能包括端子位置保证(TPA)，用于在母连接器外壳中为压接触点提供辅助锁定。除了公连接器部件的定位销之外，这个辅助锁定功能还可以特别增强连接的抗强振动能力，比如汽车应用中发生的强振动。iBridge Ultra已根据汽车行业的USCAR-2和USCAR-21要求进行了测试，此外，这款牢固且紧凑
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ERNI iBridge Ultra
近日，全球知名半导体制造商罗姆和意法半导体（以下简称“ST”）宣布，双方就碳化硅（以下简称“SiC”）晶圆由罗姆集团旗下的SiCrystal GmbH （以下简称“SiCrystal”）供应事宜达成长期供货协议。在SiC功率元器件快速发展及其需求高速增长的大背景下，双方达成超1.2亿美元的协议，由SiCrystal（SiC晶圆生产量欧洲第一）向ST（面向众多电子设备提供半导体的全球性半导体制造商）供应先进的150mm SiC晶圆。ST 总经理 兼 首席执行官（CEO） Jean-Marc Chery 说：
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SiC 车载
简介电动汽车、可再生能源和储能系统等电源发展技术的成功取决于电力转换方案能否有效实施。电力电子转换器的核心包含专用半导体器件和通过栅极驱动器控制这些新型半导体器件开和关的策略。目前最先进的宽带器件，如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)半导体具有更高的性能，如600 V至2000 V的高电压额定值、低通道阻抗，以及高达MHz范围的快速切换速度。这些提高了栅极驱动器的性能要求，例如，，通过去饱和以得到更短的传输延迟和改进的短路保护。本应用笔记展示了ADuM4136 栅极驱动器的优势，这款单通道器件的输出驱动能
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DC/DC SiC
各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID近日宣布：在湖南株洲举行的中国IGBT技术创新与产业联盟第五届国际学术论坛上，公司与湖南国芯半导体科技有限公司（简称“国芯科技”）签署了战略合作协议，将携手开展宽禁带功率技术的研究开发，充分发挥其耐高温、耐高压、高能量密度、高效率等优势，并推动其在众多领域实现广泛应用。近年来，宽禁带半导体功率器件（如碳化硅SiC和氮化镓GaN等）凭借多方面的性能优势，在航空航天、电力传输、轨道交通、新能源汽车、智能家电、通信等领域开始逐渐取代传统硅器件。然而，在各类应用中
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IGBT SiC GaN
商用硅基功率MOSFET已有近40年的历史，自问世以来，MOSFET和IGBT一直是开关电源的主要功率处理控制组件，被广泛用于电源、电机驱动等电路设计。不过，这一成功也让MOSFET和IGBT体会到因成功反而受其害的含义。随着产品整体性能的改善，特别是导通电阻和开关损耗的大幅降低，这些半导体开关的应用范围越来越广。结果，市场对这些硅基MOSFET和IGBT的期望越来越高，对性能的要求越来越高。尽管主要的半导体研发机构和厂商下大力气满足市场要求，进一步改进MOSFET/ IGBT产品，但在某些时候，收益递减
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SiC MOSFET 意法半导体
近日，意法半导体（ST）在华举办了“ST工业巡演2019”。在北京站，ST亚太区功率分立和模拟产品器件部区域营销和应用副总裁Francesco Muggeri分析了工业市场的特点，并介绍了ST的产品线宽泛且通用性强，能够提供完整系统的支持。1 芯片厂商如何应对工业市场少量多样的挑战工业领域呈现多样、少量的特点，需要改变消费类电子大规模生产的模式，实现少量、高质量的生产。具体地，工业的一大挑战是应用的多样化，即一个大应用下面通常有很多小的子应用，所以产品会非标准化，即一个产品只能针对某一类小应用/小客户的需
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电机 MCU 电源 SiC
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都），开发出6款沟槽栅结构※1）SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”产品（650V／1200V耐压），非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车的充电站等。此次新开发的系列产品采用4引脚封装（TO-247-4L），可充分地发挥出SiC MOSFET本身的高速开关性能。与以往3引脚封装（TO-247N）相比，开关损耗可降低约35％，非常有助于进一步降低各种设备的功耗。另外，罗姆也已开始供应SiC MOSFET评估板“P02SCT304
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SiC MOSFET
近日，科锐宣布与德尔福科技（Delphi Technologies PLC）开展汽车碳化硅（SiC）器件合作。
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科锐 德尔福科技 SiC
王 莹 （《电子产品世界》编辑，北京 100036） SiC(碳化硅)作为第三代半导体，以耐高压、高温和高频，在高性能功率半导体上显出优势。据SiC厂商罗姆基于IHS的调查显示，2025年整个市场规模将达到约23亿美元。在应用中，在光伏和服务器市场最大，正处于发展中的市场是xEV（电动与混动汽车）。随着SiC产品特性越做越好，在需要更高电压的铁路和风电上将会得到更多的应用。 不过，制约SiC发展的关键是价格，主要原因有两个：衬底和晶圆尺寸。例如晶圆尺寸越大，成本也会相应地下降，罗姆等公司已经有6英
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201909 新一代功率半导体 SiC
SiC(碳化硅)作为第三代半导体，以耐高压、高温和高频，在高性能功率半导体上显出优势。在应用中，在光伏和服务器市场最大，正处于发展中的市场是xEV（电动与混动汽车）。随着SiC产品特性越做越好，在需要更高电压的铁路和风电上将会得到更多的应用。 不过，制约SiC发展的，最主要的是价格，主要原因有两个，一个是衬底，一个是晶圆尺寸所限。例如晶圆尺寸越大，成本也会相应地下降，ROHM等公司已经有6英寸的晶圆片。在技术方面，众厂商竞争
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SiC MOSFET
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)面向车载充电器和DC/DC转换器※1)又推出SiC
MOSFET※3)“SCT3xxxxxHR系列”共10个机型，该系列产品支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101※2)，而且产品阵容丰富，拥有13个机型。 ROHM于2010年在全球率先成功实现SiC
MOSFET的量产，在SiC功率元器件领域，ROHM始终在推动领先的产品开发和量产体制构建。在需求不断扩大的车载市场，ROHM也及时确立车载品质，并于2012年开始供应车载充电器用的SiC肖特
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ROHM SiC MOSFET
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