通过减薄SiC二极管的基片厚度来减小导通电阻的研发日趋活跃。这一趋势在耐压1.2kV以下的低中耐压产品中最为突出。其背景在于，越是低耐压产品，基片上层积的漂移层就越薄，因此在SiC二极管的导通电阻中，基片的电阻成分所占比例就越大。
目前，SiC基片的厚度以350μm为主流，超薄产品也要达到230μm左右。为了进一步减薄厚度，许多大型SiC功率元件厂商都在致力于相关研发。
比如，罗姆通过研磨等工序将SiC基片减薄至50μm，并用其试制出了耐压700V的SiC肖特基势垒二极管
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三菱电机 SiC
通过减薄SiC二极管的基片厚度来减小导通电阻的研发日趋活跃。这一趋势在耐压1.2kV以下的低中耐压产品中最为突出。其背景在于，越是低耐压产品，基片上层积的漂移层就越薄，因此在SiC二极管的导通电阻中，基片的电阻成分所占比例就越大。
目前，SiC基片的厚度以350μm为主流，超薄产品也要达到230μm左右。为了进一步减薄厚度，许多大型SiC功率元件厂商都在致力于相关研发。
比如，罗姆通过研磨等工序将SiC基片减薄至50μm，并用其试制出了耐压700V的SiC肖特基势垒二极管
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SiC 二极管
新日本无线的这款新MUSES音频系列产品 MUSES7001 是采用了粗铜线丝焊方式的音频碳化硅肖特基二极管(SiC-SBD:Silicon Carbide-Schottky Barrier Diode)，粗铜线有利于降低损耗提高效率，SiC-SBD专长于高速开关动作，再加上注重最佳音质的制造工艺技术，能够实现高音质音响效果。
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新日本无线 SiC-SBD MUSES
致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC) 扩展碳化硅(SiC)肖特基产品系列，推出全新的650V解决方案产品系列，新型二极管产品瞄准包括太阳能逆变器的大功率工业应用。
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美高森美 SiC
GaN和SiC将区分使用 2015年，市场上或许就可以稳定采购到功率元件用6英寸SiC基板。并且，届时GaN类功率元件 ...
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功率 半导体 SiC GaN
在SiC及GaN等新一代功率半导体领域，以韩国和中国为代表的亚洲企业的实力不断增强。不仅是元件及模块，零部件领域也显著呈现出这种趋势。在2013年9月29日～10月4日举行的SiC功率半导体国际学会“ICSCRM2013”(日本宫崎县PhoenixSeagaiaResort)上，最近开始扩大SiC晶圆业务的亚洲企业纷纷出展。
山东天岳先进材料科技有限公司(SICC)展出了将从2014年4月开始对外销售的直径2～4英寸(50mm～100mm)的SiC裸晶圆。该公司当前的目标
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SiC 晶圆
碳化硅（SiC）功率元件正快速在太阳能（PV）逆变器应用市场攻城掠地。SiC功率元件具高频和耐高温特性，不仅可较传...
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PV 逆变器 SiC 功率元件
SiC企业不断增多，成本不断下降”一文中，作者根津在开篇写道：“下一代功率半导体已经不再特别。”这是因为，随着使用SiC和GaN等“下一代功率半导体”的大量发布，在学会和展会的舞台上，这种功率半导体逐渐带上了“当代”的色彩。
那么，在使用功率半导体的制造现场，情况又是如何呢?虽然使用SiC和GaN的产品目前尚处开始增加的阶段，仍属于“下一代”，但在功率半导体使用者的心目中，此类产品已逐渐由
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SiC GaN
GT Advanced Technologies(纳斯达克：GTAT)日前推出其新型SiClone(TM) 100碳化硅(SiC)生产炉。 SiClone100采用升华生长技术，能生产出高品质的半导体SiC晶体块，可最终制成最大直径为100毫米的芯片。 在其初步阶段，SiClone100主要针对本身已经拥有热场、合格的晶体块生产配方及正准备开始量产的客户。
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GT SiC 晶体
在未来十年，受电源、光伏(PV)逆变器以及工业电动机的需求驱动，新兴的碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率半导体市场将以18%的惊人速度稳步增长。
据有关报告称，至2022年SiC和GaN功率半导体的全球销售额将从2012年的1.43亿美元增加到28亿美元。据预测，未来十年这一市场的销售额将实现两位数的年增长率。
SiC肖特基二极管已存在十多年，SiC金氧半场效晶体管(MOSFET)、结晶性场效应晶体管(JFET)和双极型晶体管(BJT)在最近几年出现。GaN功率半导体则刚刚进入市场。G
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GaN 半导体 SiC
在未来十年，受电源、光伏(PV)逆变器以及工业电动机的需求驱动，新兴的碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率半导体市场将以18%的惊人速度稳步增长。
据有关报告称，至2022年SiC和GaN功率半导体的全球销售额将从2012年的1.43亿美元增加到28亿美元。据预测，未来十年这一市场的销售额将实现两位数的年增长率。
SiC肖特基二极管已存在十多年，SiC金氧半场效晶体管(MOSFET)、结晶性场效应晶体管(JFET)和双极型晶体管(BJT)在最近几年出现。GaN功率半导体则刚刚进入市场。G
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GaN 半导体 SiC
SiC集成技术在生物电信号采集设计, 人体信息监控是一个新兴的领域，人们设想开发无线脑电图(EEG)监控设备来诊断癫痫病人，可穿戴的无线EEG能够极大地改善病人的活动空间，并最终通过因特网实现家庭监护。这样的无线EEG系统已经有了，但如何将他们的体
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SiC 集成技术 生物电信号采集
致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC)日前宣布，推出新一代工业温度碳化硅(SiC)标准功率模块。新产品非常适用于要求高性能和高可靠性的大功率开关电源、马达驱动器、不间断电源、太阳能逆变器、石油勘探和其他高功率高电压工业应用。该功率模块系列还扩展了温度范围，以满足下一代功率转换系统对于功率密度、工作频率和效率的更高要求。
SiC技术比硅材料提供更高的击穿电场强度和更好的热传导性
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Microsemi SiC
进入21世纪以来，随着摩尔定律的失效大限日益临近，寻找半导体硅材料替代品的任务变得非常紧迫。在多位选手轮番登场后，有两位脱颖而出，它们就是氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)——并称为第三代半导体材料的双雄。
SiC早在1842年就被发现了，但直到1955年，才有生长高品质碳化硅的方法出现;到了1987年，商业化生产的SiC进入市场;进入21世纪后，SiC的商业应用才算全面铺开。相对于Si，SiC的优点很多：有10倍的电场强度，高3倍的热导率，宽3倍禁带宽度，高一倍的饱和漂
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ROHM SiC 半导体
为努力实现更高的功率密度并满足严格的效率法规要求以及系统正常运行时间要求，工业和功率电子设计人员在进行设计时面临着不断降低功率损耗和提高可靠性的难题。 然而，在可再生能源、工业电机驱动器、高密度电源、汽车以及井下作业等领域，要想增强这些关键设计性能，设计的复杂程度就会提高，同时还会导致总体系统成本提高。
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飞兆 SiC 晶体管
sic介绍
SiC是一种Ⅳ－Ⅳ族化合物半导体材料，具有多种同素异构类型。其典型结构可分为两类：一类是闪锌矿结构的立方SiC晶型，称为3C或β－SiC，这里3指的是周期性次序中面的数目；另一类是六角型或菱形结构的大周期结构，其中典型的有6H、4H、15R等，统称为α－SiC。与Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高温环境，并具有极好的抗辐射性能.
Si [
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