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低功耗SiC二极管实现最高功率密度
- 相较于硅，碳化硅(SiC)肖特基二极管采用全新的技术，提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流，且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能，因此被视为下一代功率半导体。 安森美半导体扩展了其650伏(V) SiC二极管系列，提供更高的能效、更高的功率密度和更低的系统成本。工程师在设计用于太阳能光伏逆变器、电动车/混和动力电动车(EV / HEV)充电器、电信电源和数据中心电源等各类应用的PFC和升压转换器时，往往面对在更小尺寸实现更高能效的挑战。这些全新的二极管能为工程师解决这些挑
- 关键字： 肖特基二极，SiC
工业设备辅助电源驱动用的SiC电源解决方案
- 前言 包括光伏逆变器、电气驱动装置、UPS及HVDC在内的功率转换系统，需要栅极驱动器、微控制器、显示器、传感器及风扇来使系统正常运行。这类产品需要能够提供12V或24V低电压电源的辅助电源。辅助电源则需要输入通常工业设备所使用的三相400/480V AC电源、或太阳能光伏逆变器所使用的高电压DC电源才能工作。本文将介绍融入了ROHM的SiC技术优势且设计简单、性价比高的电源解决方案。 小型辅助电源用SiC MOSFET 图1是辅助电源所用的普通电路。在某些输入电压条件下，MOSFET的最高耐压
- 关键字： SiC，MOSFET
我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破
- 6月5日，在中国电子科技集团公司第二研究所(简称中国电科二所)生产大楼内，100台碳化硅(SiC)单晶生长设备正在高速运行，SiC单晶就在这100台设备里“奋力”生长。 中国电科二所第一事业部主任李斌说：“这100台SiC单晶生长设备和粉料都是我们自主研发和生产的。我们很自豪，正好咱们自己能生产了。” SiC单晶是第三代半导体材料，以其特有的大禁带宽度、高临界击穿场强、高电子迁移率、高热导率等特性， 成为制作高温、高频、大功率、抗辐照、短波发光及光电集成器件的理想材料，是新一代雷达、卫星通讯、高压
- 关键字： SiC
我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破
- 6月5日，在中国电子科技集团公司第二研究所(简称中国电科二所)生产大楼内，100台碳化硅(SiC)单晶生长设备正在高速运行，SiC单晶就在这100台设备里“奋力”生长。 中国电科二所第一事业部主任李斌说：“这100台SiC单晶生长设备和粉料都是我们自主研发和生产的。我们很自豪，正好咱们自己能生产了。” SiC单晶是第三代半导体材料，以其特有的大禁带宽度、高临界击穿场强、高电子迁移率、高热导率等特性， 成为制作高温、高频、大功率、抗辐照、短波发光及光电集成器件的理想材料，是新一代雷达、卫星通讯、高压
- 关键字： SiC
SiC和GaN产品市场趋势及力特提供的产品
- 硅半导体器件在过去数十年间长期占据着电子工业的统治地位，它铸就了电子世界的核心，覆盖我们日常生活中的绝大部分应用。宽禁带电子器件，以碳化硅和氮化镓的形式，因其自身有着传统的硅技术无法克服的优势正在日益普及。
- 关键字： 力特，SiC，GaN
新一代功率器件动向：SiC和GaN
- 更为严格的行业标准和政府法规的变迁是更高能效产品的关键驱动因素。例如数据中心正呈指数级增长以跟上需求，其耗电量约占全球总电力供应量（+ 400TWh）的3％，也占总温室气体排放量的2％，与航空业的碳排放量相同。在这些巨大的能源需求之下，各地政府正加紧实施更严格的标准和新的法规，以确保所有依赖能源的产品必须达到最高能效。
- 关键字： 安森美，SiC，GaN
sic介绍
SiC是一种Ⅳ－Ⅳ族化合物半导体材料，具有多种同素异构类型。其典型结构可分为两类：一类是闪锌矿结构的立方SiC晶型，称为3C或β－SiC，这里3指的是周期性次序中面的数目；另一类是六角型或菱形结构的大周期结构，其中典型的有6H、4H、15R等，统称为α－SiC。与Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高温环境，并具有极好的抗辐射性能.
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