随着工艺水平的提高，MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，即金属-氧化物半导体场效应晶体管)阈值电压的失配常数Avt越来越小，电流源之间的匹配程度越来越高，然而随着DAC(Digital to Analog Converter，即数模转换器)分辨率的提高， DAC对电流源误差的要求越来越高[1]。其中阈值电压失配不仅与Avt有关，由于阈值电压的温度系数存在，DAC工作
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DAC MOSFET
纳微 (Navitas)半导体宣布其现场应用及技术营销总监黄万年将在2018年1月30日于中国台北举办的“2018前瞻电源设计与功率组件技术论坛”上发表“利用氮化镓(GaN)功率IC实现下一代电源适配器设计”的主题演讲。他将分享如何利用业内首个及唯一的氮化镓(GaN)功率IC在各种电力系统中显着提高速度、效率和密度的崭新见解。纳微是这项活动的银级赞助商，该活动为具有创新性的制造商、合作伙伴及客户提供了一个交互论坛，以交流加速采用新型氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)器件的专业知识。 黄万年
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纳微 SiC
近年来，出于地球温室化对策和减少空气污染的考虑，对汽车的环保性能要求越来越高。世界各国均已制定了新能源汽车的开发和引进计划，未来新能源汽车的普及将会进一步加速。其中，中国新能源汽车市场发展势头最为迅猛。随着中国新能源汽车市场的迅速壮大和新能源汽车技术的快速发展，越来越多的中国新能源汽车品牌开始走出国门，投身到波澜壮阔的世界新能源汽车市场。 作为全球知名半导体制造商， ROHM一直以来都将汽车市场为主要目标领域，通过开发并提供SiC元器件、电源IC、控制IC等满足最新汽车电子化需求的创新型高
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ROHM SiC
电动工具、 园艺工具和吸尘器等家电使用低电压(2至10节)锂离子电池供电的电机驱动。这些工具使用有刷直流(BDC)或三相无刷直流(BLDC)电机。BLDC电机效率更高、维护少、噪音小、使用寿命更长。 驱动电机功率级的最重要的性能要求是尺寸小、效率高、散热性能好、保护可靠、峰值电流承载能力强。小尺寸可实现工具内的功率级的灵活安装、更好的电路板布局性能和低成本设计。高效率可提供最长的电池寿命并减少冷却工作。可靠的操作和保护可延长使用寿命，有助于提高产品声誉。 为在两个方向上驱动BDC电机，您
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BLDC MOSFET
引言 在如今的汽车中，为了提高舒适度和行车体验而设计了座椅加热、空调、导航、信息娱乐、行车安全等系统，从这些系统很容易理解在车中为各种功能供电的电子系统的好处。现在我们很难想像仅仅 100 多年以前的景象，那时，在汽油动力汽车中，一个电子组件都没有。在世纪交替时期的汽车开始有了手摇曲柄，前灯开始用乙炔气照明，也可以用铃声向行人发出提示信息了。如今的汽车正处于彻底变成电子系统的交界点，最大限度减少了机械系统的采用，正在成为人们生活中最大、最昂贵的“数字化工具”。由于可用性和环保原因
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电源 MOSFET
随着技术的不断更新换代，以及电动汽车市场的巨大助力，SiC产品有望迎来快速增长期。
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电动汽车 SiC
MOSFET涨价何时能得到缓解?深圳市拓锋半导体科技有限公司总经理陈金松表示可能要到2018年第四个季度，等国内的12寸晶圆量产之后，将8寸的产能腾出来，才有可能缓解。同时要看封测厂的“吞吐力”是否足以化解8寸产能的释放，如果封测厂商难以消化这么大的产能，涨价仍会持续，只是幅度不会像今年这么大了。“明年我们自己的封装厂将扩产，预计2018年6月可正式投产，扩产后的产能可多出一倍，每月达2亿只左右。”陈金松说。
MOSFET作为应用广泛的基础类元器件
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MOSFET DFN
017年11月24日，德国慕尼黑讯—凭借600 V CoolMOSCFD7，英飞凌科技股份公司推出最新的高压超结MOSFET技术。该600 V CoolMOS CFD7是CoolMOS 7系列的新成员。这款全新MOSFET满足了高功率SMPS市场对谐振拓扑的需求。它的LLC和ZVS PSFB等软开关拓扑具备业内领先的效率和可靠性。这使其非常适合服务器、电信设备电源和 电动汽车充电站等高功率SMPS应用。 &n
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英飞凌 MOSFET
MOSFET涨价何时能得到缓解?深圳市拓锋半导体科技有限公司总经理陈金松表示可能要到2018年第四个季度，等国内的12寸晶圆量产之后，将8寸的产能腾出来，才有可能缓解。同时要看封测厂的“吞吐力”是否足以化解8寸产能的释放，如果封测厂商难以消化这么大的产能，涨价仍会持续，只是幅度不会像今年这么大了。“明年我们自己的封装厂将扩产，预计2018年6月可正式投产，扩产后的产能可多出一倍，每月达2亿只左右。”陈金松说。
MOSFET作为应用广泛的基础类元器件
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MOSFET 晶圆
功率因数校正最佳策略：如何选取合适的MOSFET？-近年来，随着汽车、通信、能源、绿色工业等大量使用MOSFET的 行业的快速发展，功率MOSFET备受关注。
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MOSFET 功率因数 Vishay
面对国际IDM大厂将旗下MOSFET芯片产能大量移转到车用电子领域，并开始采取限量供应MOSFET芯片给PC、NB及移动装置产品客户的情形，大中、富鼎、尼克森等台系MOSFET芯片三雄不仅2017年第3季终于有像样的营收成长力道，客户追加订单的盛况更是前所未见。虽然第4季全球PC及NB市场需求照理说会开始下滑，但在英特尔(Intel)、AMD新款CPU平台需增加3~5颗MOSFET芯片，加上客户对于MOSFET芯片供需吃紧的议题抱持高度关注态度，台系MOSFET芯片供应商多已表达淡季不淡的乐观预期看法
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MOSFET 芯片
以MLCC为代表的被动元件在进入第三季度后，受产能供需吃紧影响，价格大涨，部分物料涨幅甚至超过10倍。而与被动元件市场行情相似的MOSFET芯片也出现缺货潮，导致价格上涨，即便是在溢价20%的基础上新增订单，供应商仍难交出货来。更严重的是，MOSFET芯片市场缺货潮短期内将难以缓解，保守估计到2019年局面才能改观。
据IHS数据显示，2016年MOSFET芯片市场总规模为205亿美元，2017年预计将增长到220亿美元。MOSFET芯片可广泛应用于消费类电子、电动汽车以及IIoT等领域，杭州士
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MOSFET MLCC
电源工程师最怕什么?炸机!用着用着就坏了，莫名其妙MOS管就炸了，真是又怕又恨，可到底是哪里出问题了呢?这一切都和SOA相关。 我们知道开关电源中MOSFET、 IGBT是最核心也是最容易烧坏的器件。开关器件长期工作于高电压大电流状态，承受着很大的功耗，一但过压或过流就会导致功耗大增，晶圆结温急剧上升，如果散热不及时，就会导致器件损坏，甚至可能会伴随爆炸，非常危险。这里就衍生一个概念，安全工作区。 一、什么是安全工作区? 安全工作区：SOA(Safe operating&nb
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MOSFET IGBT
近日，863计划先进制造技术领域“大尺寸SiC材料与器件的制造设备与工艺技术研究”课题通过了技术验收。
通常，国际上把碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体材料称之为第三代半导体材料。其在禁带宽度、击穿场强、电子饱和漂移速度、热导率等综合物理特性上具有更加突出的综合优势，特别在抗高电压、高温等方面性能尤为明显，由于第三代半导体材料的制造装备对设备真空度、高温加热性能、温度控制精度以及高性能温场分布、设备可靠性等直接影响SiC单晶衬底质量和成品率的关键技术有很高的
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半导体 SiC
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