在本《电源设计小贴士》中，我们将最终对一种估算热插拔 MOSFET 温升的简单方法进行研究。在《电源设计小贴士28》中，我们讨论了如何设计温升问题的电路类似方法。我们把热源建模成了电流源。根据系统组件的物理属性，计算得到热阻和热容。遍及整个网络的各种电压代表各个温度。
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热插拔 MOSFET 网络
GaN 功率管的发展微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮镓 ( GaN ) 为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN 材料，由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，与刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代 Ge、Si 半导体材料、第二代
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GaN SiC 第三代半导体材料
意法半导体推出了采用先进的PowerFLATTM 5x6双面散热(DSC)封装的MOSFET晶体管，新产品可提高汽车系统电控单元(ECU)的功率密度，已被为全球所有的汽车厂商提供先进技术的汽车零配件大厂电装株式会社选用。 STLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG是40V功率晶体管，可用于汽车电机控制、电池极性接反保护和高性能功率开关。厚度0.8mm的PowerFLATTM 5x6 DSC封装保留了标准封装的尺寸和高散热效率的底部设计，同时将顶部的源极曝露在
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意法半导体 MOSFET
<概要> 全球知名半导体制造商ROHM面向工业设备用的电源、太阳能发电功率调节器及UPS等的逆变器、转换器，开发出额定1200V 400A、600A的全SiC功率模块“BSM400D12P3G002”、“BSM600D12P3G001”。 本产品通过ROHM独有的模块内部结构及散热设计优化，实现了600A额定电流，由此，在工业设备用大容量电源等更大功率产品中的应用成为可能。另外，与普通的同等额定电流的IGBT模块相比，开关损耗降低了64%(芯片温度150℃时)，这非常有助于应
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ROHM SiC
汽车功率电子产品正成为半导体行业的关键驱动因素之一。这些电子产品包括功率元器件，是支撑新型电动汽车续航里程达到至少200英里的核心部件。
虽然智能手机的出货量远高于汽车(2015年为14亿部[1]，汽车销量为8,800万辆[2])，但汽车的半导体零件含量却高得多。汽车功率IC稳健增长，2015-2020年该行业的年复合增长率预计将达8%[3]。尤其是电池驱动的电动汽车在该行业成为强劲增长推动力，2015年5月Teardown.com针对宝马i3电动车的报告显示，该车型物料清单中包含100多个电源
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SiC GaN
虽然智能手机的出货量远高于汽车(2015年为14亿部[1]，汽车销量为8,800万辆[2])，但汽车的半导体零件含量却高得多。汽车功率IC稳健增长，2015 - 2020年该行业的年复合增长率预计将达8%[3]。尤其是电池驱动的电动汽车在该行业成为强劲增长推动力，2015年5月Teardown.com针对宝马i3电动车的报告显示，该车型物料清单中包含100多个电源相关芯片。 与遵循摩尔定律不断缩小尺寸的先进逻辑晶体管不同，功率元器件FET通常运用更老的技术节点，使用200毫米(和
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SiC GaN
英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)壮大现有的CoolMOS™技术产品阵容，推出600 V CoolMOS™ P7和600 V CoolMOS™ C7 Gold (G7)系列。这两个产品系列的击穿电压高达600 V，具备更出色的超结MOSFET性能。它们可在目标应用中实现非常出色的功率密度。 600 V CoolMOS&
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英飞凌 MOSFET
与市场的不同的观点:传统观点认为功率半导体竞争格局固定,技术升级步伐相对缓慢,与集成电路产业的重要性不可同日而语,中泰电子认为随着新能源车和高端工控对新型功率器件的需求爆发,功率半导体的产业地位正在逐步提升,其重要性不亚于规模更大的“集成电路”。大陆半导体产业的崛起需要“两条腿走路”(集成电路+功率器件),由于功率半导体的重要性被长期低估,我国功率半导体产业存在规模小、技术落后、品类不全等诸多不足,适逢我国半导体投融资渐入高峰期,行业龙头有望率先受益。大
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功率半导体 SiC
东芝公司旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布推出新系列小型封装高压智能功率器件(IPD)，这些产品用于空调、空气净化器和空气泵等各类风扇电机。该新系列包括600V/2.5A “TPD4204F"和500V/2.5A “TPD4206F2"两款产品，产品出货即日启动。 利用东芝最新的MOSFET技术，新系列IPD在新开发的小型表面贴装“SOP30”封装中实现高压和低功率损耗，该封装尺寸仅为20.0mm x 14.2mm。其封装空间仅约为东
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东芝 MOSFET
东芝公司旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布推出EMI性能更佳的600V/650V超结N沟道功率MOSFET，该产品适用于工业和办公设备。该新“DTMOS V系列”最初将提供12款产品。样品发货即日启动，批量生产发货计划于3月中旬启动。 该新系列拥有与东芝当前的“DTMOS IV系列”相同水平的低导通电阻、高速开关性能，同时，其优化的设计流程使EMI性能提升约3至5dB[1]。而且，降低的单位面积导通电阻(RON x A)性能使新的650v 0.
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东芝 MOSFET
意法半导体最新的900V MDmesh™ K5超结MOSFET管让电源设计人员能够满足更高功率和更高能效的系统需求，具有同级最好的导通电阻(RDS(ON))和动态特性。 900V击穿电压确保高总线电压系统具有更高的安全系数。新系列产品含有首个RDS(ON)导通电阻低于100mΩ的900V MOSFET管，是RDS(ON) 电阻最低的DPAK产品。业内最低的栅电荷(Qg)确保开关速度更快，在需要宽输入电压的应用领域，实现更大的配置灵活性。这些特性确保标准准谐振电
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意法半导体 MOSFET
高性能转换器设计中的同步整流对于低电压、高电流应用（比如服务器和电信电源）至关重要，这是因为过将肖特 基二极管整流替换为同步整流 MOSFET 能够显著提高效率和 功率密度。同步整流 MOSFET 的很多关键参数甚至器件和印 制电路板的寄生元件都会直接影响同步整流的系统效率。同步整流 MOSFET 的主要要求为：同步整流中的功率损耗(1)导通损耗 二极管整流器的导通损耗占了电源总功耗的很大一部图1 75 V MOSFET 和 600 V MOSFET 中 RDS(ON)的相对比例
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功率 MOSFET
功率因数校正 (PFC) 是输入功率不低于75 W的AC-DC转换器的一项强制要求。在某些消费应用（如LED照明） 中，要求在低至5 W的功率下进行某些形式的PFC。在低功 率下，可使用为控制线路频率而设计的无源元件实现校正目 的。但在高功率下，无源解决方案会变得相当“笨重”而昂 贵；使用高开关频率有源器件可减小所需无源元件的尺寸。 有源PFC的标准实现方式是输入整流器后跟升压转换 器。尽管新式拓扑正逐渐获得接受，但升压PFC仍然是主要解决方案，本文将对其进行进一步
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功率 电路 MOSFET
东芝公司旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布面向高效电源推出具备改进的低导通电阻、高速开关的800V超级结N沟道功率MOSFET。“DTMOS IV系列”的八款新MOSFET利用超结结构，与东芝之前的“π-MOSVIII系列”相比，其可将其单位面积导通电阻(RON x A)降低近79%。 该系列产品改进的高速开关还有助于提高使用该系列产品的芯片组的电源效率。这些MOSFET适用于工业电源，服务器、笔记本电脑适配器和充电器以及移动设备的备用电源以及LED照明灯
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东芝 MOSFET
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