分立 MOSFET 数据表中重要的规格之一是漏源通态电阻，缩写为 R DS (on)。这个 R DS (on)想法看起来非常简单：当 FET 处于截止状态时，源极和漏极之间的电阻非常高，以至于我们假设电流为零。当 FET 的栅源电压 (V GS ) 超过阈值电压 (V TH ) 时，它处于“导通状态”，漏极和源极通过电阻等于 R DS(on) 的沟道连接。然而，如果您熟悉 MOSFET 的实际电气行为，您应该很容易认识到该模型与事实不符。首先，FET 并不真正具有“导通状态”。当未处于截止状态时（我们在此
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MOSFET 通态漏源电阻
中国上海，2023年11月7日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”低导通电阻30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备以及电池组保护。该产品于今日开始支持批量出货。 截至目前，东芝的N沟道共漏极MOSFET产品线重点聚焦于12V产品，主要用于智能手机锂离子电池组的保护。30V产品的发布为电压高于12V的应用提供了更广泛的选择，如USB充电设备电源线路的负载开关以及笔记本电脑与平板电脑的锂离子电池组保护。&nbs
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东芝 N沟道共漏极 MOSFET
先之科半导体科技（东莞）有限公司于2018年成立，旗下子公司先科电子于1991年就开始专注于半导体分立器件研发及销售，在半导体行业闯荡了32年。作为一家成熟的半导体企业，先之科拥有占地60亩的生产基地，超过1400名员工，保证了其1.8亿只的日产能，让其旗下产品可以出现在任何需要它们的地方。今天展会之上，先之科为我们带来了丰富的产品，包括各类二极管、整流管、保护器件、三极管以及MOSFET，横跨汽车电子、光学逆变器和通信电源等领域。而本次所展出的AD-SiC MOSFET令人印象深刻，其采用了分立式封装，
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先之科 半导体分立器件 二极管 整流管 三极管 MOSFET
_____近年来，在国家“双碳”战略指引下，汽车行业油电切换提速，截至2022年新能源汽车渗透率已经超过25%。汽车电动化浪潮中，半导体增量主要来自于功率半导体，根据 Strategy Analytics，功率半导体在汽车半导体中的占比从传统燃油车的21%提升至纯电动车的55%，跃升为占比最大的半导体器件。同其他车用电子零部件一样，车规级功率半导体也须通过AEC-Q100认证规范所涵盖的7大类别41项测试要求。对于传统的硅基半导体器件，业界已经建立了一套成熟有效的测试评估流程。而对于近两年被普遍应用于开发
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汽车检测认证 泰克 SiC
电池可以用来储存太阳能和风能等可再生能源在高峰时段产生的能量，这样当环境条件不太有利于发电时，就可以利用这些储存的能量。本文回顾了住宅和商用电池储能系统 (BESS) 的拓扑结构，然后介绍了安森美(onsemi) 的EliteSiC 方案，可作为硅MOSFET 或IGBT开关的替代方案，改善 BESS 的性能。BESS的优势最常用的储能方法有四种，分别是电化学储能、化学储能、热储能和机械储能。锂离子电池是家喻户晓的电化学储能系统，具有高功率密度、高效率、外形紧凑、模块化等特点。此外，锂离子电池技术成熟，因
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202310 碳化硅 SiC 电池储能系统
IT之家 10 月 27 日消息，全球第三大硅晶圆生产商环球晶圆控股（GlobalWafers）董事长徐秀兰表示，公司克服了量产碳化硅（SiC）晶圆的重重技术难关，已经将 SiC 晶圆推进至 8 英寸，和国际大厂保持同步。徐秀兰预估将会在 2024 年第 4 季度开始小批量出货 8 英寸 SiC 产品，2025 年大幅增长，到 2026 年占比超过 6 英寸晶圆。环球晶圆表示目前较好地控制了 8 英寸晶圆良率，已经超过 50%，而且有进一步改善的空间，明年上半年开始交付相关样品。IT之家从报道中
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晶圆厂 SiC
2023年，中国化合物半导体产业实现历史性突破。 在碳化硅（SiC）晶体生长领域，尤其得到国际IDM厂商的认可，中国厂商产能大幅提升。 此前，来自中国的SiC材料仅占全球市场的5%。 然而，到2024年，预计将抢占可观的市场份额。该领域的主要中国公司，包括SICC、TankeBlue和三安，几乎都将产能扩大了千倍。我国大约有四到五家从事SiC晶体生长的龙头企业，为测算我国SiC晶体生长产能提供了依据。 目前，他们的月产能合计约为60,000单位。 随着各公司积极增产，预计到2024年月产能将达到12万单位
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SiC 碳化硅
本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦合器 IC 的栅极驱动器功率和热耗散的主题。栅极驱动光耦合器用于驱动、开启和关闭功率半导体开关、MOSFET/IGBT。栅极驱动功率计算可分为三部分；驱动器内部电路中消耗或损失的功率、发送至功率半导体开关(IGBT/MOSFET)的功率以及驱动器IC和功率半导体开关之间的外部组件处（例如外部栅极电阻器上）损失的功率。在以下示例中，我们将讨论使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能栅极驱动器）的 IGBT 栅极驱动器设计。本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦
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IGBT MOSFET
功率MOSFET是便携式设备中大功率开关电源的主要组成部分。此外，对于散热量极低的笔记本电脑来说，这些MOSFET是最难确定的元件。本文给出了计算MOSFET功耗以及确定其工作温度的步骤，并通过多相、同步整流、降压型CPU核电源中一个30A单相的分布计算示例，详细说明了上述概念。也许，今天的便携式电源设计者所面临的最严峻挑战就是为当今的高性能CPU提供电源。CPU的电源电流最近每两年就翻一番。事实上，今天的便携式核电源电流需求会高达60A或更多，电压介于0.9V和1.75V之间。但是，尽管电流需求在稳步增
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MOSFET 开关电源
不断增长的消费需求、持续提高的环保意识/环境法规约束，以及越来越丰富的可选方案，都在推动着人们选用电动汽车 (EV)，令电动汽车日益普及。高盛近期的一项研究显示，到 2023 年，电动汽车销量将占全球汽车销量的 10%；到 2030 年，预计将增长至 30%；到 2035 年，电动汽车销量将有可能占全球汽车销量的一半。然而，“里程焦虑”，也就是担心充一次电后行驶里程不够长，则是影响电动汽车普及的主要障碍之一。克服这一问题的关键是在不显著增加成本的情况下延长车辆行驶里程。本文阐述了如何在主驱逆变器中使用碳化
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电动汽车 逆变器 SiC MOSFET
IT之家 10 月 19 日消息，根据韩媒 ETNews 报道，三星电子内部组建了新的碳化硅（SiC）功率半导体团队，已经任命安森美半导体前董事洪锡俊（Stephen Hong）担任副总裁，负责监管相关业务。洪锡俊是功率半导体领域的专家，在英飞凌、仙童和安森美等全球大型公司拥有约 25 年的经验，加入三星后，他负责领导这项工作。洪锡俊负责组建和带领这支 SiC 商业化团队，同时积极与韩国功率半导体产业生态系统和学术机构合作进行市场和商业可行性研究。值得注意的是，三星在正式进军 GaN（氮化镓）业
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三星 SiC
对于高压开关电源应用，碳化硅或 SiC MOSFET 与传统硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有显著优势。开关超过 1,000 V的高压电源轨以数百 kHz 运行并非易事，即使是最好的超结硅 MOSFET 也难以胜任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾电流”且关断缓慢，因此仅限用于较低的工作频率。因此，硅 MOSFET 更适合低压、高频操作，而 IGBT 更适合高压、大电流、低频应用。SiC MOSFET 很好地兼顾了高压、高频和开关性能优势。它是电压控制的场效应器件，能够像 IGBT 一样进行高压
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SiC MOSFET IGBT WBG
1 SiC和GaN应用及优势我们对汽车、工业、数据中心和可再生能源等广泛市场中的碳化硅(SiC) 和氮化镓（GaN）应用感兴趣。一些具体的例子包括：● 电动汽车（EV）：SiC和GaN 可用于电动汽车，以提高效率、续航里程和整车性能。例如，SiC MOSFET 分立器件可用于牵引逆变器和车载充电，以减少功率损耗并提高效率。● 数据中心：SiC 和GaN 可用于数据中心电源，以提高效率并降低运营成本。● 可再生能
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202310 SiC GaN 安世半导体
1 SiC和GaN的优势相比传统MOSFET和IGBT方案，SiC和GaN器件提供更高的功率密度，具备更低的栅极驱动损耗和更高的开关速度。虽然SiC和GaN在某些低于10 kW功率的应用上有一些重叠，但各自解决的功率需求是不同的。SiC 器件提供更高的耐压水平和电流承载能力。这使得它们很适合于汽车牵引逆变器、车载充电器和直流/ 直流转换器、大功率太阳能发电站和大型三相电网变流器等应用。SiC 进入市场的时间略长，因此它有更多的选择，例如，相比目前可用的GaN 解决方案，SiC 支持更广泛的电压和导通电阻。
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202310 纳芯微 SiC GaN
假如有人将24V电源连接到您的12V电路上，将发生什么？倘若电源线和接地线因疏忽而反接，电路还能安然无恙吗？您的应用电路是否工作于那种输入电源会瞬变至非常高压或甚至低于地电位的严酷环境中?即使此类事件的发生概率很低，但只要出现任何一种就将彻底损坏电路板。为了隔离负电源电压，设计人员惯常的做法是布设一个与电源相串联的功率二极管或 P 沟道 MOSFET。然而——◇ 二极管既占用宝贵的板级空间，又会在高负载电流下消耗大量的功率。◇ P 沟道 MOSFET 的功耗虽然低于串联二极管，但 MOSFET 以及所需的
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MOSFET 二极管 LTC4365
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