- SiC企业不断增多，成本不断下降”一文中，作者根津在开篇写道：“下一代功率半导体已经不再特别。”这是因为，随着使用SiC和GaN等“下一代功率半导体”的大量发布，在学会和展会的舞台上，这种功率半导体逐渐带上了“当代”的色彩。
那么，在使用功率半导体的制造现场，情况又是如何呢?虽然使用SiC和GaN的产品目前尚处开始增加的阶段，仍属于“下一代”，但在功率半导体使用者的心目中，此类产品已逐渐由
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SiC GaN
- GT Advanced Technologies(纳斯达克：GTAT)日前推出其新型SiClone(TM) 100碳化硅(SiC)生产炉。 SiClone100采用升华生长技术，能生产出高品质的半导体SiC晶体块，可最终制成最大直径为100毫米的芯片。 在其初步阶段，SiClone100主要针对本身已经拥有热场、合格的晶体块生产配方及正准备开始量产的客户。
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GT SiC 晶体
- 在未来十年，受电源、光伏(PV)逆变器以及工业电动机的需求驱动，新兴的碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率半导体市场将以18%的惊人速度稳步增长。
据有关报告称，至2022年SiC和GaN功率半导体的全球销售额将从2012年的1.43亿美元增加到28亿美元。据预测，未来十年这一市场的销售额将实现两位数的年增长率。
SiC肖特基二极管已存在十多年，SiC金氧半场效晶体管(MOSFET)、结晶性场效应晶体管(JFET)和双极型晶体管(BJT)在最近几年出现。GaN功率半导体则刚刚进入市场。G
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GaN 半导体 SiC
- 在未来十年，受电源、光伏(PV)逆变器以及工业电动机的需求驱动，新兴的碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率半导体市场将以18%的惊人速度稳步增长。
据有关报告称，至2022年SiC和GaN功率半导体的全球销售额将从2012年的1.43亿美元增加到28亿美元。据预测，未来十年这一市场的销售额将实现两位数的年增长率。
SiC肖特基二极管已存在十多年，SiC金氧半场效晶体管(MOSFET)、结晶性场效应晶体管(JFET)和双极型晶体管(BJT)在最近几年出现。GaN功率半导体则刚刚进入市场。G
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GaN 半导体 SiC
- SiC集成技术在生物电信号采集设计, 人体信息监控是一个新兴的领域，人们设想开发无线脑电图(EEG)监控设备来诊断癫痫病人，可穿戴的无线EEG能够极大地改善病人的活动空间，并最终通过因特网实现家庭监护。这样的无线EEG系统已经有了，但如何将他们的体
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SiC 集成技术 生物电信号采集
- 致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC)日前宣布，推出新一代工业温度碳化硅(SiC)标准功率模块。新产品非常适用于要求高性能和高可靠性的大功率开关电源、马达驱动器、不间断电源、太阳能逆变器、石油勘探和其他高功率高电压工业应用。该功率模块系列还扩展了温度范围，以满足下一代功率转换系统对于功率密度、工作频率和效率的更高要求。
SiC技术比硅材料提供更高的击穿电场强度和更好的热传导性
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Microsemi SiC
- 进入21世纪以来，随着摩尔定律的失效大限日益临近，寻找半导体硅材料替代品的任务变得非常紧迫。在多位选手轮番登场后，有两位脱颖而出，它们就是氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)——并称为第三代半导体材料的双雄。
SiC早在1842年就被发现了，但直到1955年，才有生长高品质碳化硅的方法出现;到了1987年，商业化生产的SiC进入市场;进入21世纪后，SiC的商业应用才算全面铺开。相对于Si，SiC的优点很多：有10倍的电场强度，高3倍的热导率，宽3倍禁带宽度，高一倍的饱和漂
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ROHM SiC 半导体
- 为努力实现更高的功率密度并满足严格的效率法规要求以及系统正常运行时间要求，工业和功率电子设计人员在进行设计时面临着不断降低功率损耗和提高可靠性的难题。 然而，在可再生能源、工业电机驱动器、高密度电源、汽车以及井下作业等领域，要想增强这些关键设计性能，设计的复杂程度就会提高，同时还会导致总体系统成本提高。
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飞兆 SiC 晶体管
- 为了防止地球温室化，减少CO2排放量已成为人类的课题。为了减少CO2排放量，节电与提高电压的转换效率是当务之急。在这种背景下，罗姆通过用于LED照明的技术贡献于节电，通过功率元器件提升转换效率。
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罗姆 变压器 SiC
- 进入21世纪，开关电源技术将会有更大的发展，这需要我国电力电子、电源、通信、器件、材料等工业和学术各界努...
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开关电源 转换器 碳化硅（SiC）
- 在“2012年欧洲电力电子、智能运动、电能品质国际研讨会与展览会”上，英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列，该产品系列增强了英飞凌在SiC(碳化硅)产品市场的领先地位。这个革命性的新产品系列，立足于英飞凌在SiC技术开发以及高质量、大批量生产方面十多年的丰富经验。
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英飞凌 SiC JFET
- 日本京都大学工学研究系电子工学专业教授木本恒暢等人的研究小组，试制出了耐压高达21.7kV的SiC制PiN二极管。此前虽有耐压为十数kV的半导体功率元件，但超过20kV的尚为首次，“是半导体元件中的世界最高值”(木本)。
该二极管的设想用途为置换变电站使用的硅制GTO。比如，日本的电网电压为6.6kV，因此要求耐压达到20kV。据称目前是使用3～4个数kV的GTO来确保耐压的。如果使用耐压超过20kV的SiC制PiN二极管，一个即可满足要求。由此，转换器及冷却器等便可实现
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SIC 二极管 半导体
- TRIFIA 2012年清华-罗姆国际产学连携论坛于4月28日在清华罗姆电子馆召开，来自清华的教授跟与会者分享了与罗姆合作以来在某些领域取得的成果以及一些教学科研经验。会后，罗姆株式会社常务董事高须秀视先生和清华电子工程系系主任王希勤教授接受了采访，我们了解到了更多罗姆和清华在产学研方面的相关合作。
以“罗姆”命名清华楼，并无排他性
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罗姆 SiC
- 与SiC和GaN相比，beta;-Ga2O3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件，因而引起了极大关注。契机源于日本信息通信研究机构等的研究小组开发出的beta;-Ga2O3晶体管。下面请这些研究小组的技术人员，以论
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SiC 讲座 功率元件 氧化镓
- 基板成本也较低采用β-Ga2O3制作基板时，可使用“FZ（floatingzone）法”及“EFG（edge-definedfilm-fed...
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氧化镓 SiC 功率元件 MOSFET LED
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