全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild (NASDAQ: FCS) 在2016年APEC上发布了新一代100V N沟道Power MOSFET旗舰产品——FDMS86181 100V屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET。 FDMS86181是Fairchild新一代PowerTrench MOSFET系列的首款器件，能够使需要100V MOSFET的电源、电机驱动和其他应用
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Fairchild MOSFET
一、引言 MOSFET作为主要的开关功率器件之一，被大量应用于模块电源。了解MOSFET的损耗组成并对其分析，有利于优化MOSFET损耗，提高模块电源的功率;但是一味的减少MOSFET的损耗及其他方面的损耗，反而会引起更严重的EMI问题，导致整个系统不能稳定工作。所以需要在减少MOSFET的损耗的同时需要兼顾模块电源的EMI性能。 二、开关管MOSFET的功耗分析
MOSFET的损耗主要有以下部分组成：1.通态损耗;2.导通损耗;3.关断损耗;4.驱动
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MOSFET EMI
不少媒体已经对三星的最新旗舰Galaxy S7/S7 edge进行了深入的拆解，而三星也在官网放出官方拆解图，其中更是有这两台手机使用的热管的解析：
Galaxy S7的屏幕面板，采用5.1英寸的Super AMOLED，分辨率达到QHD(2560*1440)，这个规格和上一代的Galaxy S6一致，前面板采用了2.5D玻璃设计。比较特别的是，这次的触控IC也是三星自家的芯片。
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Galaxy S7
三星正式在国内发布了新世代旗舰GalaxyS7/S7 Edge系列，国行版的S7家族全系使用高通骁龙820主控，没有出现搭载Exynos 8890的版本或许是出于网络制式考虑。虽然像笔者这种好奇的极客看来，不能直接比对两款旗舰主控有些遗憾，但好在从配置和功能层面上来看，国行版S7没有任何缩水，即使是强迫症们也无需纠结了。
无独有偶，近日，著名的芯片级分析网站Chipworks开始了对Galaxy S7 Edge(以下
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三星 S7
目前安卓手机行业正面临同质化严重、缺乏创新等问题，智能手机发展到今天，到底还有哪些可能性?参数配置更加强大?还是硬件的不断升级?这些都很难说是创新。
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三星 S7
三星S7上市了，但是还有很多用户关注的东西三星并没有公布。三星S7是否采用水冷散热。需要通过真机拆解才能知道。下面分享网友拆解三星S7的过程，三星S7通过拆机能够了解三星S7。
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三星 S7
关于MOSFET很多人都不甚理解，这次小编再带大家仔细梳理一下，也许对于您的知识系统更加全面。下面是对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料。 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。 1、MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N
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MOSFET 驱动电路
在今年旗舰智能机的比拼中，新一代的旗舰级处理器势必会成为关键，其中以高通骁龙820、联发科HelioX20、华为旗舰950以及三星Exynos8890这四大处理器中决出胜负，其中骁龙820、HelioX20、麒麟950的性能跑分都已经公之于众，而近日Exynos8890处理器的跑分也首次曝光了。
虽然三星Exynos8890处理器早已经在去年发布，但是关于该处理器的性能跑分却一直都是未知数，让人很是期待这款三星旗舰级处理器的性能到底如何，这次在知名跑分网站Geekbench上，终于出现了搭载Ex
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三星 S7
进行这种折中处理可得到一个用于 FET 选择的非常有用的起始点。通常，作为设计过程的一个组成部分，你会有一套包括了输入电压范围和期望输出电压的规范，并且需要选择一些 FET。另外，如果你是一名 IC 设计人员，你还会有一定的预算，其规定了 FET 成本或者封装尺寸。这两种输入会帮助您选择总 MOSFET 芯片面积。之后，这些输入可用于对各个 FET 面积进行效率方面的优化。
图 1 传导损耗与 FET 电阻比和占空比相关
首先，FET 电阻与其面积成反比例关系。
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MOSFET
最后，我们来到了这个试图破解功率MOSFET数据表的“看懂MOSFET数据表”博客系列的收尾部分。在这个博客中，我们将花时间看一看MOSFET数据表中出现的某些其它混合开关参数，并且检查它们对于总体器件性能的相关性(或者与器件性能没什么关系)。
另一方面，诸如FET固有体二极管的输出电荷 (QOSS) 和反向恢复电荷(Qrr) 等开关参数是造成很多高频电源应用中大部分FET开关损耗的关键因素。不好意思，我说的这些听起来有点儿前言不搭后语，不过设计人员在根据这些参数比较不同
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MOSFET 二极管
在《估算热插拔 MOSFET 的瞬态温升——第 1 部分》中，我们讨论了如何设计温升问题的电路类似方法。我们把热源建模成了电流源。根据系统组件的物理属性，计算得到热阻和热容。遍及整个网络的各种电压代表各个温度。 本文中，我们把图 1 所示模型的瞬态响应与图 3 所示公开刊发的安全工作区域(SOA 曲线)部分进行了对比。
图 1 将散热容加到&nb
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MOSFET 电路板
在本文中，我们将研究一种估算热插拔 MOSFET 温升的简单方法。 热插拔电路用于将电容输入设备插入通电的电压总线时限制浪涌电流。这样做的目的是防止总线电压下降以及连接设备运行中断。通过使用一个串联组件逐渐延长新连接电容负载的充电时间，热插拔器件可以完成这项工作。结果，该串联组件具有巨大的损耗，并在充电事件发生期间产生温升。大多数热插拔设备的制造厂商都建议您查阅安全工作区域 (SOA) 曲线，以便设备免受过应力损害。图 1 所示
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MOSFET
今天我们来谈一谈MOSFET电流额定值，以及它们是如何变得不真实的。好，也许一个比较好的解释就是这些额定值不是用确定RDS(ON) 和栅极电荷等参数的方法测量出来的，而是被计算出来的，并且有很多种不同的方法可以获得这些值。 例如，大多数部件中都有FET“封装电流额定值”，这个值同与周围环境无关，并且是硅芯片与塑料封装之间内在连接线的一个函数。超过这个值不会立即对FET造成损坏，而在这个限值以上长时间使用将开始减少器件的使用寿命。高于这个限值的故障机制包括但不限于线路融合、成型复合材料的热降
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MOSFET
本文总结了场效应管(MOSFET)检测方法与经验 一、用指针式万用表对场效应管进行判别 (1)用测电阻法判别结型场效应管的电极 根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G。也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接触一个电极，另一只表笔
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场效应管 MOSFET
在看到MOSFET数据表时，你一定要知道你在找什么。虽然特定的参数很显眼，也一目了然，其它的一些参数会十分的含糊不清、模棱两可，而其它的某些参数自始至终就毫无用处(比如说：开关时间)。在这个即将开始的博文系列中，我们将试着破解FET数据表，这样的话，读者就能够很轻松地找到和辨别那些对于他们的应用来说，是最常见的数据，而不会被不同的生产商为了使他们的产品看起来更吸引人而玩儿的文字游戏所糊弄。
自从20世纪80年代中期在MOSFET 数据表中广泛使用的以来，无钳位电感开关 (UIS) 额定值就已经被
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MOSFET UIS
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