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s7 mosfet 文章 进入s7 mosfet技术社区

三星第一季度净利润45.6亿美元 同比增长13.55%

  •   三星在监管文件中称,公司第一季度的营收为49.7万亿韩元(约合447.3亿美元),同比增长5.65%;运营利润6.67万亿韩元(约合60.03亿美元),同比增长11.65%。这些业绩数据与该公司本月早些时候公布的前瞻数据基本一致。   其包括智能手机的移动部门运营利润从去年同期的2.7万亿韩元增长至3.9万亿韩元,涨幅达到42%,近7个季度以来首次超过芯片部门,成为公司的第一收入来源。芯片部门的运营利润从去年同期的2.9万亿韩元下降至2.6万亿韩元,跌幅为10%。   三星表示,移动部门的出色表现
  • 关键字: 三星  S7  

如何避免LLC谐振转换器中的MOSFET出现故障

  •   为了降低能源成本,设备设计人员正在不断寻找优化功率密度的新方法。通常情况下,电源设计人员通过增大开关频率来降低功耗和缩小系统尺寸。由于具有诸多优势如宽输出调节范围、窄开关频率范围以及甚至在空载情况下都能保证零电压开关,LLC 谐振转换器应用越来越普遍。但是,功率 MOSFET 出现故障一直是LLC 谐振转换器中存在的一个问题。在本文中,我们将阐述如何避免这些情况下出现MOSFET 故障。   初级 MOSFET 的不良体二极管性能可能导致一些意想不到的系统或器件故障,如在各种异常条件下发生严重的直通
  • 关键字: 谐振转换器  MOSFET  

完全自保护MOSFET功率器件分析

  •   为了提高系统可靠性并降低保修成本,设计人员在功率器件中加入故障保护电路,以免器件发生故障,避免对电子系统造成高代价的损害。这通常利用外部传感器、分立电路和软件来实现,但是在更多情况下,设计人员使用完全自保护的MOSFET功率器件来完成。  图1显示了完全自保护MOSFET的一般拓扑结构。这些器件常见的其他特性包括状态指示、数字输入、差分输入和过压及欠压切断。高端配置包括片上电荷泵功能。但是,大多数器件都具备三个电路模块,即电流限制、温度限制和漏-源过压箝制,为器件提供大部分的保护。   &n
  • 关键字: MOSFET  功率器件  

三星电子一季度利润超预期 达6.6万亿韩元

  •   三星电子表示公司预计第一季度的收入为49万亿韩元,较上年同一季度的47.1万亿韩元有所上升,营业利润预计从2015年第一季度的6万亿韩元上升至6.6万亿韩元。        这些数据要比预期的好很多。此前,彭博社对分析师做的一次调查预测第一季度的营业利润为5.53万亿韩元。预计三星电子在其旗舰产品Galaxy S7智能机销售的首月中获利不少。
  • 关键字: 三星  S7  

功率MOSFET在正激式驱动电路中的应用简析

  •   功率MOSFET在目前一些大功率电源的产品设计中得到了广泛的应用,此前本文曾经就几种常见的MOSFET电路设计类型进行了简单总结和介绍。在今天的文章中,本文将会就这一功率器件的另一种应用方式,即有隔离变压器存在的互补驱动电路,进行简要分析。  有隔离变压器的互补驱动电路作为一种比较常见的驱动电路形式,在目前的家电产品设计中应用较多,其典型电路结构如图1(a)所示。在图1(a)所给出的电路结构中,V1、V2为互补工作,电容C起隔离直流的作用,T1为高频、高磁率的磁环或磁罐。    
  • 关键字: MOSFET  驱动电路  

入门必看的MOSFET小功率驱动电路知识分享

  •   功率器件MOSFET是目前应用频率最高的电子元件之一,也是很多电子工程师在入门学习时的重点方向。如果设计得当,MOSFET驱动电路可以帮助工程师快速、高效、节能的完成电路系统的驱动设计,本文在这里将会分享一种比较常见的MOSFET驱动电路设计方案,该方案尤其适用于小功率电路系统的采用。  下图中,图1(a)所展示的是一种目前业内比较常用的小功率MOSFET驱动电路,这一电路系统的特点是简单可靠,且设计成本比较低,尤其适用于不要求隔离的小功率开关设备。图1(b)所示驱动电路开关速度很快,驱动能力强,为防
  • 关键字: MOSFET  驱动电路  

Diodes 40V车用MOSFET适用于电机控制应用

  •   Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的两款40V车用MOSFET DMTH4004SPSQ及DMTH4005SPSQ温度额定值高达+175°C,非常适合在高温环境下工作。DMTH4004SPSQ旨在满足水泵和燃油泵等超过750W的高功率无刷直流电机应用的要求;DMTH4005SPSQ则适用于低功率无刷直流应用,包括备用泵和暖通空调系统。  DMTH4004SPSQ及DMTH4005SPSQ为满足三相无刷直流电机控制应用的严格要求,
  • 关键字: Diodes  MOSFET  

Fairchild新一代PowerTrench MOSFET提供一流性能

  •   全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild (NASDAQ: FCS) 在2016年APEC上发布了新一代100V N沟道Power MOSFET旗舰产品——FDMS86181 100V屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET。 FDMS86181是Fairchild新一代PowerTrench MOSFET系列的首款器件,能够使需要100V MOSFET的电源、电机驱动和其他应用
  • 关键字: Fairchild  MOSFET  

怎样降低MOSFET损耗并提升EMI性能

  •   一、引言  MOSFET作为主要的开关功率器件之一,被大量应用于模块电源。了解MOSFET的损耗组成并对其分析,有利于优化MOSFET损耗,提高模块电源的功率;但是一味的减少MOSFET的损耗及其他方面的损耗,反而会引起更严重的EMI问题,导致整个系统不能稳定工作。所以需要在减少MOSFET的损耗的同时需要兼顾模块电源的EMI性能。  二、开关管MOSFET的功耗分析        MOSFET的损耗主要有以下部分组成:1.通态损耗;2.导通损耗;3.关断损耗;4.驱动
  • 关键字: MOSFET  EMI  

手机里真的有水 Galaxy S7官方拆解

  •   不少媒体已经对三星的最新旗舰Galaxy S7/S7 edge进行了深入的拆解,而三星也在官网放出官方拆解图,其中更是有这两台手机使用的热管的解析:       Galaxy S7的屏幕面板,采用5.1英寸的Super AMOLED,分辨率达到QHD(2560*1440),这个规格和上一代的Galaxy S6一致,前面板采用了2.5D玻璃设计。比较特别的是,这次的触控IC也是三星自家的芯片。       Ga
  • 关键字: Galaxy  S7  

皇者的矜持:三星S7 Edge摄像头拆解分析

  •   三星正式在国内发布了新世代旗舰GalaxyS7/S7 Edge系列,国行版的S7家族全系使用高通骁龙820主控,没有出现搭载Exynos 8890的版本或许是出于网络制式考虑。虽然像笔者这种好奇的极客看来,不能直接比对两款旗舰主控有些遗憾,但好在从配置和功能层面上来看,国行版S7没有任何缩水,即使是强迫症们也无需纠结了。        无独有偶,近日,著名的芯片级分析网站Chipworks开始了对Galaxy S7 Edge(以下
  • 关键字: 三星  S7   

三星失去了双曲面屏幕的垄断 将面临什么

  • 目前安卓手机行业正面临同质化严重、缺乏创新等问题,智能手机发展到今天,到底还有哪些可能性?参数配置更加强大?还是硬件的不断升级?这些都很难说是创新。
  • 关键字: 三星  S7   

三星S7拆解图集 三星S7真机拆机

  •   三星S7上市了,但是还有很多用户关注的东西三星并没有公布。三星S7是否采用水冷散热。需要通过真机拆解才能知道。下面分享网友拆解三星S7的过程,三星S7通过拆机能够了解三星S7。                                             &nb
  • 关键字: 三星  S7  

【E课堂】MOSFET管驱动电路基础总结

  •   关于MOSFET很多人都不甚理解,这次小编再带大家仔细梳理一下,也许对于您的知识系统更加全面。下面是对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料。  在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的。  1、MOS管种类和结构  MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N
  • 关键字: MOSFET  驱动电路  

三星S7处理器跑分曝光 成绩不如麒麟950

  •   在今年旗舰智能机的比拼中,新一代的旗舰级处理器势必会成为关键,其中以高通骁龙820、联发科HelioX20、华为旗舰950以及三星Exynos8890这四大处理器中决出胜负,其中骁龙820、HelioX20、麒麟950的性能跑分都已经公之于众,而近日Exynos8890处理器的跑分也首次曝光了。   虽然三星Exynos8890处理器早已经在去年发布,但是关于该处理器的性能跑分却一直都是未知数,让人很是期待这款三星旗舰级处理器的性能到底如何,这次在知名跑分网站Geekbench上,终于出现了搭载Ex
  • 关键字: 三星  S7  
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s7 mosfet介绍

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