有刷直流电机通过电刷进行换向。以下是关于有刷直流电机的一些关键点：典型的转子(也就是电枢)上有绕组，并且在其末端连有换向器电刷与换向部分连接和断开，从而将能量传递到电枢永磁直流电机的定子(或外部机筒)将有
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MOSFET 光学编码器 PWM 有刷直流电机驱动器
看到这个主题，可能有些工程师会问：多少伏的功率MOSFET，耐压BVDSS不就是多少伏吗?这里面还有什么被忽略的内容?细节决定技术，今天研究功率MOSFET数据表中BVDSS所隐藏的一些有意思的细节，来理解这个参数所设定的含义。
数据表中漏源击穿电压BVDSS通常定义为漏电流为250uA时漏极到源极的电压，漏极到源极的漏电流表示为IDSS。数据表中标称BVDSS电压是在栅极和源极S短路、25℃的工作温度、漏极和源极不发生雪崩击穿时，所能施加的最大的额定电压，测试的电路如图1所示。关于雪崩击穿问题
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MOSFET BVDSS
摘要：基于S7—200PLC村机械于的运动进行一系列控制，这些运动包括手臂上下、左右直线运动，手腕旋转运动，手爪夹紧动作和机械手整体旋转运动等。所采用的动力机构是步进电机，能够做到精确控制。在多个行程开
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机械手 S7―200PLC 步进电机
S7-300PLC的应用非常广泛，在设计选型和调试及实际应用中可能会碰到各种各样的问题，下面就S7-300PLC在选型和应用中的一些要点做一下分析。
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S7-300PLC
Strategy Analytics统计显示，三星S7 Edge凭借1330万台的出货成为上半年安卓阵营全球销量第一(全品第一是iPhone 6S)。
现在，这款爆品拿到新的嘉奖。
据外媒报道，Mobile Choice Consumer Awards(移动设备消费者选择奖)揭晓，S7 edge获封全球最佳手机，同时三星也被投为最佳手机制造商。
作为一项举办16年的老牌奖项，今年的获奖阵容中也出现了国产手机的身影，华为P9成为“拍照王&rdqu
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三星 S7
Fairchild，现在是安森美半导体的一部分，今天推出了其SuperFET® III系列，用于650V N沟道MOSFET，这是该公司新一代的MOSFET，可满足最新的通信、服务器、电动车(EV)充电器和太阳能产品的更高功率密度、系统效率和优越的可靠性要求。
SuperFET III MOSFET系列兼具一流可靠性、低EMI、卓越效率和优异热性能，是高性能应用的理想之选。一流性能之外，该系列还提供了广泛的封装选择，赋予了产品设计者更大的灵活性，特别是对于尺寸受限的设计。
Fair
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Fairchild MOSFET
英飞凌科技股份公司推出800 V CoolMOS™ P7系列。该800 V MOSFET基于超级结技术，兼具出类拔萃的性能和优异的易用性。这个新的产品家族非常适于低功率SMPS应用，可完全满足性能、易于设计和性价比等市场需求。它主要侧重于反激式拓扑，这种拓扑常见于适配器、LED照明、音频、工业和辅助电源等应用。
800 V CoolMOS P7系列可将效率提高最多0.6%。比之CoolMOS C3，或者比之典型反激式应用中测试的其他竞争对手产品，这相当于将
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英飞凌 MOSFET
1 引言
等离子熔射由于其温度高且能量集中，能够熔射金属、陶瓷或复合材料的特点在表面改性、功能薄膜制备和材料加工工程中被广泛应用。为了保证熔射皮膜成形性与成形质量，必须在数字图像处理、过程控制、人工智能等方法基础上进行系统集成控制与工艺优化。当前国际上几大热喷涂设备和材料生产厂家，如英国Metallisation公司、瑞士Sulzer-Metco公司和美国Praxair公司等，已推出基于PC+PLC+现场检测+过程控制的等离子熔射系统。但是由于国际上相关熔射设备价格昂贵，不能引进到国内每一个加工
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PLC S7-300
如何实现西门子S7-300 PLC与DCS控制系统的通信, 一、 引言 现代工业的迅速发展，不断促进着自动化控制技术及设备通信技术创新的发展。当前，PLC、DCS、智能仪表等已广泛应用到现场生产控制系统中，并发展到由上述设备相互协同、共同面向整个生产过程的分布式
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S7-300 PLC DCS控制系统 嵌入式
横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)推出一系列采用TO-220 FullPAK (TO-220FP)宽爬电间距封装的功率晶体管，其中包括采用防电弧封装的全球首款1500V超结MOSFET。
电视和PC等设备常用的开放式电源表面很容易聚集尘土和粉尘，导致功率晶体管引脚之间产生高压电弧放电现象，TO-220FP宽爬电间距封装是这类应用功率晶体管的理想选择。在使用2.54mm引脚间隔的常规封装时，需要铸封、引线成形、套管或密封等特殊工
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意法半导体 MOSFET
电的发现是人类历史的革命，由它产生的动能每天都在源源不断的释放，人对电的需求不亚于人类世界的氧气，如果没有电，人类的文明还会在黑暗中探索。
然而在电力电子里面，最重要的一个元件就是IGBT。没有IGBT就不会有高铁的便捷生活。
一说起IGBT，半导体**的人都以为不就是一个分立器件(Power Disceret)嘛，都很瞧不上眼。然而他和28nm/16nm集成电路**一样，是国家“02专项”的重点扶持项目，这玩意是现在目前功率电子器件里
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IGBT MOSFET
一般来讲，寻求更大生活空间的居民会放弃在市区附近生活。尽管住在市区上班方便，并能享受城市服务，但他们更愿意搬到郊区，因为那里房子更大，院子更宽敞。同样，当工程师需要大电流用于负载点(POL)设计时，他们一般会放弃高密度转换器(带集成MOSFET)的便利，取而代之使用一个更复杂的涉及控制器(带外部MOSFET)解决方案。控制器，与郊区环境相类似，具有相对的灵活性和经济性，但会占据更多不动产，更多的电路板空间。
直到最近，电流超过10-15A的应用一般会依赖带外部MOSF
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MOSFET 封装
下面对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。
1，MOS管种类和结构
MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。
至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。
对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且容易制造。所以开
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MOS管 MOSFET
横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)在混动汽车和电动汽车(EV，Electric Vehicles)市场发布了先进的高能效功率半导体器件，同时还公布了新产品AEC-Q101汽车质量认证时间表。
电动汽车和混动汽车通过提高电能利用率来延长续航里程。意法半导体最新的碳化硅(SiC)技术让车企能够研制续航里程更长、充电速度更快的电动和混动汽车，使其更好地融入车主的生活。作为碳化硅技术的领导者，针对汽车所有主要电气模块，意法半导体率先推
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意法半导体 MOSFET
s7 mosfet介绍
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