- 如何实现西门子S7-300 PLC与DCS控制系统的通信, 一、 引言 现代工业的迅速发展，不断促进着自动化控制技术及设备通信技术创新的发展。当前，PLC、DCS、智能仪表等已广泛应用到现场生产控制系统中，并发展到由上述设备相互协同、共同面向整个生产过程的分布式
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S7-300 PLC DCS控制系统 嵌入式
- 横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)推出一系列采用TO-220 FullPAK (TO-220FP)宽爬电间距封装的功率晶体管，其中包括采用防电弧封装的全球首款1500V超结MOSFET。
电视和PC等设备常用的开放式电源表面很容易聚集尘土和粉尘，导致功率晶体管引脚之间产生高压电弧放电现象，TO-220FP宽爬电间距封装是这类应用功率晶体管的理想选择。在使用2.54mm引脚间隔的常规封装时，需要铸封、引线成形、套管或密封等特殊工
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意法半导体 MOSFET
- 电的发现是人类历史的革命，由它产生的动能每天都在源源不断的释放，人对电的需求不亚于人类世界的氧气，如果没有电，人类的文明还会在黑暗中探索。
然而在电力电子里面，最重要的一个元件就是IGBT。没有IGBT就不会有高铁的便捷生活。
一说起IGBT，半导体**的人都以为不就是一个分立器件(Power Disceret)嘛，都很瞧不上眼。然而他和28nm/16nm集成电路**一样，是国家“02专项”的重点扶持项目，这玩意是现在目前功率电子器件里
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IGBT MOSFET
- 一般来讲，寻求更大生活空间的居民会放弃在市区附近生活。尽管住在市区上班方便，并能享受城市服务，但他们更愿意搬到郊区，因为那里房子更大，院子更宽敞。同样，当工程师需要大电流用于负载点(POL)设计时，他们一般会放弃高密度转换器(带集成MOSFET)的便利，取而代之使用一个更复杂的涉及控制器(带外部MOSFET)解决方案。控制器，与郊区环境相类似，具有相对的灵活性和经济性，但会占据更多不动产，更多的电路板空间。
直到最近，电流超过10-15A的应用一般会依赖带外部MOSF
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MOSFET 封装
- 下面对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。
1，MOS管种类和结构
MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。
至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。
对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且容易制造。所以开
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MOS管 MOSFET
- 横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)在混动汽车和电动汽车(EV，Electric Vehicles)市场发布了先进的高能效功率半导体器件，同时还公布了新产品AEC-Q101汽车质量认证时间表。
电动汽车和混动汽车通过提高电能利用率来延长续航里程。意法半导体最新的碳化硅(SiC)技术让车企能够研制续航里程更长、充电速度更快的电动和混动汽车，使其更好地融入车主的生活。作为碳化硅技术的领导者，针对汽车所有主要电气模块，意法半导体率先推
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意法半导体 MOSFET
- 5月24日消息，科技新闻网站DigitalTrends称，尽管目前智能手机市场依然低迷，但韩国三星电子通过新的经营哲学实现增长。
一年前，三星电子看似前途迷茫，其旗舰智能手机表现不尽如人意，整个手机市场正步入衰退。不过在短短一年的时间里，三星电子取得了长足的进步，其前景也看似更加光明。这背后的原因不是手机市场重新回到高增长时代，而是三星电子自身的经营哲学发生了变化。
三星电子第一次选择不走寻常路，其不再尝试通过硬件配置击败竞争对手。与此同时，三星电子也停止了“讨好所有人&rdq
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三星 S7
- 英飞凌科技股份公司为其EiceDRIVER™ Compact隔离型门级驱动IC产品家族带来了宽体封装新成员。全新1EDI Compact 300 mil器件采用DSO-8 300 mil封装，可增大爬电距离并改善热性能。 全新IC的爬电距离为8 mm，输入至输出隔离电压1200 V。它们专为驱动高压功率MOSFET和IGBT而设计。目标应用包括通用和光伏逆变器、工业变频器、电动汽车充电站、焊接设备及商用和农用车等。优化的
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英飞凌 SiC-MOSFET
- 基于超级结技术的功率MOSFET已成为高压开关转换器领域的业界规范。它们提供更低的RDS(on)，同时具有更少的栅极和和输出电荷，这有助于在任意给定频率下保持更高的效率。在超级结MOSFET出现之前，高压器件的主要设计平台是基于平面技术。但高压下的快速开关会产生AC/DC电源和逆变器方面的挑战。从平面向超级结MOSFET过渡的设计工程师常常为了照顾电磁干扰(EMI)、尖峰电压及噪声考虑而牺牲开关速度。本应用指南将比较两种平台的特征，以便充分理解和使用超级结技术的优点。
为了理解两种技术的差异，我
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MOSFET 超级结结构
- 横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST;纽约证券交易所代码：STM)最新的MDmeshTM DM2 N-通道功率MOSFET为低压电源设计人员提高计算机、电信网络、工业、消费电子产品的能效创造新的机会。 全世界的人都在获取、保存、分享大量的电子书、视频、相片和音乐文件，数据使用量连续快速增长，运行云计算技术的服务器集群、互联互通的电信网络、数据用户终端设备的耗电量也随之越来越高，人们对这些设备能耗最小化的需求越来越多
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意法半导体 MOSFET
- MOSFET和三极管，在ON 状态时，MOSFET通常用Rds，三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况，三极管用饱和Rce，而MOSFET用饱和Vds呢? 三极管ON状态时工作于饱和区，导通电流Ice主要由Ib与Vce决定，由于三极管的基极驱动电流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能简单的仅 由Vce来决定，即不能采用饱和Rce来表示(因Rce会变化)。由于饱和状态下Vce较小，所以三极管一般用饱和Vce表示。 MOS管在ON状态时工作于线性区(相当于三极管的饱
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MOSFET 三极管
- 本文通过等效电路分析，通俗易懂的讲解IGBT的工作原理和作用，并精简的指出了IGBT的特点。可以说，IGBT是一个非通即断的开关，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
IGBT(绝缘栅双极型晶体管)，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。
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IGBT MOSFET
- MOSFET的击穿有哪几种? Source、Drain、Gate 场效应管的三极:源级S 漏级D 栅级G (这里不讲栅极GOX击穿了啊，只针对漏极电压击穿) 先讲测试条件，都是源栅衬底都是接地，然后扫描漏极电压，直至Drain端电流达到1uA。所以从器件结构上看，它的漏电通道有三条：Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate。 1) Drain->Source穿通击穿: 这个主要是Drain加反偏电压后，使得Drain/Bulk
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MOS管 MOSFET
- 迅速普及的智慧手机市场日趋成熟，处于被其他厂商追赶的三星电子预计难以扩大销售规模，在此背景下，如何确保收益将成为关键。
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三星 S7
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