Si MOSFET管因为其输入阻抗高，随着其反向耐压的提高，通态电阻也急剧上升，从而限制了其在高压场合的应用。SiC作为一种宽禁代半导体器件，具有饱和电子漂移速度高、电场击穿强度高、介电常数低和热导率高等特性。世强代理的Wolfspeed的SiC MOSFET管具有阻断电压高、工作频率高且耐高温能力强，同时又具有通态电阻低和开关损耗小等特点，是高频高压场合功率密度提高和效率提高的应用趋势。
SiC与Si性能对比
简单来说，SiC主要在以下3个方面具有明显的优势为:击穿电压强度高(10倍于S
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SiC MOSFET
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DMN10H120SFG MOSFET作为符合IEEE 802.3标准的48V以太网供电 (PoE) 系统的开关，能够通过以太网线缆向无线接入点、VoIP网络电话、销售点终端、呼叫系统、IP网络监控镜头及楼房管理设备等终端应用供电。
在局域网路由器及中跨设备等供电设备内，100V N通道MOSFET把电源接到五类或六类网线。然后网线就会借由消除供终端设备内的电源降低成本，并提供电力和数据。该器件还保障了终端用户，因为以太网
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Diodes MOSFET
三星电子次代旗舰智慧手机Galaxy S7目前传出有望在明年初亮相，而原先传出S7的CPU有2种版本，分别为高通(Qualcomm)Snapdragon 820、以及三星自家Exynos处理器，不过最新传出，S7恐将打破惯例，成为三星旗下第一款将有3种CPU版本的旗舰机种!
日 本智慧手机/平板电脑评价部落格livedoor Blog 8日转述SamMobile的报导指出，根据最新接获的情报显示，三星S7的CPU版本将有3款，分别为Snapdragon 820、三星次世代晶片Exynos 889
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三星 S7
功率开关是所有功率转换器的核心组件。功率开关的工作性能直接决定了产品的可靠性和效率。若要提升功率转换器开关电路的性能，可在功率开关上部署缓冲器，抑制电压尖峰，并减幅开关断开时电路电感产生的振铃。正确设计缓冲器可提升可靠性和效率，并降低EMI。在各种不同类型的缓冲器中，电阻电容(RC)缓冲器是最受欢迎的缓冲器电路。本文介绍功率开关为何需要使用缓冲器。此外还提供一些实用小技巧，助您实现最优缓冲器设计。
图1： 四种基本的功率开关电路
有多种不同的拓扑用于功率转换器、
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功率开关 MOSFET
简介：不断的思考，不断的理解，不断的总结!希望大家坚持下去!
1、CS单管放大电路
共源级单管放大电路主要用于实现输入小信号的线性放大，即获得较高的电压增益。在直流分析时，根据输入的直流栅电压即可提供电路的静态工作点，而根据MOSFET的I-V特性曲线可知，MOSFET的静态工作点具有较宽的动态范围，主要表现为MOS管在饱和区的VDS具有较宽的取值范围，小信号放大时输入的最小电压为VIN-VTH，最大值约为VDD，假设其在饱和区可以完全表现线性特性，并且实现信号的最大限度放大【理想条件下】
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CMOS MOSFET
摘要： 本文主要阐述了MOSFET在模块电源中的应用，分析了MOSFET损耗特点，提出了优化方法;并且阐述了优化方法与EMI之间的关系。
关键词：MOSFET 损耗分析 EMI 金升阳R3
一、引言
MOSFET作为主要的开关功率器件之一，被大量应用于模块电源。了解MOSFET的损耗组成并对其分析，有利于优化MOSFET损耗，提高模块电源的功率;但是一味的减少MOSFET的损耗及其他方面的损耗，反而会引起更严重的EMI问题，导致整个系统不能稳定工作。所以需要在减少MOSFET的损耗
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MOSFET EMI
关注高能效电源转换的高压集成电路业界领导者Power Integrations公司今日发布InnoSwitch™-EP系列恒压/恒流离线反激式开关IC。新的IC产品系列采用集成式725 V MOSFET、同步整流和精确的次级反馈检测控制，因此可提供出色的多路输出交叉调整率，同时提供全面的输入电压保护和即时动态响应，并且空载功耗低于10 mW。InnoSwitch-EP IC还采用Power Integrations创新的FluxLink™技术，可设计出无需光耦的高效率、高精度和
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Power Integrations MOSFET
意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)的槽栅结构低压MOSFETs STripFET™ F7系列将新增60V的产品线，可协助电信、服务器和台式PC机的电源以及工业电源和太阳能微逆变器的直流-直流(DC/DC)电源转换器达到严格的能效标准要求，最大限度提升电源功率密度。
STripFET F7 MOSFET不仅大幅提高了晶体管的导通能效和开关性能，还简化了通道间的槽栅结构(trench-gate structure)，实现极低的导通电阻、电容和栅电荷量，并取得
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意法半导体 MOSFET
DIY工具，比如无线电钻和电锯必须方便使用且经久耐用。因此，其所用的电子元件必须紧凑、坚固。英飞凌科技股份公司扩展StrongIRFET™ Power MOSFET产品系列，推出同时满足紧凑和耐用要求的解决方案。新推出的逻辑电平 StrongIRFET™ 器件可以直接由单片机驱动，节省空间和降低成本。此外，StrongIRFET™十分坚固耐用，帮助延长电子产品的使用寿命。
经过实验证明StrongIRFET系列器件能够最大限度提高电动工具的能效。这次逻辑电
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英飞凌 MOSFET
e络盟日前宣布新增多款来自全球半导体和分立器件领先供应商威世2015 Super 12系列的创新型无源元件和半导体产品，其中包括电容、电阻及MOSFET，适用于医疗、消费电子、可替代能源、工业、电信、计算及汽车电子等各种应用领域。
e络盟大中华区区域销售总监朱伟弟表示：“e络盟拥有来自全球领先供应商的丰富产品系列，可充分满足广大用户对最新技术的需求，帮助他们进行产品开发与制造。此次新增的几款威世Super 12系列创新型产品均为全球最佳产品。用户可通过e络盟升级版网站，更加快捷地查看
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e络盟 MOSFET
全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild (NASDAQ: FCS) 推出了其行业领先的中压MOSFET产品，采用了8x8 Dual Cool封装。这款新型Dual Cool 88 MOSFET为电源转换工程师替换体积大的D2-PAK封装提供了卓越的产品，在尺寸缩减了一半的同时，提供了更高功率密度和更佳效率，且通过在封装上下表面同时流动的气流提高了散热性能。
Castle Creations, Inc首席执行官Patrick Castillo说：“在我们为每一位
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Fairchild MOSFET
三星对于智能手机屏幕变革的探索似乎从未停止脚步，就当我们还在感叹现如今三星S6Edge双侧弧面屏的视觉冲击，以及它极其出色的色准时，三星手机屏幕的最新一项黑科技又被曝光了。
据外媒报道，根据美国专利商标局信息显示，三星在2014年第三季度申请了一项3D全息显示专利技术，如今正式公布。不过这里提到的全息显示并非是你在影视作品或者其他高科技产品中看到的那样。
根据专利文件显示，该移动设备所使用的都是普通的机身和屏幕。一个导光模组将置于屏幕
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三星 S7
SiC-MOSFET技术新突破。罗姆半导体(ROHM)近日研发出采用沟槽(Trench)结构的SiC-MOSFET，并已建立完整量产机制。新推出的沟槽式SiC-MOSFET和平面型SiC-MOSFET相比，可降低50%导通电阻，大幅降低太阳能发电用功率调节器和工业用变流器等设备的功率损耗。
罗姆半导体功率元件制造部部长伊野和英(左2)表示，新发布的沟槽式SiC-MOSFET采用该公司独有的双沟槽结构专利，目前已开始量产。
罗姆半导体应用设计支援部课长苏建荣表示，相对于Si-IGBT，SiC
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ROHM SiC-MOSFET
据韩媒 etnews 10 日报道指出，三星正在研发中的Galaxy S7代号为“Jungfrau”，有两个版本，一个搭载高通骁龙芯片，另一款采用三星Exynos芯片。如果没猜错的话，三星或将与高通重归于好，韩国国内发售搭载三星Exynons的S7，海外市场则采用高通骁龙芯片版本。
虽然三星今年初发布的Galaxy S6和Galaxy S6 edge均采用Exynos 7420处理器，14nm工艺，先进的制造工艺让 CPU 与 GPU 的主频分别相对于 Exynos 54
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三星 S7
导读：本文主要介绍的是高频开关电源的原理，感兴趣的盆友们快来学习一下吧~~~很涨姿势的哦~~~
1.高频开关电源原理--简介
高频开关电源，其英文名称为Switching Mode Power Supply，又称交换式电源、开关变换器以及开关型整流器SMR，它是一种高频化电能转换装置。其功能是将一个位准的电压，透过不同形式的架构转换为用户端所需求的电压或电流。它主要是通过MOSFET或IGBT的高频工作，开关频率一般控制在50-100kHz范围内，实现高效率和小型化。
2.高频开关电源原
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开关电源 MOSFET 高频开关电源原理
s7 mosfet介绍
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