- 最高性能的金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)将不再由矽晶制成。根据近日在美国夏威夷檀香山举行的2014 VLSI技术研讨会上的研究人员们表示,未来,这种 MOSFET 将改采三五(III-V)族材料在矽基板上生长而成。
在一场由Semiconductor Research Corporation(SRC)所举行的产品展示中,美国加州大学圣塔巴巴拉分校(UCSB)的研究人员们展示他们所宣称世界上最高性能的 MOSFET ──这种 MOSFET 是由在 (InP)上的砷化铟镓(InGaA
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矽晶 MOSFET
- 功率器件一直都是由材料引导技术革新,硅材质的MOSFET已经应用多年,现在面临在功率密度、工作温度和更高电压方面的技术挑战,而解决这一问题最根本的办法是采用更高性能的材料。
宜普电源转换公司(EPC)是首家推出替代功率MOSFET器件的增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管的公司,他们希望借助技术优势快速推广其技术和产品,并于未来数年间取代硅功率MOSFET器件及IGBT,抢夺超过百亿美元的功率转换市场份额。
增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管作为宽频隙器件,其优势包括具有更高功率密度、更
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MOSFET EPC eGaN 201406
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,该公司的Si8851EDB TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET荣获《电子产品世界》杂志的2013年度电源产品奖。 《电子产品世界》年度电源产品奖评选已经举行了11年,面向全球的电源供应商征集参选产品。五个门类的最佳产品奖和最佳应用奖的获奖产品是通过在线投票,以及《电子产品世界》的编辑、专家和工程师的严格评审选出的。Vishay的Si8851EDB能够在便携式计算设备中显著提高效率
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Vishay MOSFET 电子产品世界
- 致力于提供功率、安全、可靠与高性能半导体技术方案的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation,纽约纳斯达克交易所代号:MSCC) 推出全新碳化硅(Silicon Carbide, SiC) MOSFET产品系列 ─ 1200V解决方案。这系列创新SiC MOSFET器件设计用于效率至关重要的大功率工业应用,包括用于太阳能逆变器、电动汽车、焊接和医疗设备的解决方案。 美高森美拥有利用SiC半导体市场增长的良好条件,据市场研究机构Yole Développement预计,从201
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美高森美 MOSFET SiC
- 开关电源是利用现代电力电子技术,控制开关管开通和关断的时间比率,维持稳定输出电压的一种电源,开关电源一般由脉冲宽度调制控制IC和MOSFET构成。随着电力电子技术的发展和创新,使得开关电源技术也在不断地创新。目前,开关电源以小型、轻量和高效率的特点被广泛应用几乎所有的电子设备,是当今电子信息产业飞速发展不可缺少的一种电源方式。
根据中国电源学会收集整理的数据,2008年全国开关电源(主要包含消费类开关电源、工业类开关电源、通信电源、PC电源,下同)产值达到855亿元,2009年达931亿元,
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开关电源 MOSFET
- 1 引言
在工业控制系统的设计和实施过程中,经常会有一些场合(如过船闸门控制、垃圾处理控制等)除了用工业监控软件进行工艺流程数据监控外,还需要配置专业的视频监控系统,以使监控中心能够直观的、全面的掌握现场的实际情况,从而实现安全的远程控制功能。传统的做法一般是另外采用一套独立的模拟信号视频系统,如配置前端设备(含摄像机、镜头、云台、解码器等)、监视器和视频操作键盘;或者采用一套独立的数字信号视频系统,如配置前端设备、带视频采集卡的计算机、视频监控软件。由于视频系统与工控系统相互独立,往往在现场需要各自独
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SIEMENS S7-300
- 1.前言
变频器在能源节约、电力环保方面意义重大,电动机驱动是电能消耗大户,约消耗全国65%发电量,近三十多年来变频调速已在钢铁、冶金、石油、化工、电力等工作中得到广泛运用,其他家用电器例如变频冰箱,变频洗衣机、变频微波炉等也已相继出现,因此设计可靠高性能的变频器电源尤为重要。
变频技术目前得到了广泛的应用,而变频器的可靠稳定运行决定了变频器性能指标,作为基础硬件,变频器电源的高效可靠运行至关重要。如图1所示为变频器的拓扑结构,主要由整流单元、预充电电路、制动单元和逆变单元组成,从图中可知,变频器电源
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AN8026 MOSFET
- 随着城市快节奏的发展,大多数人拥有自己的车,这也使得交通变得拥堵,而汽车在高峰期的走走停停会耗掉很多的能源,不仅浪费还污染环境。故而引进了汽车系统中的“启停”功能,但是这种系统也给汽车电子带来了一些独特的工程技术挑战,汽车启停系统中电源设计是一大难题。本文就为大家介绍一种用于汽车启停的低耗能电源设计。
为了控制燃油消耗,许多汽车制造商在下一代汽车中实现了“启停”功能,而且为数众多的这种汽车已经开始上路。这些系统会在汽车停下来时关闭发动机,当脚从刹车踏板移动
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P-FET MOSFET
- 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 近日推出60V器件以扩充StrongIRFET MOSFET系列,适合多种工业应用,包括电动工具、轻型电动车逆变器、直流电机驱动器、锂离子电池组保护及开关模式电源二次侧同步整流等。 全新60V StrongIRFET功率MOSFET系列具有可提升低频应用性能的超低导通电阻 (RDS(on))、极高的电流承载能力、软体二极管,以及有助于提高噪声免疫力的3V典型临界
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IR StrongIRFET MOSFET
- Allegro MicroSystems, LLC 公司宣布推出针对多输出系统的新型双转换器。Allegro’经 AEC-Q100 标准认证的 A8651 是双 2 A 低 VIN 同步稳压器,带可调频率,整合了高端 P 通道 MOSFET 和低端 N 通道 MOSFET。A8651 整合电流模式控制,可
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Allegro 双转换器 MOSFET
- 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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供电处理器 凌力尔特 MOSFET 均流控制器 二极管
- 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高效率副边 MOSFET 驱动器 LT8311,该器件在隔离式同步正向转换器中无需原边控制就可工作。LT8311 采用独特的预测模式,通过在副边检测信号以控制同步整流,无需信号变压器实现原边至副边通信。这种模式减少了组件数量和解决方案尺寸。 LT8311 在 3.7V 至 30V
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凌力尔 MOSFET LT8311
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用超小尺寸的热增强PowerPAK® SC-70封装的新款双片N沟道TrenchFET®功率MOSFET。Vishay Siliconix SiA936EDJ可在便携式电子产品中节省空间并提高电源效率,在4.5V和2.5V栅极驱动下具有20 V(12V VGS和8V VGS)器件中最低的导通电阻,占位面积为2mm x 2mm。
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Vishay MOSFET SiA936EDJ
- 德州仪器 (TI) 宣布推出 14 款采用 TO-220 及 SON 封装的功率 MOSFET,其支持 40V 至 100V 输入电压,进一步壮大了 TI 普及型 NexFET 产品阵营。高效率 NexFET 包括 40V、60V、80V 以及 100V N 通道器
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TI TO-220 MOSFET NexFET
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