高性能线性和电源解决方案、局域网以及时钟管理和通信解决方案领域的行业领导者麦瑞半导体公司 (Micrel, Inc.) 今天推出一款 85V 全桥 MOSFET 驱动器 MIC4606，该驱动器具有自适应停滞时间和击穿保护功能。这款元件是麦瑞半导体最初于2013年推出的极其成功的 85V MOSFET 驱动器系列的成员，专注于满足多种应用不断增长的电力需求。85V MIC4606 系列是麦瑞半导体为满足电池供电的工具、不间断电源、无线电控制的玩具和不断增长的无人机市场的需求而实施的策略的一部分。MIC
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麦瑞半导体公司 MOSFET MIC4606
日前，德州仪器 (TI) 宣布推出支持小于100uA、业界最低静态电流的700V转换开关，其功耗是现有解决方案的一半，这进一步壮大了 TI 面向离线AC/DC设计的高电压电源解决方案阵营。该UCC28880控制器高度集成700V 功率 MOSFET和高电压电流电源，可帮助输出电流高达100mA的常通电非隔离式电源系统提升整体能源效率，且充分满足智能电表、家庭自动化设备以及大型家用电器等应用需求。如欲了解更多详情，敬请访问：www.ti.com.cn/ucc28880-pr-cn。
TI高电压电源
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德州仪器 AC/DC MOSFET
如何为开关电源电路选择合适的元器件和参数?
很多未使用过开关电源设计的工程师会对它产生一定的畏惧心理，比如担心开关电源的干扰问题、PCB layout问题、元器件的参数和类型选择问题等。其实只要了解了，使用开关电源设计还是非常方便的。
一个开关电源一般包含有开关电源控制器和输出两部分，有些控制器会将MOSFET集成到芯片中去，这样使用就更简单了，也简化了PCB设计，但是设计的灵活性就减少了一些。
开关控制器基本上就是一个闭环的反馈控制系统，所以一般都会有一个反馈输出电压的采样电路以及
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开关电源 PCB MOSFET
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出超低静态电流 (IQ) Hot SwapTM (热插拔) 控制器LTC4231，该器件允许电路板或电池安全地从 2.7V 至 36V 系统中插入和拔出。LTC4231 控制一个外部 N 沟道 MOSFET，以平缓地给电路板电容器加电，从而避免瞬态放电、连接器损坏和系统干扰。器件在正常工作时静态电流仅为 4µA，在停机模式则降至 0.3µA。为确保低电流工作，欠压和过压阻性分压器连接至一个选通接地，
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凌力尔特 MOSFET LTC4231
摘要：本文介绍了常见的几种在汽车车身上的电机应用，包括直流有刷电机控制，有霍尔/无霍尔直流无刷电机控制和永磁同步电机控制，不论是哪一种电机控制方案，英飞凌公司推出的基于ARM内核的Embedded Power IC都是最理想的选择。
引言
随着电机在汽车上的广泛应用，如何降低能耗，减少噪音，成了工程师们面临的新难题，传统的电动油泵、电动水泵和散热风扇由继电器控制直流电机的开通或者关断，不能进行调速，在怠速状况时电机仍然高速运转，如果采用脉宽调制控制的直流电机或者三相电机，则可以在不同的工况
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英飞凌 ARM 电机控制 MOSFET 微控制器 201409
启动一个硬件开发项目，原始的推动力会来自于很多方面，比如市场的需要，基于整个系统架构的需要，应用软件部门的功能实现需要，提高系统某方面能力的需要等等，所以作为一个硬件系统的设计者，要主动的去了解各个方面的需求，并且综合起来，提出最合适的硬件解决方案。比如A项目的原始推动力来自于公司内部的一个高层软件小组，他们在实际当中发现原有的处理器板IP转发能力不能满足要求，从而对于系统的配置和使用都会造成很大的不便，所以他们提出了对新硬件的需求。根据这个目标，硬件方案中就针对性的选用了两个高性能网络处理器，然后还
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硬件设计 Linear MOSFET
封装的创新非常重要，尤其是在设计适用于支持更大电流的新一代便携式设计所需的超薄的MOSFET时更显得不可或缺。
计算机、工业及电信领域的电源应用设计人员通常使用分立式 MOSFET 支持更高的轨道电路，以提升电源效率，但其难点是如何设计出尽可能小的外形尺寸。现在，设计人员可通过与德州仪器(TI)最新电源模块 II 系列的同步 NexFET™ 电源双管 MOSFET结合，同时实现高效率、低导通电阻以及业界最小尺寸的效果。
最新超薄电源块 II 器件不仅可使产品变得更密集，同时还可
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MOSFET 封装 NexFET
摘要：基于特种工业缝纫机应用范围的拓展，性能不断提升，要求自动缝制单元除有缝纫机自动缝制的功能外，同时兼有自动送料、自动折料、自动取料、自动定位功能。本文采用电控系统+外置可编程PLC实现要求功能，电控系统可采用花样缝纫机的电控系统，外置PLC采用西门子公司的S7-200PLC，系统和PLC间通过通信实现协调控制。通过PLC外部电路和时序控制，实现自动缝制单元中自动送料等缝纫过程中的特殊过程。
随着国内服装行业的不断发展，服装产品对缝制设备的缝制质量和特种加工要求也越来越高，对自动化程度高的自动
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西门子 S7-200 自动缝制单元
氮化镓(eGaN®)功率晶体管继续为电源转换应用设定业界领先的性能基准。由于氮化镓器件具有更低的导通电阻、更低的电容、更大的电流及卓越的热性能，因此使得功率转换器可实现超过98%的效率。
宜普电源转换公司宣布推出六个新一代功率晶体管及相关的开发板。这些由30 V至200 V的产品在很多应用可大大降低导通电阻(RDS(on))并可增强输出电流性能，例如具高功率密度的直流-直流转换器、负载点(POL)转换器、直流-直流及交流-直流转换器的同步整流器、马达驱动器、发光二极管照明及工业自动化等广
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宜普 EPC MOSFET
电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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DC/DC转换器 宽电流 MOSFET 集成型稳压器
全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR)推出汽车级COOLiRFET功率MOSFET AUIRFN8403，适合需要极小占位面积和大电流性能的汽车应用，包括泵电机控制和车身控制等。 使用紧凑5x6mm PQFN封装的AUIRFN8403，是IR运用该公司最先进的COOLiRFET 40V沟道技术的全新器件系列的首款产品，具有3.3 mΩ超低导通电阻和95A大电流承载能力。PQFN封装具有加长管脚，管脚的端口通过电镀进行焊接，从而
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IR MOSFET COOLiRFET
]新日本无线的MEMS传感器累计出货量突破1亿枚，这是新日本无线执行董事兼电子元器件事业部长村田隆明先生今年来访时带来的最新消息，同时在SAW滤波器、MOSFET、光电半导体器件、功率半导体器件和最新型运算放大器等各个方面都有了长足的进步。
记得去年七月份村田隆明来到本刊时，详细介绍了新日本无线将向综合电子元器件供应商转型的发展战略，而今表明这一战略转型已经初步完成。
电子元器件业务已占赢收85%
纵观新日本无线公司历长达50多年的发展历程，可以看到其业务构成主要是独特的模拟技术和微
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MEMS MOSFET 滤波器
球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出大罐式DirectFET MOSFET系列，适用于要求极低导通电阻 (RDS(on)) 的工业应用，包括大功率直流电机，直流/交流逆变器，以及动态ORing热插拔和电熔丝等大电流开关应用。
全新7mm x 9mm x 0.7mm大罐式封装器件提供卓越的导通电阻性能，从而实现较低的导通损耗和更理想的系统效率。这款大罐式产品与中罐式和小罐式DirectFET器件相似，具备
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IR MOSFET DirectFET
最高性能的金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)将不再由矽晶制成。根据近日在美国夏威夷檀香山举行的2014VLSI技术研讨会上的研究人员们表示，未来，这种MOSFET将改采三五(III-V)族材料在矽基板上生长而成。
在一场由Semiconductor Research Corporation(SRC)所举行的产品展示中，美国加州大学圣塔巴巴拉分校(UCSB)的研究人员们展示他们所宣称世界上最高性能的MOSFET──这种MOSFET是由在(InP)上的砷化铟镓(InGaAs)所形成;这种
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III-V族 MOSFET
s7 mosfet介绍
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