Nexperia近日宣布其E-mode GaN FET产品组合新增12款新器件。本次产品发布旨在满足市场对更高效、更紧凑系统日益增长的需求。这些新型低压和高压E-mode GaN FET适用于多个市场，包括消费电子、工业、服务器/计算以及电信，尤其着重于支持高压、中低功率以及低压、中高功率的使用场景。自2023年推出E-mode GaN FET以来，Nexperia一直是业内少有、同时提供级联型或D-mode和E-mode器件的供应商，为设计人员在应对设计过程中的不同挑战提供了更多便捷性。Nexperia
Vishay 推出一款新型硅PIN光电二极管，在可见 / 近红外波长下，该器件可为心率和血氧监测等生物医学应用领域提供更高的灵敏度。与前几代解决方案相比，最新推出的VEMD8082 具有更高反向光电流、更低二极管电容以及上升和下降时间更快的特点。此外，器件体积小至 4.8 mm x 2.5 mm x 0.5 mm，适合集成到智能手表等轻薄设备中。VEMD8082 的高灵敏度典型应用于生物医学应用领域，例如光电容积脉搏波（PPG），其中，光电二极管用于通过测量血管吸收
Cascode GaN FET 动态测试面临的挑战 Cascode GaN FET 比其他类型的 GaN 功率器件更早进入市场，因为它可以提供常关操作并具有更宽的栅极驱动电压范围。然而，电路设计人员发现该器件在实际电路中使用起来并不那么容易，因为它很容易发生振荡，并且其器件特性很难测量并获得可重复的提取。许多设计人员在电路中使用大栅极电阻时必须减慢器件的运行速度，这降低了使用快速 GaN 功率器件的优势。图 1 显示了关断时的发散振荡。图 2 显示了导通时的大栅极电压振铃。两者都与图 3 所示的 Cas
全球增强型氮化镓(GaN)功率 FET 和 IC领域的领导者宜普电源转换公司（EPC）推出 100 V、1 mOhm EPC2361。这是市场上具有最低导通电阻的GaN FET，与EPC的上一代产品相比，其功率密度提高了一倍。EPC2361的RDS(on)典型值只有1 mOhm，采用耐热QFN封装，顶部裸露，封装尺寸只有3 mm x 5 mm。EPC2361的RDS(on)最大值x面积仅为15 mΩ*mm2 –比等效100 V 硅MOSFET的体积小超过五倍。凭借超低导通电阻
宜普电源转换公司（EPC）推出三款激光驱动器电路板，这些板采用了符合AEC-Q101认证标准、快速转换的GaN FET以实现具备卓越性能的激光雷达系统。EPC推出三款评估板，分别是EPC9179、EPC9181和EPC9180，它采用75 A、125 A、231 A脉冲电流激光驱动器和通过车规级AEC-Q101认证的EPC GaN FET - EPC2252、EPC2204A 和EPC2218A。它比前代氮化镓器件的体积小30%和更具成本效益。这些电路板专为长距离和
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