与之前介绍的晶体管放大电路相同，各级FET放大电路之间的连接也必须通过电容连接，以构成CR的连接方式。此时，为保证栅极、源极和漏极间正确的电压关系，就需要偏置电路来提供栅极电压。 与晶体管放大电路的接地方式相同，结型FET放大电路也有多种接地方式。 最一般的源极接地电路和自偏置电路 n沟道FET的例子如下图所示，p沟道FET电源电压VPS(V)和电流ID(A)的方向，与此图完全相反。 FET源极接地电路的功能，与晶体管的共射放大电路一样。由于结型FET的正常工作，要求栅极和源极间的电压VGS为
关键字：
FET 放大电路
常见的PIN-FET电路与输入级不采用FET时，相应的组件就称为PIN-TIA。
关键字：
PIN-FET电路
该电路采用衰减场效应晶体管(FET)分流信号到地面。这个R2是用来控制输出级(衰减等级),但是你可以用其他来源的电压信号来控制网格的FET如DAC输出,这是一种负面的信号电压会(你可以用DAC采用对称与供电系统)。使用FET...
关键字：
FET 压控衰减器
首先介绍一下这样做的优点：采用低的晶振和总线频率使得我们可以选择较小的单片机满足时序的要求，这样单片机的工作电流可以变得更低，最重要的是VDD到VSS的电流峰值会更小。
关键字：
单片机 FET 穿通电流 工作频率
导电能力介于导体与绝缘体之间的物质 - 半导体
硅和锗是位于银、铝等导体和石英、陶瓷等绝缘体之间，用于制造半导体器件的原材料，具有一定电阻率。不同的物质其产生的不同电阻率是由于可移动的电子量不同引起的。这种可移动电子叫“自由电子”。一般我们把可以通过向其摻入杂质来改变自由电子的数量，并可控制电流动的物质称为半导体。
根据电流流动的构造，可将半导体分为N型和P型两类。
半导体的电流流通原理
(1) N型半导体
图1是在硅晶
关键字：
嵌入式系统 FET
EPC公司的第七阶段可靠性报告表明eGaN®FET非常可靠，为工程师提供可信赖及可 替代采用传统硅基器件的解决方案。 宜普电源转换公司发布第七阶段可靠性测试报告，展示出在累计超过170亿器件-小时的测试后的现场数据的分布结果，以及提供在累计超过700万器件-小时的应力测试后的详尽数据。各种应力测试包括间歇工作寿命[(IOL)[、早期寿命失效率[(ELFR)、高湿偏置、温度循环及静电放电等测试。报告提供受测产品的复合0.24 FIT失效率的现场数据。这个数值与我们直至目前为止所取得
关键字：
宜普电源 FET
近日，德州仪器(TI)推出了首款面向高功率锂离子电池应用的单芯片100V高压侧 FET 驱动器。该驱动器可提供先进的电源保护和控制。bq76200高电压解决方案能有效地驱动能量存储系统，以及电机驱动型应用中常用电池里的高压侧N沟道充放电FET，包括无人机、电动工具、电动自行车等等。如需了解更多详情，敬请访问：http://www.ti.com.cn/product/cn/BQ76200?keyMatch=bq76200&tisearch=Search-CN-Everything。
电感性
关键字：
TI FET
无论LED是经由降压、升压、降压/升压或线性稳压器驱动，连接每一个驱动电路最常见的线程就是须要控制光的输出。现今仅有很少数的应用只需要开和关的简单功能，绝大多数都需要从0～100%去微调亮度。目前，针对亮度控制方面，主要的两种解决方案为线性调节LED的电流(模拟调光)或在肉眼无法察觉的高频下，让驱动电流从0到目标电流值之间来回切换(数字调光)。利用脉冲宽度调变(PWM)来设定循环和工作周期可能是实现数字调光的最简单的方法，原因是相同的技术可以用来控制大部分的开关转换器。
PWM调光能调配准确色光
关键字：
PWM FET
导读：本文主要介绍的是PIN是什么，不懂得同学们快来看一下吧，很涨姿势的哦~~~
1.PIN是什么--简介
PIN码 ,全称Personal Identification Number，就是SIM卡的个人识别密码。用于保护智能卡免受误用的秘密标识代码。PIN 与密码类似，只有卡的所有者才知道该 PIN。只有拥有该智能卡并知道 PIN 的人才能使用该智能卡。在输入三次PIN码错误时，手机便会自动锁卡，并提示输入PUK码解锁，需要使用服务密码拨打运营商客服热线，客服会告知初始的PUK码，输
关键字：
PIN SIM PIN是什么
介绍
无线通信接收器前端可能会因同步或异步信号传输形成过载[1],在时域双工系统中，交换器或循环器连接端口间的非完美隔离会造成前者，后者则由两个未相关系统天线间造成的非故意耦合产生，在核磁共振(NMR, Nuclear Magnetic Resonance)接收器中，另一个造成过载的原因为发出刺激脉冲后探针线圈上储存能量所带来的振铃信号[2],缩小低噪声放大器(LNA, Low Noise Amplifier)器件尺寸的作法虽然可以改善射频性能，但却会牺牲过载的承受能力，例如采用0.25μ
关键字：
肖特基 PIN 损耗
介绍
无线通信接收器前端可能会因同步或异步信号传输形成过载[1],在时域双工系统中，交换器或循环器连接端口间的非完美隔离会造成前者，后者则由两个未相关系统天线间造成的非故意耦合产生，在核磁共振(NMR, Nuclear Magnetic Resonance)接收器中，另一个造成过载的原因为发出刺激脉冲后探针线圈上储存能量所带来的振铃信号[2],缩小低噪声放大器(LNA, Low Noise Amplifier)器件尺寸的作法虽然可以改善射频性能，但却会牺牲过载的承受能力，例如采用0.25μ
关键字：
肖特基 PIN 限幅器
摘要：用场效应晶体管设计出有胆味的音频功率放大器。前级采用单管、甲类，后级采用甲乙类推挽放大技术。实验证明差分放大器使用的对管的一致性与整机的失真程度密切相关。从听音效果来看，末级电流200mA是理想值。
前后级间耦合电容对听音影响较大，要求质量高些。
对于音频功率放大器而言，最好听的莫过于甲类放大器。根据频率分析的结果，由集成运算放大器构成的前级声音单薄、缺乏活力。所以，可不可以前级采用单管甲类放大器，后级采用甲乙类功率放大器?这样既兼顾听音需要，又兼顾效率的需要。目前，电子管音频功率放大器仍然占据
关键字：
FET 场效应管 功率放大器
随着城市快节奏的发展，大多数人拥有自己的车，这也使得交通变得拥堵，而汽车在高峰期的走走停停会耗掉很多的能源，不仅浪费还污染环境。故而引进了汽车系统中的“启停”功能，但是这种系统也给汽车电子带来了一些独特的工程技术挑战，汽车启停系统中电源设计是一大难题。本文就为大家介绍一种用于汽车启停的低耗能电源设计。
为了控制燃油消耗，许多汽车制造商在下一代汽车中实现了“启停”功能，而且为数众多的这种汽车已经开始上路。这些系统会在汽车停下来时关闭发动机，当脚从刹车踏板移动
关键字：
P-FET MOSFET
新型灵活应用的高密度电源模块现在能够以易于使用的集成封装提供先进的电热性能。系统性能的提升促进了对更高功率电源的要求，以及由于需要快速实现收入的压力迫使设计人员缩短开发周期，从而对全功能、快速实现电源解决方案的需要呈激增之势。电源模块可以解决这些问题，并提供系统设计人员所需的灵活性和性能，帮助他们从最小的空间获得最大的功率
关键字：
新电源 FET ISL8225
2014年3月17日Silego于美国加州圣克拉拉推出一款基于Silego亚微米铜制程电源FET技术的16 mΩ双通道GreenFET3 负载开关产品即SLG59M1527V。该款负载开关每条通道最高电流可达到 4.5A 、总电流高达9.0A。并且引用Silego CuFETTM 技术来实现低导通电阻、外形尺寸最小同时可靠性提高。 SLG59M1527V是一款以14 pin脚、尺寸为1.0 x 3.0
关键字：
Silego FET SLG59M1527V
pin-fet介绍
您好，目前还没有人创建词条pin-fet!
欢迎您创建该词条，阐述对pin-fet的理解，并与今后在此搜索pin-fet的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473