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pc dram 文章 最新资讯

2023年慕尼黑华南电子展:EEPW&东芯半导体股份有限公司

  • 在本次展会上,东芯半导体也来到了EEPW的直播间。东芯半导体股份有限公司成立于2014年,作为Fabless芯片企业,东芯半导体拥有独立自主的知识产权,聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研发、设计和销售,是目前国内少数可以同时提供NAND/NOR/DRAM设计工艺和产品方案的存储芯片研发设计公司。2022年EEPW曾有幸采访过东芯半导体副总经理陈总,这次在2023年慕尼黑华南电子展上,陈总向我们介绍了东芯半导体这次在展会上带来了全线的产品,包括了NAND/NOR/DRAM。目前东芯在NAND
  • 关键字: 东芯半导体  NAND  NOR  DRAM  存储  

预估第四季Mobile DRAM及NAND Flash合约价均上涨

  • 据TrendForce集邦咨询最新研究显示,第四季Mobile DRAM合约价季涨幅预估将扩大至13~18%。NAND Flash方面,eMMC、UFS第四季合约价涨幅约10~15%;由于Mobile DRAM一直以来获利表现均较其他DRAM产品低,因此成为本次的领涨项目。季涨幅扩大包括几个原因,供应方面:三星扩大减产、美光祭出逾20%的涨幅等,持续奠定同业涨价信心的基础。需求方面:2023下半年Mobile DRAM及NAND Flash(eMMC、UFS)除了受传统旺季带动,华为Mate
  • 关键字: Mobile DRAM  NAND Flash  TrendForce  

高通推出骁龙X Elite——AI赋能的强大平台将为PC带来变革

  • 要点:●   骁龙®X Elite平台采用定制的集成高通Oryon™ CPU,这款行业领先的移动计算CPU的性能高达竞品的两倍;达到相同峰值性能时,功耗仅为竞品的三分之一。●   骁龙X Elite专为AI打造,支持在终端侧运行超过130亿参数的生成式AI模型,凭借快达竞品4.5倍的AI处理速度,其将继续扩大高通在AI领域的领先优势。●   OEM厂商预计将于2024年中推出搭载骁龙X Elite的PC。在骁龙峰会期间,高通技术公司宣布推出公司迄
  • 关键字: 高通  骁龙X Elite  PC  

通胀冲击消费电子终端买气,2022年DRAM模组厂营收年减4.6%

  • 受高通胀冲击消费电子产品买气影响,据TrendForce集邦咨询统计,2022年全球DRAM模组市场整体销售额173亿美元,年衰退约4.6%;其中各模组厂因供应的领域不同,使得各家营收表现差异较大。TrendForce集邦咨询统计,2022年全球前五大存储器模组厂占整体销售额90%;前十名则合计囊括全球模组市场的96%营业额,其中Kingston(金士顿)的市占达78%,虽营收小幅下跌,仍维持全球第一。尽管终端市场需求不佳,但基于Kingston品牌规模,加上完整的产品供应链,使得其营收衰退幅度较小,仅衰
  • 关键字: 消费电子  DRAM  模组  

英特尔启动首个AI PC加速计划

  • 惠及亿台 PC!英特尔发布AI PC加速计划—融合百家ISV和300余AI加速功能,英特尔AI PC加速计划将惠及亿台PC
  • 关键字: 英特尔  AI PC  

三星、SK海力士拿到无限期豁免权

  • 10月9日,韩国总统办公室通报,美国目前已做出决定 —— 在无需单独批准的情况下,三星和SK海力士可以向中国工厂提供半导体设备,该决定一经通报即生效。据悉,无限期豁免将通过更新Validated End-User(VEU)清单来取得。若被纳入该清单,便无需额外获得许可,代表美国出口管制的适用性实际上是被无限期暂停。三星在一份声明中表示,“通过与相关政府的密切协调,与我们在中国的半导体生产线运营有关的不确定性已大大消除。”SK海力士则表示,“我们欢迎美国政府决定延长对出口管制规定的豁免。我们相信,这一决定将
  • 关键字: 三星  SK海力士  NAND  DRAM  半导体设备  

Gartner:市场已触底,Q3全球PC出货量下降9%

  • PC 市场经历连续八个季度下滑后,预计 2023 年第四季度开始复苏。
  • 关键字: PC  

存储芯片,果真回暖了

  • 受需求放缓、供应增加、价格竞争加剧等因素影响,存储芯片的价格在 2022 年最后两个季度均出现暴跌。根据 TrendForce 的最新数据显示,DRAM 的平均价格继 2022 年第三季度暴跌 31.4% 之后,在第四季度的跌幅扩大到了 34.4%。今年 Q1,DRAM 均价跌幅收敛至 13%~18%,Q2 DRAM 价格跌幅收窄至 10% 到 15%。与 DRAM 市况相似,NAND 闪存的市场需求也大幅下滑。2022 年 Q3 和 Q4 NAND Flash 价格跌幅均超过 20%,今年 Q1 NAN
  • 关键字: NAND  SSD  DRAM  

高通下一代智能PC计算平台将采用全新命名体系——骁龙X系列

  • 高通技术公司自推出骁龙8cx计算平台以来,持续驱动消费级PC和商用PC的体验,不断突破创新边界。我们推出了全球首款商用5G PC平台,引领计算平台连接方式的发展;我们还针对笔记本电脑推出了全球首个面向AI处理的专用NPU;同时也在每瓦特性能方面保持领先,让终端产品仅需一次充电,即可实现长达多天的电池续航。今天,我们正式推出专为变革下一代PC体验的平台而打造的全新命名体系——骁龙X系列。2024年将成为PC行业的转折点,骁龙X计算平台将带来更高水平的性能、AI、连接和电池续航。骁龙X系列平台基于高通在CPU
  • 关键字: 高通  PC  骁龙X系列  

​CPU 开始沦为配角

  • 最近,英特尔财务长 DavidZinsner 表示,虽然数据中心芯片需求在过去两季有所好转,但库存消化将比电脑芯片更长,可能还要过几季才能达到较佳的状态。在这个 AI 被炒的火热的时代,当英特尔说数据中心芯片的库存正在积压,出乎很多人的意料。前所未有的压力PC 产业正同时经历「加速运算」和「生成式 AI」两大转变。据 Gartner 最新报告,2023 年全球用于 AI 的硬件销售收入预计将达到 534 亿美元,按年增长 20.9%,这一销售还将在 2024 年进一步增长到 671 亿美元,在 2027
  • 关键字: PC  英特尔  AI  

1γ DRAM、321 层 NAND: 主流厂商新一轮装备竞赛已拉开帷幕

  • IT之家 10 月 10 日消息,闪存市场固然存在全球经济下行、高通胀等诸多因素影响,依然处于充满挑战的时期,但美光、三星等 DRAM 巨头正积极备战 1γ DRAM 技术。图源:SK 海力士DRAM目前全球最先进的 DRAM 工艺发展到了第五代,美光将其称为 1β DRAM,而三星将其称为 1b DRAM。美光于去年 10 月开始量产 1β DRAM,不过研发的目标是在 2025 年量产 1γ DRAM,这将标志着美光首次涉足极紫外 (EUV) 光刻技术。而三星计划 2023 年迈入 1b D
  • 关键字: DRAM  闪存  

为什么苹果M2能在PC领域独树一帜?

  • 英特尔、AMD 和苹果都拥有强大的 CPU 和 GPU 架构,苹果的 M2 却在 PC 领域独树一帜。
  • 关键字: 苹果M2  PC  

1γ DRAM、321层NAND!存储大厂先进技术竞赛仍在继续

  • 尽管由于经济逆风、高通货膨胀影响,存储产业身处下行周期,但存储大厂对于先进技术的竞赛仍在继续。对DRAM芯片而言,先进制程意味着高能效与高容量,以及更好的终端使用体验。当前,DRAM先进制程工艺——10nm级别目前来到了第五代,美光称之为1β DRAM,三星称之为1b DRAM。美光去年10月开始量产1β DRAM之后,计划于2025年量产1γ DRAM,这将是美光第1代采用极紫外光(EUV)的制程技术,目前在美光只在台中有EUV的制造工厂,因此1γ制程势必会先在台中厂量产,未来日本厂也有望导入EUV
  • 关键字: DRAM  NAND  存储  

面对美国的护栏最终规则,韩国半导体公司被建议改变中国市场战略

  • 面对美国的护栏最终规则,韩国半导体公司被建议改变中国市场战略据韩国新闻媒体报道,随着拜登政府最终确定CHIPS和《CHIPS法案》(CHIPS法案)资金分配和限制的国家安全护栏,韩国半导体公司可能不得不改变他们在中国的业务,并利用其在那里的成熟节点能力来针对国内需求的产品。关于最终规则对三星和SK海力士的影响,人们有不同的意见。但有一点是肯定的:希望获得CHIPS法案资助的公司在美国扩大产能的公司将不得不接受拜登政府设定的条件,并在未来10年内避免在中国进行实质性产能扩张。商务部的新闻稿显示,补贴接受者在
  • 关键字: CHIPS法案  韩国半导体  DRAM  NAND  

集邦咨询:2023Q4 NAND 价格预估增长 3-8%,DRAM 要开启增长周期

  • IT之家 9 月 27 日消息,存储制造商在经历了有史以来最长的下降周期之后,终于看到了 DRAM 市场复苏的希望。根据集邦咨询报道,伴随着主要存储制造商的持续减产,已经市场去库存效果显现,预估 NAND Flash 价格回暖之后,DRAM 价格也会上涨。NAND 闪存供应商为减少亏损,2023 年以来已经进行了多次减产,目前相关效果已经显现,消息称 8 月 NAND Flash 芯片合约价格出现反弹,9 月继续上涨。行业巨头三星继续减产,主要集中在 128 层以下产品中,在 9 月产量下降了
  • 关键字: 存储  DRAM  NAND Flash  
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