- 闪存密度越来越高带来的是更大容量的设备，但是如果要做到更小尺寸怒，那非得减少闪存芯片的面积不可。镁光今天宣布推出全球最小的128Gb NAND闪存芯片，采用20纳米制程，TLC闪存技术，裸片面积只有146平方毫米，比目前的MLC芯片尺寸小25%。
TLC闪存每单元存储3bit数据，它更高的密度的代价是相对较低的写入速度和较差的耐久力，目前只有三星840系列固态硬盘使用这种技术。
不过镁光也并没有将其用在SSD上的打算，128Gb的NAND目前只会用于可移动存储市场，例如SD和USB闪存驱动
- 关键字：
镁光 NAND
- 根据信息与数据分析公司IHS iSuppli发布的最新数据报告，虽然苹果公司对闪存(NAND)需求旺盛，但由于超级本销售仍然低迷，使得全球闪速存储器市场收益下降了7个百分。去年，闪存(NAND)产业收益由2011年的212亿美元下跌至2012年的197亿美元。不过，经过去年的低迷期，今年收益将有所增长，达到224亿美元，并在接下来的几年内持续增长。
具体可参见下表。
“闪 存具备高密度内存，大容量传输的性能。在2012年，苹果iPhone是NAND的
- 关键字：
闪存 NAND
- 1 引言嵌入式系统中通常都需要存放一些非易失性数据, 并且数据量的大小和数据类型根据不同的系统需求差异很大。因此选取合适的存储器是完成数据存储系统的第一步, 更重要的是使存储系统长期稳定、高效的工作, 这就必
- 关键字：
管理 嵌入式 Flash 转换 状态 分块 基于
- 据IHS iSuppli Data的闪存市场追踪报告，2012年苹果iPhone是推动NAND闪存消费的最大因素。由于超级本未能实现腾飞，2012年NAND闪存营业收入萎缩。
- 关键字：
苹果 闪存 NAND
- NAND Flash内存设备的读写控制设计,引言
NOR Flash和NAND Flash是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Flash因为具有非易失性及可擦除性，在数码相机、手机、个人数字助理( PDA)、掌上电脑、MP3播放器等手持设备中得到广泛的应用。NAND Flash
- 关键字：
控制 设计 读写 设备 Flash 内存 NAND
- 引言LIN协会于1999年发布了第一版LIN协议，至今已有十几年了，在这十几年中，LIN总线不断发展，已经在以车身控制为...
- 关键字：
LIN2.1协议 定时器 Flash
- 基于ARM11的Linux NAND FLASH模拟U盘挂载分析,０ 引 言
现阶段嵌入式产品作为Ｕ 盘挂载到ＰＣ机上在各类电子产品中被越来越多的应用，Ｌｉｎｕｘ操作系统在电子产品中的应用也越来越广泛，但是Ｌｉｎｕｘ中模拟Ｕ盘挂载到ＰＣ机中，与ＰＣ机上通用Ｗｉｎｄｏ
- 关键字：
模拟 分析 FLASH NAND ARM11 Linux 基于
- 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
- 关键字：
Flash 存储管理策略 嵌入式系统
- 日本媒体报导，全球第2大NAND型快闪记忆体(FlashMemory)厂商东芝(Toshiba)于21日宣布，因半导体需求回温，故旗下日本半导体工厂将于今年年末的元旦假期期间加班赶工。东芝表示，于去年元旦假期停工8天的姬路半导体工厂今年将不停工持续进行生产;大分工厂今年元旦假期期间的停工天数则将自去年的6天减半至3天。
东芝姬路半导体工厂主要生产马达/PC用电源控制晶片、大分工厂主要生产影像感测器及系统整合晶片(SystemLSI)。
东芝于10月31日将今年度(2012年4月-2013年
- 关键字：
Toshiba FlashMemory NAND
-
市调机构集邦科技旗下研究部门DRAMeXchange调查，虽然系统产品年底销售旺季备货高峰期已过，然在NAND Flash原厂持续对于零售市场减量供货的情况下，12月上旬NAND Flash合约价较11月下旬仅小跌1-2%，预估缓跌走势将持续至明年1月份。
集邦表示，SK海力士在12月11日遇到产线短暂跳电，但相关NAND Flash的营运没有受到影响，现货价格虽因此有微幅上涨，但整体需求偏弱格局不变。市场面观察，智慧型手机与平板电脑厂商圣诞假期铺货高峰大多落在11月底与12月初
- 关键字：
SK NAND Flash 手机
- 在嵌入式设计中，许多应用设计都需要使用EEPROM 存储非易失性数据，由于成本原因，某些单片机在芯片内部并没有集成EEPROM。MSP430G 系列处理器是TI 推出的低成本16 位处理器，在MSP430G 系列单片机中并不具备EEPROM。为了存储非易失性数据，MSP430G 系列处理器在芯片内部划分出了256 字节的Flash 空间作为信息Flash，可用于存储非易失性数据，但是由于Flash 与EEPROM 在擦写寿命上存在一定差距，所以在实际应用中，这种应用方式并不能够满足所有客户的需求。本
- 关键字：
擦写 寿命 方法 Flash 单片机 MSP430G 系列 提高
- 11月29日消息，据国外媒体报道，荷兰一家法庭周三作出了有利于苹果的判决，责令禁止出售特定的三星Galaxy平板电脑和智能手机，因为这些产品侵犯了苹果的专利。
据悉，这项禁令适用于版本较老的三星Android设备，这些产品使用了通过触摸屏将图片拖入相册的苹果专利技术。法庭表示，这些2.2.1版本及以上的Galaxy设备并未使用三星更新后的“蓝色闪光”(blue flash)相册技术。
这家荷兰法庭在今周三作出裁决称，如果三星拒绝执行这项判决，那么就必须向苹果支付每天
- 关键字：
苹果 Galaxy blue flash
- 三星840系列固态硬盘开启了一个新时代，TLC NAND闪存首次用于消费级产品。关于这种闪存的原理、架构技术，以及三星840的性能、可靠性，我们都已经做了比较深入的介绍，今天再来看看TLC闪存本身的寿命问题。
遗憾的是，没有任何厂商公开谈论过TLC闪存的可靠程度，只能猜测编程/擦写循环(P/E)次数大概是1000-1500次(20/25nm MLC大约是3000次)，而且三星不像Intel那样会告诉你具体的闪存写入量，再加上写入放大的缘故，根本无从得知写入了多少数据。
不过还是有个变通方法
- 关键字：
三星 闪存 TLC NAND
nand-flash介绍
您好，目前还没有人创建词条nand-flash!
欢迎您创建该词条，阐述对nand-flash的理解，并与今后在此搜索nand-flash的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
