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nand-flash 文章 最新资讯

一步步解决UCGUI汉字字库

  • UCGUI设计中汉字字库也是大家最关注的问题之一。主要的问题是在于,使用C文件的字库太大,一个12×12的汉字字库文件有2M以上,一般的控制器内部存储容量是接受不了的。那么让UCGUI使用外部FLASH中的字库就成为大势所趋。接下来介绍如何让UCGUI使用外部FLASH中的字库。
  • 关键字: UCGUI  FLASH  W25Q64  函数  

10月快闪存储器NAND供过于求 合约价看涨

  •   市调机构集邦科技预期,第4季储存型快闪存储器(NANDFlash)供过于求情况可望趋缓,10月合约价看涨。   集邦科技表示,海力士(Hynix)中国大陆无锡厂发生火灾意外,不仅带动动态随机存取存储器(DRAM)价格飙涨,同时激励9月NANDFlash合约价上涨3%至6%。   集邦科技指出,尽管NANDFlash市场销售并无好转迹象,不过,海力士无锡厂复工情况依然混沌不明,NANDFlash供给将连带受到影响,预期第4季NANDFlash市场供过于求情况可望趋缓。   集邦预期,近期1至2个月
  • 关键字: 快闪存储器  NAND  

用DNW通过USB烧uboot到nand

  • 烧写前提:已经把FS2410开发板的S3C2410_BIOS.bin通过JTAG烧到了NOR里面了,这样我们从NOR启动才可以使用US...
  • 关键字: DNW  USB  uboot  nand  

基于FPGA的SPI Flash控制器的设计方案

  • 本文提出一个基于FPGA的SPI Flash读写硬件实现方案,该方案利用硬件对SPI Flash进行控制,能够非常方便地完成Fl ...
  • 关键字: FPGA  SPI  Flash  控制器  

从Flash和SRAM中触发中断的过程示例(二)

  • 启动汇编代码  ;*********************************************************************  ; 汇编 ...
  • 关键字: Flash  SRAM  触发中断  

从Flash和SRAM中触发中断的过程示例(一)

  • 使用LPC2106的Timer 1 进行的简单的中断处理。示例代码中Timer1分为FIQ和IRQ,用户可以从Flash或者SRAM中运行 ...
  • 关键字: Flash  SRAM  触发中断  

基于嵌入式MCU数据Flash的数据存储及管理方法研究与实现

  • 摘要:本文设计了一种利用MCU内部数据Flash存储非易失性数据的方法,它将数据Flash的若干扇区划分为多个数据分区,不同数据分区存储数据在不同历史时间的拷贝,最新数据分区存储最新的数据拷贝;在数据读操作进行时,计算最新数据拷贝的Flash存储位置,直接读取该地址;在数据写操作进行时
  • 关键字: 嵌入式  MCU  Flash  数据存储  EEPROM  201310  

狼、羊、草过河与嵌入式固件更新

  • 狼、羊、草过河问题(也有叫狼、羊、白菜过河之类的名字)是说:有一人带着一只部分驯化的狼(强调部分驯化是说明,人在场的情况下狼不会吃羊,不然要被指出逻辑漏洞了)、一只山羊和一些草来到河的左岸,欲乘一只很小的船过到河的右岸,每次人只能带其中一个过河,当有人在时,狼、羊、草都不会有事;当无人在时,就不允许狼羊在一起,也不允许羊和草在一起,问应如何过河?
  • 关键字: 嵌入式  Flash  RAM  缓冲区  

采取多元化战略,加强在华合作

  • 编者按:8月初,Spansion宣布两项重大举措:一,完成对富士通微控制器(MCU)和模拟业务的收购;二,签署与XMC(武汉新芯集成电路制造公司)的技术许可协议。可见,Spansion由最大的独立闪存公司变身为多元产品公司,并且加深与中国代工厂的合作。是什么促使Spansion做此决定?Spansion对华战略如何?
  • 关键字: 富士通  Spansion  MCU  NAND  201309  

三星宣布量产全球首个3D垂直闪存V-NAND

  •   三星电子在存储技术上的领先的确无可匹敌,今天又宣布已经批量投产全球第一个采用3D垂直设计的NAND闪存“V-NAND”。这年头,3D堆叠已经成了潮流,处理器、内存什么的都要堆起来。   三星的V-NAND单颗芯片容量128Gb(16GB),内部采用三星独有的垂直单元结构,通过3D CTF电荷捕型获闪存技术、垂直互连工艺技术来连接3D单元阵列。   三星称,这种新闪存的拓展能力是普通2xnm平面型闪存的两倍以上,可靠性提升最少2倍、最多10倍,而且写入性能也可达到1xnm N
  • 关键字: 三星  V-NAND  

半导体厂扩产 力成进补

  •   不让韩国三星专美于前,日本半导体大厂东芝及美商晟碟(SanDisk)6日宣布,将共同斥资4,000亿日圆(约新台币1,221.2亿元),于日本三重县四日市兴建储存型快闪存储器(NAND Flash)新厂,导入最新16至17纳米制程,使总产能提升20%,明年4月量产,为在台后段封测厂力成(6239)营运挹注成长动能。   这是三星在上月宣布调高今年半导体资本支出后,东芝近两年来首度做出增产决定,因为苹果中低价手机和大陆手机的强劲需求。   研究机构统计,去年全球NAND Flash出货量,三星居全球
  • 关键字: 半导体  NAND  

单片机(MCU)选型的七条军规

  • 单片机的选型是一件重要而费心的事,如果选型得当,则做出来的产品就会性价比较高,且工作稳定;反之,则可能会造成产品成本过高或影响产品正常运行,甚至可能根本就达不到预先设计要求。
  • 关键字: 单片机  MCU  内存  FLASH  编译器  

NAND闪存第一季度意外出现短缺

  • 据IHS公司的移动与嵌入存储市场追踪报告,今年第一季度中国低端智能手机的需求大增,让内存供应商措手不及,刺激了NAND闪存市场的增长并导致其出现供应短缺。
  • 关键字: IHS  NAND  

第一季度SSD出货劲增,尤其是在超级本与PC平板领域

  • 据IHS公司的存储市场追踪报告,超薄/超级本PC以及PC平板的使用大增,在第一季度极大地推动了固态硬盘(SSD)的发展。SSD在这些领域的出货量同比激增两倍。
  • 关键字: IHS  SSD  NAND  HDD  

芯片制造设备行业2014年前景看好

  •   据国外媒体报道,芯片厂商尚未打破增长-衰退交替出现的规律。周一从芯片行业展会SemiconWest上透露出的一个关键信息是,尽管对芯片产业2013年增长的预期落空,但明年的前景要光明得多。   SEMI(半导体设备暨材料协会)预计,2013年芯片制造设备营收将下降约2%。SEMI高管丹尼尔·特拉西(DanielTracy)预测,2014年芯片制造设备营收将猛增21%。   当然,SEMI以往曾对芯片制造设备营收作出过高的预期。1年前,SEMI曾预计2013年芯片制造设备营收将增长约1
  • 关键字: 芯片制造  NAND  
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