- IBM预计将在明年利用新创公司Diablo Technologies的技术，为伺服器双列直插式记忆体模组(DIMM)插槽加入 NAND 快闪记忆体(flash)。该公司并计划在 DIMM 埠中采
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IBM 快闪存储器
- 市场研究机构IDC最近发布的一份报告指出，快闪记忆体储存阵列的市场渗透率正在快速成长;该份报告显示，包括全快闪记忆体阵列(all-flash arrays，AFA)以及混合快闪记忆体阵列(hybrid flash arrays，HFA)在内的全球快闪记忆体阵列市场规模，在2014年可达113亿美元。
IDC的报告指出，快闪记忆体阵列市场的成长动力，来自于越来越多厂商提供针对不同应用、支援越来越高复杂度工作任务的多样化产品;“该市场的成长速度高过于我们预期，” IDC分析师
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快闪存储器 HFA AFA
- 市调机构集邦科技预期，第4季储存型快闪存储器(NANDFlash)供过于求情况可望趋缓，10月合约价看涨。
集邦科技表示，海力士(Hynix)中国大陆无锡厂发生火灾意外，不仅带动动态随机存取存储器(DRAM)价格飙涨，同时激励9月NANDFlash合约价上涨3%至6%。
集邦科技指出，尽管NANDFlash市场销售并无好转迹象，不过，海力士无锡厂复工情况依然混沌不明，NANDFlash供给将连带受到影响，预期第4季NANDFlash市场供过于求情况可望趋缓。
集邦预期，近期1至2个月
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快闪存储器 NAND
- 全球晶圆(Global Foundries)除了在28纳米制程上，宣布以28纳米高介电金属闸极(HKMG)技术，试产出全球首颗安谋(ARM)Cortex-A9架构的芯片外，同时也宣布与飞思卡尔(Freescale)合作研发90纳米快闪存储器技术，进一步强化合作关系。
全球晶圆与ARM在2009年第3季宣布策略合作计画，就是看好未来广大的行动运算市场。而就在全球晶圆与ARM携手后，台积电也于2010年宣布与ARM，合作开发28纳米及20纳米制程嵌入式存储器及标准元件库在内的实体智财产品。
因
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全球晶圆 90纳米 快闪存储器
快闪存储器介绍
快闪存储器
目录
1概述
2限制
1概述
快闪存储器（flash EPROM）是电子可擦除可编程只读存储器(electrically erasable programmable read-only memory, EEPROM)的一种形式。快闪存储器允许在操作中多次擦或写，并具有非易失性，即单指保存数据而言，它并不需要耗电。快闪存储器和传统的EEPROM不同在于它 [
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