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NAND Flash厂商2025年重启减产策略,以缓解供需失衡和稳定价格
- 根据TrendForce集邦咨询最新研究报告指出,NAND Flash产业2025年持续面临需求疲弱、供给过剩的双重压力。在此背景下,除了Micron(美光)率先宣布减产,Kioxia/ SanDisk(铠侠/闪迪)、Samsung(三星)和SK hynix/ Solidigm(SK海力士/思得)也启动相关计划,可能长期内加快供应商整合步伐。TrendForce集邦咨询表示,NAND Flash厂商主要通过降低2025年稼动率和延后制程升级等方式达成减产目的,背后受以下因素驱动:第一,需求疲软
- 关键字: NAND Flash 减产 TrendForce 集邦咨询
应对降价:三星大幅减产西安工厂NAND闪存!
- 1月13日消息,据媒体报道,三星电子已决定大幅减少其位于中国西安工厂的NAND闪存生产,以此应对全球NAND供应过剩导致的价格下跌,确保公司的收入和利润。DRAMeXchange的数据显示,截至2024年10月底,用于存储卡和U盘的通用NAND闪存产品的价格较9月下降了29.18%。据行业消息,三星电子已将其西安工厂的晶圆投入量减少超过10%,每月平均产量预计将从20万片减少至约17万片。此外,三星韩国华城的12号和17号生产线也将调整其供应,导致整体产能降低。三星在2023年曾实施过类似的减产措施,当时
- 关键字: 三星 NAND 闪存 存储卡 U盘 晶圆 SK海力士 铠侠 西部数据 美光 长江存储
3Q24 NAND Flash营收季增4.8%,企业级SSD需求强劲,消费性订单未复苏
- 根据TrendForce集邦咨询最新调查,2024年第三季NAND Flash产业出货量位元季减2%,但平均销售单价(ASP)上涨7%,带动产业整体营收达176亿美元,季增4.8%。TrendForce集邦咨询表示,不同应用领域的NAND Flash价格走势在今年第三季出现分化,企业级SSD需求强劲,推升价格季增近15%,消费级SSD价格虽有小幅上涨,但订单需求较前一季衰退。智能手机用产品因中国手机品牌严守低库存策略,订单大量减少,第三季合约价几乎与上季持平。Wafer受零售市场需求疲软影响,合约价反
- 关键字: NAND Flash 企业级SSD TrendForce 集邦咨询
兆易创新GD25/55全系列车规级SPI NOR Flash荣获ISO 26262 ASIL D功能安全认证证书
- 业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice近日宣布,旗下GD25/55全系列车规级SPI NOR Flash获得由国际公认的测试、检验和认证机构SGS授予的ISO 26262:2018 ASIL D汽车功能安全认证证书。这一成就不仅有力印证了GD25/55全系列车规级SPI NOR Flash在严苛汽车应用场景中的卓越安全性能和可靠性,也进一步巩固了公司在SPI NOR Flash领域的领导地位。随着汽车电子电气组件数量的指数级增长,其安全性需求日益凸显。ISO 26262作为国际权威汽车功能
- 关键字: 兆易创新 SPI NOR Flash
2024二季度NAND Flash出货增长放缓,AI SSD推动营收季增14%
- 根据TrendForce集邦咨询最新调查,由于Server(服务器)终端库存调整接近尾声,加上AI推动了大容量存储产品需求,2024年第二季NAND Flash(闪存)价格持续上涨,但因为PC和智能手机厂商库存偏高,导致第二季NAND Flash位元出货量季减1%,平均销售单价上涨了15%,总营收达167.96亿美元,较前一季增长了14.2%。第二季起所有NAND Flash供应商已恢复盈利状态,并计划在第三季扩大产能,以满足AI和服务器的强劲需求,但由于PC和智能手机今年上半年市场表现不佳,
- 关键字: TrendForce 集邦咨询 NAND Flash AI SSD
TrendForce:今年 Q2 NAND 闪存出货增长放缓,AI SSD 推动营收环比增长 14%
- IT之家 9 月 9 日消息,TrendForce 集邦咨询今天下午发布报告指出,由于服务器终端库存调整接近尾声,加上 AI 推动了大容量存储产品需求,今年第二季度 NAND Flash(闪存)价格持续上涨。但由于 PC 和智能手机厂商库存偏高,导致 Q2 NAND Flash 位元出货量环比下降 1%,平均销售单价上涨了 15%,总营收达 167.96 亿美元(IT之家备注:当前约 1193.37 亿元人民币),较前一季实现环比增长 14.2%。各厂商营收情况如下:三星:第二季时积极回应客户对
- 关键字: 内存 NAND Flash
第八代BiCS FLASH厉害在哪里?
- 第八代BiCS FLASH已然投入量产,意味着基于BiCS FLASH的产品也将得到新一轮升级。全新的BiCS FLASH无论在存储密度、性能都有了显著提升,特别是2Tb QLC NAND是当下业界内最大容量的存储器。为了让第八代BiCS FLASH突破存储限制,铠侠通过专有工艺和创新架构,实现了存储芯片的纵向和横向缩放平衡,所开发的CBA(CMOS directly Bonded to Array,外围电路直接键合到存储阵列)和3.6Gbps接口速度,给AI应用、数据中心、移动设备提供了更多潜在可能。技
- 关键字: BiCS FLASH 闪存 flash 铠侠
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