- 基于DDR NAND闪存的高性能嵌入式接口设计,摘要：介绍了一种最新DDR NAND闪存技术，它突破了传统NAND Flash 50 MHz的读写频率限制，提供更好的读写速度，以适应高清播放和高清监控等高存储要求的应用。分析该新型闪存软硬件接口的设计方法。
关键词：DDR NAN
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嵌入式 接口 设计 高性能 闪存 DDR NAND 基于
- 摘要：为了解决目前记录系统容量小、存储速度低的问题，采用性能优良的固态NAND型FLASH为存储介质，大规模集成电路FPGA为控制核心，通过使用并行处理技术和流水线技术实现了多片低速FLASH时高速数据的存储，提高了整
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FLASH NAND 大容量 存储
- 存储器是随着计算机而发展起来的一种专用电子部件，用于保存数据和程序，传统上计算机的主存储器称Memory，外部设备用存储器称Storage(常用磁盘、磁带)。上世纪50年代中期，主存曾用磁芯存储器，60年代中期以来，半导体存储器开始取代磁芯存储器。随着时间的前进，存储器获得了长足的发展。
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存储器 NAND 201105
- 数年来固态硬盘正在变得越来越便宜和可靠，但相比大容量的硬盘而言，这种产品在容量和价格比上依然显得有些奢侈，例如40GB的Intel SSD相当于1TB的西部数据硬盘的价格。尽管如此，Gartner依然对SSD市场的前景十分看好，并认为到2012年下半年，固态硬盘将成为市场的主流，并预期到时候的价格将会下降到每1美元1GB，这意味着主流的SSD价格将下调到100美元以下，例如64GB64美元，从而开始被大众接受。
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NAND SSD
- 0 引言 计算机技术的高速发展，存储系统容量从过去的几KB存储空间，到现在的T8；乃至不久的将来要达到的PB存储空间，其数据存取的能力在飞速扩展。随之而来产生的SCSI、FC、SAN、iSCSI、IPStorage和数据生命周期管
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FLASH NAND 储存 测试系统
- 5月13日消息，据国外媒体报道，全球最大的内存芯片厂商三星电子周四称，它已经开始大批量生产新的NAND闪存芯片。这种闪存芯片传送速度的速度比目前市场上的任何其它NAND闪存芯片都要快。
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三星 NAND
- 2011年全球NAND Flash中，全球三星电子(Samsung Electronics)仍是位居全球NAND Flash市场龙头，市占率高达36.2%，紧追在后的是东芝(Toshiba)，市占率达35.1%，两者合计掌握70%以上NAND Flash市场;根据市调机构TrendForce最新统计，2011年第1季NAND Flash品牌供应商的位元出货量为13%，营收成长9.9%，达53.63亿美元。
2011年第1季全球NAND Flash市场变化相当多，最大影响当属日本311东北强震，对
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三星电子 NAND
- 据了解，由于智能型手机(Smartphone)和平板计算机(Tablet PC)需求暴增，三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年双双提升NAND Flash芯片产量。
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三星 NAND Flash
- 由于智能型手机(Smartphone)和平板计算机(Tablet PC)需求暴增，三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年双双提升NAND Flash芯片产量。
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三星 NAND 移动设备
- 由于智能型手机等行动装置应用驱动NANDFlash需求成长，加上日本强震造成东芝(Toshiba)5、6月NAND Flash供货锐减50%，美光(Micron)看好NANDFlash产业将持续供不应求，除与英特尔(Intel)合资新加坡厂取得多数股权和产能，未来不排除再扩大NAND Flash产能，可行方案包括释出代工权给华亚科生产，或是启动新加坡二厂。美光指出，未来NAND Flash策略不追求市占第1，但要做到成本最低。
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美光 NAND
- 据韩国媒体报道，内存调研公司集邦科技发布最新研究数据，今年四月上旬NAND闪存芯片价格创下了7个月以来的新高水平，一定程度上反映了继上月日本地震海啸灾害中断相关供应链后芯片价格的总体情况。
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闪存 NAND
- 东芝宣布其开发出了“全球首款”(该公司)采用19nm工艺的64Gbit NAND型闪存。将从2011年4月底开始样品供货，2011年第三季度(2011年7～9月)开始量产。此次开发的64Gbit NAND芯片是2bit/单元产品，还计划推出3bit/单元产品和1bit/单元产品。不过，这些产品的上市时间目前“尚未确定”(东芝)。
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东芝 NAND
- NAND Flash嵌入式存储系统结构分析, 本文是以Samsung的NAND Flash K9F2808U0C作为存储芯片，设计了一种在NFTL上实现坏块管理并且实现连续数据读取的方法。
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结构 分析 系统 存储 Flash 嵌入式 NAND
- 上周，Intel和镁光发表联合声明，正式推出采用20nm制程技术制造的NAND闪存芯片产品，并称这款产品将于年内在IMFT属下的工厂开始生产。不过两家的头名板凳还没有坐热，本周Sandisk和东芝组成的搭档组合便重新夺回了NAND闪存制程技术的宝座，他们宣称已经制造出了采用19nm制程技术的NAND闪存芯片，目前这两家公司在日本设有一家合资芯片制造公司。
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东芝 NAND
- 据国外媒体报道，据台湾集邦科技 (dramexchange technology inc)周一发表的行业数据显示，NAND闪存芯片价格在4月份的上半个月创7个月的新高，反应了在上个月日本发生严重的地震中断了供应链之后其它存储芯片价格的情况。
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NAND 闪存芯片
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