- 日厂尔必达(Elpida)将与飞索半导体(Spansion)扩大合作范围，双方除共同研发NAND Flash制程技术与产品外，尔必达将为飞索半导体代工生产NAND Flash。另外，尔必达亦在研拟双方合作研发NOR Flash，并为其代工的可能性。
据悉，尔必达已取得飞索的NAND IP技术的授权，该项技术乃是以其称为MirrorBit的独家技术为基础。此外，尔必达计划自2011年起透过旗下的广岛12寸厂，为飞索代工生产高阶NAND Flash，而双方亦将各自进行客户营销。
路透(Reut
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尔必达 NAND
- 三星和东芝今天共同宣布，双方将协力支持新一代高性能NAND闪存技术：拥有400Mbps接口的DDR NAND闪存，即toggle DDR 2.0规范。两家公司将支持这一规范成为行业标准，被业界广泛接受使用。
最初的SDR NAND闪存架构接口速度仅为40Mbps，现行的DDR 1.0标准将接口带宽提高到了133Mbps。三星和东芝推动的toggle DDR 2.0规范则进一步提升到400Mbps，是DDR 1.0的3倍，普通SDR NAND闪存的10倍。
高速闪存接口的优势不言而喻，未来将
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三星 NAND 东芝
- 闪存业两大巨头三星公司与东芝公司近日宣布将支持并参与第二代DDR NAND闪存标准规范的制订工作，这种新一代闪存标准规范的接口数据传输率将高达400Mbit/s。不过两家公司并没有透露他们什么时候会完成该标准规 范的制定工作，另外也没有说明新一代闪存规范使用的闪存芯片存储密度参数。DDR2.0 NAND闪存推出后将主要面向移动和消费级电子类应用。
现有的DDR1.0版本NAND闪存接口规范只是将DDR数据传输接口与传统的单倍数据传输率NAND单元结合在一起使用，接口数据传输率仅133Mbit/s
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三星 NAND
- 据了解，日商尔必达已决定来台设立研发中心，且选定投入高阶技术NAND Flash领域。尔必达来台投资研发中心金额约在50、60亿新台币，未来将与力晶等日系半导体业者进一步合作。
据悉，尔必达与台湾创新存储器公司(TIMC)合作虽然破局，但尔必达与台湾业者联合抗韩的意图依旧存在，政府单位与尔必达互动密切，尔必达已于日前向经济部递出在台设立研发中心的初步计划书，经济部正进行审查中。
官员透露，尔必达来台设立研发中心的计划相当成熟，已进入实质合作内容洽谈中，研发中心切入的产品并非一般的动态存储器
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TIMC NAND DRAM
- 全球半导体市场需求成长已优于2008年秋季金融危机爆发前的水平，2010年5月半导体销售额续创新高。就地区别来看，含大陆在内的亚太市场占全球销售比重已过半并持续成长中，已成为全球半导体市场需求的强力支撑。然因市场对欧洲经济成长仍持疑虑，2010年秋季后市场需求动态值得关注。
美国半导体产业协会(SemiconductorIndustryAssociation;SIA)日前公布的统计数据指出，金融危机爆发前全球半导体销售高峰为2007年11月的231.2亿美元，而2010年5月全球半导体销售额达2
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DRAM NAND
- 编者点评：每年的SEMICON West时，时间己经过半，所以业界都会关心下半年与未来会是怎么样。2010年半导体业可能十分亮丽，似乎已成定局。然而对于设备业看似今年的增长幅度达90%，但是许多设备公司仍是兴奋不起来，因为2010年业绩的增长仍显不足于弥补之前的损失。而未来的前景有点模糊，增长点来自哪里?似乎谁也说不清楚。
SEMICON West美国半导体设备展览会即将开幕，与去年全球IC下降不同，如今半导体设备业有点红火。
按市场调研公司 VLSI预计，2010年半导体设备业增长96%
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半导体设备 NAND DRAM
- 近期台湾创新存储器公司(TIMC)获得经济部补助，联合茂德、晶豪打算从NAND Flash产业重起炉灶，加上力晶、旺宏亦纷投入NAND Flash市场，3方人马点燃台湾NAND Flash战火。力晶董事长黄崇仁6日表示，力晶耕耘NAND Flash产业6年来投入新台币70亿元，是台湾血统最纯正技术，目前力晶NAND Flash技术脚步相较于国际大厂仍晚1个世代，但若未来成功走向20纳米制程，对台湾NAND Flash研发是很大突破。
事实上，力晶NAND Flash产品系师承日商瑞萨(Renes
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TIMC NAND
- 据iSuppli称，随着消费电子厂商准备圣诞假日的产品，今年第三季度NAND闪存芯片将供不应求。
iSuppli高级半导体分析师Rick Pierson说，当市场供货量紧张的时候，平均销售价格将上涨。NAND闪存芯片一般用于数码相机、智能手机和视频摄像机等电子产品存储数据。
今年第二季度NAND闪存芯片供货量充足导致价格出现下降的趋势。但是，智能手机等产品正在集成视频摄像机等组件，从而产生了额外的存储需求。
厂商产量不会由于超过了需求而进行限制。但是，供应商将根据合同义务和关系向关键
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NAND 闪存芯片
- 据iSuppli称，随着消费电子厂商准备圣诞假日的产品，今年第三季度NAND闪存芯片将供不应求。
iSuppli高级半导体分析师Rick Pierson说，当市场供货量紧张的时候，平均销售价格将上涨。NAND闪存芯片一般用于数码相机、智能手机和视频摄像机等电子产品存储数据。今年第二 季度NAND闪存芯片供货量充足导致价格出现下降的趋势。但是，智能手机等产品正在集成视频摄像机等组件，从而产生了额外的存储需求。
厂商产量不会由于超过了需求而进行限制。但是，供应商将根据合同义务和关系向关键的合作
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NAND 闪存芯片
- 6月10日消息，据路透社报道，全球最大的记忆体芯片生产商韩国三星电子周四表示，计划投资36亿美元，扩大其在美国的芯片生产能力。
三星电子的海外唯一一家芯片厂就设在美国得克萨斯州的奥斯汀，此次产能扩增主要是针对生产大型积体电路(LSI)芯片的设备。
奥斯汀工厂主要生产用于手机和数码相机的NAND型闪存芯片。三星电子在声明中称，工厂扩产计划还包括增聘500名员工。
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三星电子 NAND
- 至此，对于今年全球电子工业的看法是乐观的，而且是有相当大的增长。
但是作为一个编辑者仍有些担忧，以下是对于2010年有10个理由来看好或者是看衰半导体业。
1. IC热，然后冷
Gartner分析师Bryan Lewis及Peter Middleleton表示，2010年全球半导体销售额达2900亿美元， 与2009年销售额2280亿美元相比增长27.1%。与Gartner之前在第一季度的预测，2010年增长19.9%相比有明显提高。
芯片销售额的增长明显超过系统产品销售额的增
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半导体 DRAM NAND
- 按IC Insight报告，在DRAM 及NAND市场高涨下，导致与之相关连的全球前20大半导体制造商排名中有10家位置发生更迭。
IC Insight的McLean的5月最新报告表示，Toshiba、Hynix、Micron及Elpida存储器厂，它们的排名至少前进了一位，其中 Elpida前进了6位，列于第10。
同时列于第2的三星电子，估计2010年它的销售额离300亿美元仅一步之遥，IC销售额增长达50%以上。
三星在本月初时，它将扩大今年半导体的投资达96亿美元， 也即表示
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DRAM NAND 半导体制造
- 6月3日消息，据台湾媒体报道，全球DRAM模组龙头美国金士顿创办人孙大卫昨天在台表示，DRAM厂的制程转换技术门槛不低，再加上智能手机等新的应用产品，带动DRAM需求，他认为下半年的DRAM市况应该会好。
孙大卫表示，DRAM制造厂越来越少，各大厂多进入制程转换的阶段，总产出量恐比实际预期要低。而在智能手机、3D电视等多元化的新应用产品纷纷出线下，下半年的DRAM供需不仅趋于平衡，甚至可能出现供不应求的情况。
南韩三星电子大举提高资本支出的计划，让台系厂商非常紧张。孙大卫则认为，目前全球的
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DRAM NAND 智能手机
- NAND闪存的自适应闪存映射层设计,闪存存储器主要分为NAND和XOR两种类型，其中NAND型是专为数据存储设计。本文的闪存映射方法主要是针对NAND类型的闪存芯片。一个NAND类型的闪存芯片的存储空间是由块(Block)构成，每个块又划分为固定大小的页，块是擦
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闪存 设计 映射 适应 NAND
- 按IC Insight报告，在DRAM 及NAND市场高涨下，导致与之相关连的全球前20大半导体制造商排名中有10家位置发生更迭。
IC Insight的McLean的5月最新报告表示，Toshiba、Hynix、Micron及Elpida存储器厂，它们的排名至少前进了一位，其中 Elpida前进了6位，列于第10。
同时列于第2的三星电子，估计2010年它的销售额离300亿美元仅一步之遥，IC销售额增长达50%以上。
三星在本月初时，它将扩大今年半导体的投资达96亿美元， 也即表示
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Hynix 存储器 DRAM NAND
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