- 2009年全球半导体产业急剧下滑，但亚太的芯片厂商安然无恙。总部在亚太地区的半导体供应商，2009年合计营业收入实际增长2.3%，从2008年的435亿美元上升到445亿美元。相比之下，2009年全球半导体营业收入锐减11.7%，从2008年的2602亿美元降至2299亿美元。
“去年芯片产业形势黯淡，而亚太地区的供应商却设法实现了增长，因为他们专注于热门半导体产品而且受益于该地区的强劲需求，”iSuppli公司市场情报服务资深副总裁Dale Ford表示，“
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半导体 NAND LED
- 据报道，包括威刚、创见、PQI劲永等在内的台湾闪存产品厂商以及闪存控制器厂商群联电子近期都已经开始从SanDisk公司购买NAND闪存晶圆。这意味着SanDisk已经从自有品牌闪存设备制造商，摇身一变成了NAND晶圆供应商。
据称，SanDisk已经从闪存制造合作伙伴东芝一道，成了多家台湾闪存产品厂商的上游供应商之一。实际上，自2008年起就有传言称SanDisk将对外供应NAND闪存，但在当时在全球闪存市场供求旺盛的状况下，SanDisk一致谨慎的实行自有品牌的战略。随着近一两年全球金融危机以
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SanDisk 闪存控制器 NAND 闪存晶圆
- 最近NAND闪存芯片产业内部的竞争激烈程度已经到了白热化的阶段，今年一月份，Intel-镁光联盟刚刚宣布将在今年量产25nm制程NAND闪存芯 片，其对手SanDisk-东芝联盟便随后以牙还牙，宣布将于今年下半年推出基于24nm制程的NAND闪存芯片产品。
据SanDisk公司展示的产品发展路线图显示，SanDisk-东芝联盟推出的24nm制程NAND闪存芯片将可适用于两位元存储单元设计和三位元存储单元设计。而Intel-镁光联盟的25nm制程则仅可适用于两位元存储单
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SanDisk NAND 闪存芯片
- 镁光公司NAND闪存市场开发部门的经理Kevin Kilbuck近日透露镁光计划明年将其NAND闪存芯片制程转向25nm以下级别，他表示镁光今年年中将开始批量生产25nm制程NAND闪存芯片，并将于明年转向更高级别的制程。他并表示镁光也计划开发自己的电荷捕获型(charge trap flash (CTF))闪存技术，以取代现有的浮栅型( floating-gate)NAND闪存技术。
Killbuck还向Digitimes网站表示，镁光的新款NAND闪存芯片将遵循新的EZ-NAND规范。目
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镁光 NAND 25nm
- 2010年全球存储器可能出现供应缺货，而且非常可能会延续下去。为什么?可能有三个原因，1)，存储器市场复苏;2)，前几年中存储器投资不足;3)，由ASML供应的光刻机交货期延长。
巴克菜投资公司的分析师 Tim Luke在近期的报告中指出，通过存储器的食物供应链看到大量的例证，认为目前存储器供应偏紧的局面将持续2010整年，甚至延伸到2011年。
据它的报告称，2010年全球NAND闪存的位增长可达70%，而2009增长为41%。2010年全球DRAM的位增长达52%。
Luke认为
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存储器 NAND 光刻机
- 消息人士周三透露，东芝未来三年内将投入8000亿日元(约合89.4亿)美元，在日本三重县(Mie Prefecture)修建一座闪存芯片制造厂。
报道称，东芝的这一计划将使该公司的NAND闪存芯片制造能力提高大约一倍。东芝原本打算在2008年修建该工厂，但受经济衰退致产品需求下滑的影响，东芝随后取消了该建厂计划。
市场调研公司iSuppli此前发布报告称，全球NAND闪存市场去年第三季度营收较第二季度的31亿美元，增长了25.5%，达39.4亿美元。东芝第三季度表现强于市场，其NAND闪存
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东芝 NAND 闪存芯片
- 南韩Hynix公司本周二宣布，继半年前成功开发出基于32nm制程的NAND闪存芯片产品，并于去年8月份开始量产这种闪存芯片之后，他们已经于日前成 功开发出了基于26nm制程的NAND闪存芯片。他们并称将于今年7月份开始量产基于26nm制程的64GB容量NAND闪存芯片产品.
按闪存芯片市占率计算，Hynix公司去年在闪存芯片市场上的市占率排在第三位，仅次于排在前两位的三星与东芝公司。据此前的报道显示，三星公司和由Intel和镁光公司合资成立的IM Flash公司均计划于今年第二季度推出基于25n
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Hynix 26nm NAND 闪存芯片
- 业界传言镁光公司目前仍在考虑收购Numonyx公司事宜，并称其仍对NOR闪存市场抱有兴趣。一位市场分析师称：”我听说镁光有可能会收购 Numonyx公司，这说明他们似乎在考虑要成为一家为诺基亚等厂商提供闪存产品服务的一站式厂商。“
此前镁光已经与Intel公司合资成立了专门生产NAND闪存的IM Flash公司，而Numonyx公司则原来也是Intel内部负责NOR闪存的部门，不过后来Intel将这家公司从Intel分离出来，并成立了Numonyx，他们把这家公司的49%
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Numonyx NAND NOR闪存
- 在最近举办的一次会议上，Intel公司属下NAND闪存集团的新任老总Tom Rampone透露了有关Intel闪存业务的一个惊人规划，他们计划在闪存技术和SSD产品市场上取得领先地位，但他们并不准备在散片NAND闪存市场 上扮演领军人的角色。看起来他们并不愿意在风水轮流转的NAND闪存散片市场和三星，现代以及东芝这些厂商一争高下，但于此同时,他们又表现出想把三星从SSD业 务排名第一的宝座上拉下来的意图。
Intel不准备在NAND闪存散片市场称雄的决定令人稍感惊奇，过去他们一旦进入某个市场，那
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Intel NAND 闪存
- 据报道，韩国检方近日逮捕了两名美国半导体设备供应商应用材料Applied Materials高管，罪名则是这两名高管偷取三星DRAM、NAND芯片处理技术等机密并出售给了竞争对手海力士。
美国证券交易委员会的报告显示，Applied已经确认此事，并透露说其中一人是前应用材料韩国(AMK)高管、现任应用材料副总裁，另一名则是应用材料韩国子工厂的高管。
应用材料在一封电子邮件中表示，由于韩国检方目前还未公布两人的姓名，他们也不方便透露两者的信息。作为应用材料的一大客户，三星的利益显然受到了伤害
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应用材料 DRAM NAND
- 32位MCU强势增长
从全球范围内的微控制器(MCU)的市场情况看(如图1)，08年出货量是119亿美元，到09年降低到86亿美元。从增长曲线看，32位微控制器在过去5年增长了一倍。目前可以看到8位和32位的深V型增长。从销售额来看，在2009年的前10个月里有7个月32位高过8位，到10月底时，32位总体下降了近23%，而8位MCU下降了近27%。从数量上看，8位的下降是26%，而32位只下降10%，因此从单位数量来说，32位下降较少，NXP(恩智浦)认为32位还是有比较强劲的增长势头，这
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MCU NAND NOR Android
- 据日本经济新闻报导，东芝计划今年关闭其国内2个NAND闪存工厂之一,而把存储芯片封装工作全部集中于另一工厂。
即将关闭的工厂隶属于Toshiba LSI Package Solution Corp，位于福冈县宫若市,该厂生产设备以及约400名员工将被转移到东芝三重县四日市的工厂。
为降低生产成本，东芝会将日本本部作为其研发及测试中心，并加速将量产工作移往海外。
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东芝 NAND
- 英特尔公司和美光科技公司今天宣布推出世界上首个25纳米NAND技术——该技术能够增加智能手机、个人音乐与媒体播放器(PMP)等流行消费电子产品，以及全新高性能固态硬盘(SSD)的存储容量，提供更高的成本效益。
NAND闪存可用于存储消费电子产品中的数据和其它媒体内容，即使在电源关闭时也能保留信息。NAND制程尺寸的缩小，推动了该技术持续发展并不断出现新的用途。25纳米制程不仅是当前尺寸最小的NAND技术，也是全球最精密的半导体技术——这项技术成就将
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英特尔 25纳米 NAND
- 苹果(Apple)新产品iPad正式亮相，内建16GB、32GB和64GB等3种容量的固态硬碟(SSD)，可望为低迷许久的NAND Flash市场注入强心针!根据外资和市调机构估计，2010年iPad出货量将介于600万~1,000万台不等，占NAND Flash需求量上看4%，同时也为产业开创新应用领域。惟近期NAND Flash报价波动相当平静，并未反映苹果效应，下游厂指出，大陆在农历年前又开始严查走私，因此当地需求锐减，预计年后才会发动补货行情。
苹果推出的平板计算机(Tablet PC)
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Apple SSD NAND
- 由Intel、美光合资组建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布，已经开始使用25nm工艺晶体管试产MLC NAND闪存芯片，并相信足以领先其他竞争对手长达一年之久。IMFT公司在闪存工艺上一向非常激进，每12-15个月便升级一次：成立之初是72nm，2008年是50nm，去年则率先达到了34nm，在业内领先六个月左右，也让Intel提前抢先发布了34nm第二代X25-M固态硬盘，美光也即将推出RealSSD C300系列。IMFT生产的闪存芯片有49%供给In
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