- 据IHS iSuppli公司的闪存市场报告，由于一家大型厂商的销售额下降，第二季度NAND闪存市场意外下滑。
根据最终数据，第二季度全球NAND销售额为47亿美元，比第一季度的49亿美元下降4.3%。该市场降幅大于预期，主要是因为东芝第二季度销售额锐减了21.4%至14亿美元。东芝是全球第二大NAND生产商，仅次于韩国三星电子。东芝销售额大幅下降，拖累了整体市场，如表1所示。
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三星 NAND
- 受到诸多全球总体经济复苏的不确定变数干扰，2011部份的NAND Flash终端应用产品出货量将不如预期，及3Q11受过剩库存去化影响而使传统备货旺季效应递延等因素的综合影响下，8月上旬NANDFlash芯片市场买气依然疲弱，但某些系统客户的OEM订单需求相对于记忆卡及UFD通路市场需求仍相对地稳定，因此，MLCNAND Flash芯片合约均价小跌约1-2%，而TLCNAND Flash芯片合约均价则下跌约4-7%。
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闪存芯片 NAND
- 在日前的一场闪存高峰会中，SanDisk公司的技术长Yoram Cedar指出，下一代光刻技术的延迟，将导致NAND闪存的成长趋缓。市场原先对闪存的展望都相当乐观，但Cedar表示，由于超紫外光(EUV)光刻技术的延迟，闪存的成长可能需要再评估。
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SanDisk NAND
- 全球第二大闪存制造商东芝公司(Toshiba Corp)周三警告说，由于PC市场不景气，美国和欧洲等经济体持续动荡以及日元强势等原因，该公司芯片业务的利润可能达不到预期。
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东芝 芯片 NAND
- 据韩国电子新闻报导，计算机用DRAM芯片价格快速下跌，NAND Flash合约价也从6月起出现陡峭跌幅，2个月内出现2011年来最低价2美元纪录。下半年则因智能型手机(Smartphone)与平板计算机 (Tablet PC)新品陆续问世，可望带动NAND Flash价格回升。
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NAND DRAM芯片
- 随著存储器容量越来越大，NANDFlash产业制程在进入20纳米制程后，也开始遇到瓶颈，业界在未来制作更大容量存储器上，面临是否继续发展纳米的抉择。日本方面尽管在微缩的技术上些微领先最大竞争对手公司韩国三星电子(SamsungElectronics)，但短期内该技术也将可能面临瓶颈，因此如东芝(Toshiba)及尔必达(Elpida)等公司，均已决定投入3D存储器的开发。
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三星 存储器 NAND
- 随著存储器容量越来越大，NAND Flash产业制程在进入20纳米制程后，也开始遇到瓶颈，业界在未来制作更大容量存储器上，面临是否继续发展纳米的抉择。日本方面尽管在微缩的技术上些微领先最大竞争对手公司韩国三星电子(Samsung Electronics)，但短期内该技术也将可能面临瓶颈，因此如东芝(Toshiba)及尔必达(Elpida)等公司，均已决定投入3D存储器的开发。
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尔必达 NAND
- 内存的成本高昂，今年 NAND 在家庭主机和手持设备上的密集度仍将提高 40% 以上，而这是游戏最主要的游戏环境。
今年家用游戏主机的 NAND 平均密度预计达 923MB，较去年的 649MB 提高 42.2%。今年手持游戏设备的 NAND 平均密度则预计自去年的 87MB 增长 41.4%，达 123MB。
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Sony NAND
- LSI公司日前宣布推出一款 MegaRAID CacheVault技术，用于为 LSI MegaRAID 6Gb/s SATA+SAS RAID 控制卡提供基于闪存的高速缓存保护功能。MegaRAID CacheVault 采用固态 NAND 闪存，能够在电源发生故障的时候自动将高速缓存中的数据转移到闪存中，从而为存储在 RAID 控制器缓存中的数据提供强大的保护。CacheVault 技术避免了采用锂离子电池的麻烦，并可节约相关的硬件维护成本，从而实现更环保、总体成本更低的高速缓存保护解决方案。
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LSI NAND
- 据IHS iSuppli公司的NAND闪存研究报告，尽管NAND闪存成本较高妨碍其进入游戏硬件，但2011年家庭游戏机与手持游戏机中的NAND密度将增长40%以上。
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索尼 NAND
- 三星电子一家新的存储半导体制造厂将于9月投入运营。消息人士说，新厂编号为“Line-16”，主要生产NAND芯片。
2010年5月时，三星在韩国京畿道(Gyeonggi Province)华城(Hwaseong)破土动工，建立新的工厂。此前三星曾透露说，Line-16工厂月产20万片12寸圆晶。
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三星 NAND
- 日前东芝和SanDisk在日本建立了第三家半导体工厂，以应对智能手机和平板电脑的快速发展而带来的对闪存芯片的大量需求。该工厂主要生产300毫米晶片NAND半导体，工厂名称为“Fab 5”。
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东芝 NAND
- 东芝株式会社 与Sandisk公司日前共同庆祝位于日本三重县四日市东芝生产基地的第三家300mm晶圆NAND生产工厂Fab 5正式投产。
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东芝 NAND
- 摘要 基于Flash存储器的Hamming编码原理，在Altera QuartusⅡ7．0开发环境下，实现ECC校验功能。测试结果表明，该程序可实现每256 Byte数据生成3 Byte的ECC校验数据，能够检测出1 bit错误和2 bit错误，对于1 bit错误
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Flash FPGA NAND ECC
- 最近举办的Semicon West2011半导体业界大会上，三星与苹果之间的知识产权争端事件显然会是一个有趣的话题。目前，三星正准备于8月份开始量产苹果手机/平板电脑用 A5 SoC芯片。而且他们最近花费36亿美元对奥斯汀芯片厂进行了升级，使其产能能够在NAND或逻辑芯片产品之间自由切换，不过三星显然希望能够在保住苹果 芯片订单的前提下继续拓展自己的代工业务。
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三星 NAND
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