- 美国iSuppli调研结果显示，由于供应过剩与价格暴跌，DRAM及NAND闪存行情将在短期内进一步恶化。
NAND闪存方面，预计512M产品全球平均单价(ASP)将从2007年第三季度的60美分下降到第四季度的46美分。NAND闪存的平均单价在第二季度、第三季度均比上季度有所提高，分别为6%与8.4%。但是在第四季度，随着价格下跌，行情出现恶化，短期内很难恢复。iSuppli首席分析师Nam Hyung Kim表示，此次价格下跌的主要原因韩国内存厂商将生产能力从DRAM转移至NAND闪存，从而导
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嵌入式系统 单片机 NAND DRAM 闪存 MCU和嵌入式微处理器
- 11月上旬NAND Flash合约价格大致跌幅约为0-5%，比前两个月跌幅明显缩小，主要是因为下游客户在10月已陆续进行降低库存的动作，加上市场预期11月中旬要开始准备年底旺季的备货需求，根据集邦科技(DRAMeXchange)观察，NAND Flash价格走势在11月初已经出现止跌回稳的现象。
随着NAND Flash供货商5X纳米制程产品供应量提高后，下游客户采购颗粒开始转向以8Gb和16Gb MLC为主流，导致TSOP 4G MLC颗粒跌幅约为11%，相较于其它规格来得显著。有鉴于9月以来
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嵌入式系统 单片机 NAND Flash microSD 嵌入式
- 奥地利微电子的全方位服务晶圆代工厂业务部推出一份更加全面的 2008 年度时间表，扩展了其具有成本效益的、快速的专用集成电路(ASIC)原型服务，即所谓以多项目晶圆 (MPW) 或往复运行(shuttle run)。该服务将来自不同用户的若干设计结合在一个晶圆上，有助于众多不同的参与者分摊晶圆和掩膜成本。
RF多项目晶圆服务
奥地利微电子的 MPW 服务包括基于 TSMC(台积电)0.35µm CMOS 工艺的全程0.35µm尺寸工艺。兼容 SiGe BiCMOS
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消费电子 奥地利微电子 CMOS FLASH MCU和嵌入式微处理器
- 嵌入式系统的大量数据都存储在其F1ash芯片上。根据Flash器件的固有特性，构建一个适合管理NAND Flash存储器的FAT文件系统，并阐述具体的设计思想。该系统改进了FAT表和FRT表的存储方式，延长了存储器的使用寿命，提高了稳定性。 NAND Flash存储器是一种数据正确性非理想的器件，容易出现位反转现象，同时在使用中可
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- 根据集邦科技(DRAMeXchange)最新出炉的第三季NANDFlash营收市占率报告指出，NANDFlash品牌厂商在2007年第三季整体营收表现亮丽，逼近三十九亿美元，比第二季增长了36.8%;整体NANDFlash位出货量相较于第二季增长约30%;而就营收排行而言，三星(Samsung)如预期再度蝉连冠军，东芝(Toshiba)居次，而海力士(Hynix)、美光(Micron)和英特尔(Intel)营收均有显著的增长。
由于第三季为传统NANDFlash下游客户的备货旺
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- IDC在最新的《全球半导体市场预测》中预测，2007年全球芯片销售收入增长速度放慢将为2008年的大增长奠定基础。
据国外媒体报道，2007年全球芯片市场的增长速度将只有4.8%，2006年的这一数字只有8.8%。IDC预测，2008年的增长速度将达到8.1%。
报告指出，如果产能增长速度在明年放缓和需求仍然保持缓慢，芯片市场的增长速度会更快。市场潮流是合并和收购，这可能会改变业界的竞争格局。
IDC负责《全球半导体市场预测》的项目经理戈帕尔说，今年上半年芯片市场的供过于求降低了对各
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- 最近公布的数据显示，2007年IC单位出货量将增长10%，略高于市场调研公司ICInsights最初预计的8%。自2002年以来，IC单位出货量一直保持两位数的年增长率。DRAM(49%)、NAND闪存(38%)、接口(60%)、数据转换(58%)、和汽车相关的模拟IC(32%)出货量强劲增长，正在推动总体产业需求，并使IC出货量保持在高位。
1980年以来，IC产业单位出货量有两次实现连续三年保持两位数增长率，分别是1982-1984和1986-1988年。在这两次之后，IC的单位出货量增长速
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- iPodTouch面板供货不及，大量出货日期延后，NANDFlash厂最着急，NANDFlash价格反弹后继无力。
据境外媒体报道，为迎圣诞买气，各大NANDFlash厂商铆足了劲，原本寄望因苹果(Apple)iPodTouch成走红圣诞礼物而大量出货，借此将NANDFlash价格回升，然后，却因iPodTouch的关键零组件触控面板出现供货不足，造成iPodTouch出货量受限，继而影响NANDFlash的出货，真是急坏了NANDFlash厂商。
苹果原计划九月起开始出货，但因没有足够的
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嵌入式系统 单片机 NAND 液晶 集成电路 显示技术
- 最近公布的数据显示，2007年IC单位出货量将增长10%，略高于市场调研公司ICInsights最初预计的8%。自2002年以来，IC单位出货量一直保持两位数的年增长率。DRAM(49%)、NAND闪存(38%)、接口(60%)、数据转换(58%)、和汽车相关的模拟IC(32%)出货量强劲增长，正在推动总体产业需求，并使IC出货量保持在高位。
1980年以来，IC产业单位出货量有两次实现连续三年保持两位数增长率，分别是1982-1984和1986-1988年。在这两次之后，IC的单位出货量增长速
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嵌入式系统 单片机 IC 数据转换 NAND 模拟IC
- 据美国半导体行业协会(SIA)周一称，在PC和手机等消费电子产品需求的推动下，今年9月份全球微芯片销售收入增长了5.9%。
9月份全球微芯片销售收入从去年同期的213亿美元增长到了226亿美元。今年第三季度全球微芯片销售收入增长6%，从去年同期的640亿美元提高到了678亿美元。
SIA总裁GeorgeScalise在声明中称，第三季度的全球销售比今年第二季度增长了13.2%反映了为圣诞节假日销售准备产品的传统模式已经开始。
消费电子产品的需求非常强劲。第三季度用于传统消费电子产品的
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NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人
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NAND NOR flash 集成电路 存储器
- 据市场调研公司ICInsights，2007年IC单位出货量有望增长10%。该公司先前的预测是增长8%。
ICInsights将调高增长率预测归因于以下器件的出货量强劲增长：DRAM(上升49%)、NAND闪存(上升38%)、接口IC(增长60%)、数据转换IC(上升58%)和汽车相关的模拟IC(上升32%)。
ICInsights表示，如果2007年IC单位出货量增长率达到10%或者更高水平，将是连续第六年以两位数的速度增长，创下前所未有的强劲增长纪录。
ICInsights认为，
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模拟技术 电源技术 IC 数据转换 NAND 模拟IC
- 10月21日消息，据外电报道，市场研究公司ICInsights将2007年全球集成电路(IC)出货量增长率从原来的8%提高到了10%。
这家研究公司把2007年全球集成电路出货量的增长归功于一些集成电路产品出货量的强劲增长，如DRAM内存出货量增长49%，NAND闪存出货量增长38%，接口集成电路出货量增长60%，数据转换集成电路出货量增长58%，汽车模拟集成电路出货量增长32%。
ICInsights称，如果2007年全球集成电路出货量增长率达到10%或者更高，这将是连续第六年的两位增长
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模拟技术 电源技术 集成电路 NAND 闪存
- 现货市场DDR2价格方面持续走弱;而DDR则因供应不足价格缓步盘坚。DDR2512MbeTT跌至1美元左右的新低价之后，暂时止跌并微幅反弹，在1.02至1.05美元震荡，以1.03美元做收，跌幅为5.5%;DDR2512Mb667MHz则滑落至1.35美元，下跌2.9%。在DDR1市场方面，由于现货市场供给数量仍旧不足，上周也曾出现缺货状况，价格持续小幅上扬，DDR512Mb400MHz以2.66美元做收，上涨5.6%。
十月份合约市场相当清淡，OEM拿货意愿低落，部分厂商甚至认为，倘若预期十一
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nand flash介绍
Nand-flash内存是flash内存的-种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数 [
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