今天的设计人员已经在许多不同的领域中选择FPGA作为首选的解决方案。这些FPGA器件早已超越了原本作为原型设计工具的范畴,逐渐用于生产应用中,尤其是消费电子和汽车电子等领域。据Gartner Dataquest市场研究公司指出,FPGA器件在汽车应用中的使用规模从2002到2005年增加约七倍。
这个增长在很大程度上是来自于FPGA本身的特点。由于象全球定位系统 (GPS) 导航装置和DVD播放机之类设备的产品寿命相对较短,因此缩短其开发周期变得非常重要。可编程逻辑便可为设计人员提供所需的灵活性
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FPGA 汽车 Flash
03/03/2008讯,HOLTEK半导体继I/O型Flash MCU之后,推出A/D型Flash MCU HT46F47E。HT46F47E的程序内存可以透过ISP (In-System-Programming) 接口直接对已制造好的产品进行MCU程序内存的烧录,且烧录次数可达十万次,此项特性让客户能够很容易地做产品的软件更新,因而能够缩短产品的上市时间,并可提供更好的售后服务。例如客户可以在产品出货前烧录最新版的程序及调校参数,不需受限于烧录次数;在产品售出后可以很方便地做软件升级,提供更高的附加
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Flash MCU
日前,全球领先的闪存供应商晟碟和东芝公司在日本签署了一项合作协议,表示双方将共同兴建NAND闪存工厂(Fab5),以应对未来市场对NAND闪存的需求,该工厂预计将于2010年投产。
市场研究公司AmericanTechnologyResearch分析师道格•弗里德曼(DougFreedman)表示:“我们相信大部分的投资者都希望Fab5工厂能够于2009年就可以投产,因为现在的供求关系依然比较乐观。”
但是闪存供应商们延迟其工厂兴建计划也再一次证明了NAN
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闪存 NAND
摘要 以Samsung NAND Flash器件K9F1208为例,对比NAND Flash和NOR Flash的异同;介绍大容量NAND Flash在uPSD3234A增强型单片机系统中的应用,完成了硬件接口设计和软件设计,并给出硬件连接图和部分程序代码。
关键词 NAND Flash uPSD3234A单片机嵌入式系统
1 NAND Flash和NOR Flash
闪存(Flash Memory)由于其具有非易失性、电可擦除性、可重复编程以及高密度、低功耗等特点,被广泛地应用于手
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NAND Flash uPSD3234A单片机嵌入式系统
以Samsung NAND Flash器件K9F1208为例,对比NAND Flash和NOR Flash的异同;介绍大容量NAND Flash在uPSD3234A增强型单片机系统中的应用,完成了硬件接口设计和软件设计,并给出硬件连接图和部分程序代码。
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K9F1208 Flash 3234A NAND
摘要 NAND Flash以其大容量、低价格等优势迅速成为嵌入式系统存储的新宠,因此其上的文件系统研究也日益广泛,本文简要介绍了常用的NAND Flash文件系统YAFFS,并针对YAFFS在均匀损耗和掉电恢复方面进行在线测试。在给出测试结果的同时,着重研究嵌入式软件测试方案和方法;对测试结果进行分析,并提出改进方案和适用环境。
关键词 NAND Flash 均匀损耗 软件测试 YAFFS
引 言
随着嵌入式技术在各种电子产品中的广泛应用,嵌入式系统中的数据存储和管理已经成为一个重要
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NAND Flash 均匀损耗 软件测试 YAFFS
北京时间3月5日《商业周刊》文章指出,由于美国经济衰退导致电脑和消费电子产品销售增长减速,对英特尔的NAND闪存芯片业务的利润造成很大压力。
英特尔在2005年下半年宣布与美光科技组成合资公司,共同研发和生产一种名为NAND闪存的内存芯片,这种芯片被广泛应用于各种消费电子产品。两年多来,英特尔巧妙地避过了那些芯片的价格波动。
全球最大电脑芯片厂商英特尔在3月3日晚间宣布,它预计其第一季度毛利率将在54%左右,低于之前作出的56%的预期目标。主要原因在于:NAND闪存的价格低于预期水平。在第
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英特尔 NAND
核心器件: MSP430
1 MSP430芯片Flash存储器的结构
Flash存储器模块是一个可独立操作的物理存储器单元。全部模块安排在同一个线性地址空间中,一个
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Flash 单片机 自编程
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。
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NAND NOR flash
l 引言
在仿真环境下调试DSP板程序之后,还有一项重要的工作要做:怎样实现程序代码的脱机加载。TMS320C6000系列DSP提供了3种引导方式:不加载、HPI加载以及Flash (ROM)加载。实际应用中,多采用外接Flash来加载程序代码。此种方法简单、灵活、成本低,因而受到广大工程技术人员的青睐。由于开发的DSP系统应用板最终要脱离仿真器独立运行,而TMS320C64x系列DSP本身不带这样的存储体,掉电后程序及数据就会丢失。这就需要1个能在断电后保存程序及初始化数据的存储体。Flash
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TMS320C64x Flash
在最近发生了产品种类短缺和平均销售价格走平之后,NAND闪存市场可能会再一次崩溃。
据Needham&Co.LLC公司位分析师EdwinMok称,全球最大的NAND闪存买主苹果计算机公司在12月和1月期间减少了三种类型NAND闪存芯片的采购。现在NAND闪存还没有杀手应用。这些因素都会对NAND闪存市场产生影响。
Mok称,苹果在2006年就曾采取过同样的减少采购的行动,导致了2006年1至9月NAND闪存芯片的供应量超过了需求的70%和价格的下降。
这位分析师称,虽然自从2
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NAND 闪存 芯片
快闪内存产业的发展在2007年有点出乎各界意料,整个产业的高点反而是落在第一季底,第二、三季深受NAND Flash缺货所苦,大家的发展反而绑手绑脚,一路往下滑;2007下半年不但没有传统的消费性电子产品旺季出现,反而NAND Flash价格剧烈的忽上忽下,可说是一团混乱,终于2007年第四季面临了NAND Flash崩跌走势,虽然大家对于「寒流」来袭,都已有心理准备,但仍是不敢大意。
TRI观点:
2007年内存产业的变化多端,出乎大家的意料,然而其中影响甚巨的一个事件,就是Samsun
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内存 NAND Flash MCU和嵌入式微处理器
本文采用USB接口的ICP方法,烧写速度快,无需专用的电平转换芯片,硬件通过微处理器JB8的USB接口与计算机USB口连接即可。
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Flash USB 908 JB8
据市场研究公司Gartner最新发表的研究报告称,2008年全球半导体设备开支预计将达到403亿美元,比2007年的448亿美元减少9.9%。
Gartner半导体生产事业部副总裁KlausRinnen称,2007年的特点是DRAM内存不顾供过于求的现实继续加大投资、NAND闪存开支增速减缓和代工厂商恢复开支的状况令人失望。在2008年,我们预计随着DRAM内存市场将纠正资本开支的长期错误,半导体主要设备市场的开支将减少。代工厂商开支增长速度减缓和由于担心美国经济衰退而采取的谨慎态度都是造成20
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半导体 NAND 闪存 IC自动测试设备 ATE
比特网(ChinaByte) 12月27日消息(羽人 编译) 据国外媒体报道,内存模块制造商消息人士称,NAND闪存市场仍将处于供大于求的局面,这不仅对现货市场造成了影响,而且还影响了12月份中下旬的产品合同价格。
12月份中下旬的8Gb MLC芯片的合同价格下降了13-25%,平均为3.48美元,而16Gb MLC芯片的价格下跌了21-25%,至6.52美元,而SLC芯片由于限制了的产量,价格没有出现大幅滑落。
NAND闪存合同价格的下降,主要是由于苹果每年战略性削减其12月份的NAND
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NAND 闪存市场 存储器
nand flash介绍
Nand-flash内存是flash内存的-种,其内部采用非线性宏单元模式,为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大,改写速度快,适用于大量数据的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用,如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行,如果目标区域已经有数 [
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