以DRAM和Flash为代表的存储器平均销售价格(ASP)自去年年初以来经历了令人震惊的下滑。随着现货价格与合约价格不断创下新低，价格压力充斥着整个上一季度。由于价格走低，对于NAND闪存等存储器的需求正在升温。呈井喷之势的预测数字显示出我们当前正处在黎明前的黑暗阶段，一个巨大而不断增长的市场即将出现。某些预测显示NAND闪存需求量将从2006年7,370亿兆字节增长至2011年的33.5万亿兆字节。
大举扩产NAND闪存
低价同时也推动了需求的增长，使得部分厂商出现供给不足。以东芝(To
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DRAM Flash 三星 MCU和嵌入式微处理器
汽车上可自动关闭的电动车窗或车门设备潜藏着卡死，挤压以及可能伤人的危险。它们必须能够反向移动以防止马达所施加的力超出正常限制。这种特性意味着必须持续监视速度、电流和玻璃的位置。
由于成本和简化的原因，本文所描述的系统使用普通的带有霍尔效应传感器的刷式马达。基于速度和扭矩导数的检测算法已通过健壮性和容错性的验证。该算法可用于所有带有A/D 转换器和通过变化引发中断的I/O 口的AtmelAVR Flash 微控制器。本文描述的是基本原理，Atmel网站上的应用笔记有关于实现的详细描述。
现代
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AVR Flash 微控制器 汽车电子控制装置
拓墣产业研究所(Topology Research Institute)针对NAND Flash应用市场发表研究报告指出，2008年起，除了由原手持式消费电子产品将继续大量采用NAND Flash作为储存装置外，NAND Flash将通过NB与PC的采用，以混合式硬盘或固态硬盘(SSD)的产品型态，逐步扩大市场占有率，市场需求将从2007年的6.7%增长至15.3%。
拓墣表示，NAND Flash在过去几年快速扩充产品应用领域，从2004年产品应用比例最高的数码相机，到2006年MP3 Pla
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NAND Flash SSD MCU和嵌入式微处理器
市场研究机构iSuppli以全球经济不景气为由，调低了2008年全球半导体市场销售收入预期，不过对于整个市场形势仍持乐观态度。
据国外媒体报道，iSuppli的最新预期显示，2008年全球半导体销售收入将增至2914亿美元，较2007年2709亿美元(评估数据)增长7.5%，而iSuppli今年9月份预测的增幅为9.3%，预期增幅减少了1.8个百分点。
iSuppli表示，2008年半导体市场将受到了能源成本上升的不利影响，美国经济2008年的预期并不乐观，而美国经济的影响力自然会波及全球
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半导体 芯片 NAND 半导体材料
东芝今天宣布即将推出搭载世界上首个对应多值技术的大容量NAND闪存(多值NAND)的行业内最大级别128Gb的SSD(Solid State Drive：固态硬盘)产品，主要用于计算机。计划2008年第一季度出货，并同时开始量产。在此之前，东芝将于明年1月7日-10日在美国拉斯维加斯召开的世界最大规模的家电展中亮相该新产品。
目前的SSD，采用高速双值NAND闪存，和HDD相比，高速、体积轻，但也存在容量小、成本高的问题，目前还没有真正普及。因此，搭载可以提高每个器件容量的普及型多值NAND的S
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嵌入式系统 单片机 东芝 NAND 闪存
本文以MC68HC908QY4为例，详细分析如何利用监控ROM程序实现对单片机片内Flash的在线编程和应用。
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Flash 908 MC 68
1 引言
FPGA凭借其方便灵活、可重复编程等优点而日益被广泛应用;闪速存储器(Flash Memory)以其集成度高、成本低、使用方便等优点，在众多领域中也获得了广泛应用。在现代数字电路设计中。经常需要保存大量数据，而Flash存储速度快、体积小、功耗低且价格低廉，可在线电擦写，信息在掉电后不会丢失，因此成为设计人员的首选。
2 M25P80的介绍
Flash是一种具有电可擦除的可编程ROM，可以分为两大类：并行Flash和串行Flash。并行Flash存储量大，速度快;而串行Fl
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嵌入式系统 单片机 FPGA Flash 串 MCU和嵌入式微处理器
Friedman Billings Ramsey & Co. Inc.(FBR)分析师Mehdi Hosseini日前表示，“根据三星日前的报告，我们分析2008年上半年DRAM内存市场基础继续恶化，大多数DRAM供应商，尤其韩国之外的厂商2008年资本开支出现大幅削减。”
预计2008年，DRAM领域的资本开支将下滑超过30%，原来预计下降20%。这将导致总体内存资本开支减少10-12%。
在DRAM市场经历了漫长的低迷之后，该市场仍然存在严重的供过于求情况。“这主要由于按容量计
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据市场调研公司ICInsights，2007年IC单位出货量有望增长10%。该公司先前的预测是增长8%。
ICInsights将调高增长率预测归因于以下器件的出货量强劲增长：DRAM(上升49%)、NAND闪存(上升38%)、接口IC(增长60%)、数据转换IC(上升58%)和汽车相关的模拟IC(上升32%)。
ICInsights表示，如果2007年IC单位出货量增长率达到10%或者更高水平，将是连续第六年以两位数的速度增长，创下前所未有的强劲增长纪录。
ICInsights认为，
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很多厂商都设计出了未来的闪存技术，但谁能够首先推出产品呢?
Spansion表示，其MirrorBit和Ornand闪存芯片的基础是电荷捕获技术，这一技术为闪存产业继续缩小芯片尺寸、提高闪存芯片性能提供了一条途径。
Spansion CEO伯特兰向CNET News.com表示，Spansion已经生产出了采用电荷捕获技术的闪存芯片。Spansion已经启动了一项营销活动，希望向其它制造商许可一些技术。
伯特兰说，三星、东芝、Hynix公开表示对电荷捕获技术有很大的兴趣。我们拥有这一
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闪存 芯片 NAND 存储器
市场调研公司iSuppli日前在声明中表示，第三季度NAND闪存半导体全球销售额增长37%，达到42亿美元。但iSuppli指出，在包括苹果iPod在内的消费电子产品需求刺激下的连续增长势头，本季度可能结束。由于产量增长速度快于需求，本季度NAND的平均销售价格将下降18%。
韩国海力士半导体第三季度增长最快，其NAND销售额比第二季度大增79%，达到8.06亿美元。它的市场份额是19%，在当季全球排名第三。最大的NAND闪存供应商三星电子，市场份额从第二季度的45%降至40%，它出货的闪存数量
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NAND 闪存 DRAM 存储器
固态硬盘明年仍然少见且价格昂贵，但随着其量产，闪存成本的下滑，固态硬盘价格从2009年，2010年开始将开始下降。
DRAM与闪存产品制造商Micron Technology本周公布了固态硬盘发展计划。这种硬盘功能与常规硬盘无异，但与一般硬盘将数据存储在磁碟上不同，固态硬盘将数据保存在NAND内存芯片上，就像MP3播放器保存文件的方式一样。
Micron将从明年第一季度开始大规模生产固态硬盘。第一批产品为32GB或64GB型号。虽然容量是现在笔记本电脑硬盘平均容量的一半，但Micron内存
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嵌入式系统 单片机 固态硬盘 闪存 NAND MCU和嵌入式微处理器
1 引言
FPGA凭借其方便灵活、可重复编程等优点而日益被广泛应用;闪速存储器(Flash Memory)以其集成度高、成本低、使用方便等优点，在众多领域中也获得了广泛应用。在现代数字电路设计中。经常需要保存大量数据，而Flash存储速度快、体积小、功耗低且价格低廉，可在线电擦写，信息在掉电后不会丢失，因此成为设计人员的首选。
2 M25P80的介绍
Flash是一种具有电可擦除的可编程ROM，可以分为两大类：并行Flash和串行Flash。并行Flash存储量大，速度快;而串行Fl
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嵌入式系统 单片机 FPGA Flash 存储器 MCU和嵌入式微处理器
近期，三星和海力士(Hynix)面向台湾的NAND闪存芯片供货量有所下降，另一方面，英特尔和Micron的合资公司IM则推出了更具竞争力的价格并逐步抢占市场，许多分析人士认为未来闪存市场或许将会出现另一番局面。
三星和海力士减少向台湾内存厂商的供货量，是为了满足苹果这类国际大客户的供货需求。东芝也限制了供应量，唯独没有对群联电子(Phison Electronics)采取限制措施，这使得不少台湾企业开始考虑降低对大厂商产品的依赖。
一些台湾内存厂商指出，它们都不愿意继续向三星和海力士采购，
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嵌入式系统 单片机 三星 海力士 NAND 其他IC 制程
1 引言
随着嵌入式系统广泛应用，嵌入式系统中的数据存储和数据管理则成为设计人员考虑的重点。在许多现场不可达数据采集应用中采用分布式数据存储，必然带来数据管理的不便，因此，集中管理数据成为一种思路。利用成熟的网络传输技术集中分布式嵌入式系统数据，采用C/S模式管理数据。对于大容量数据存储，选择介质存储是需要重点考虑的问题。目前大多采用IDE硬盘或SCSI硬盘存储，但都存在抗震和抗电磁干扰能力差、使用温度范围窄，无法长期在恶劣的环境中长期工作。电子式Flash存储器具有速度快、容量大、成本低、体积
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通讯 无线 网络 NAND Flash K9T1G08U0M MCU和嵌入式微处理器
nand flash介绍
Nand-flash内存是flash内存的-种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数 [
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