- 根据半导体产业协会SIA报告，2007年8月全球芯片销售三月平均值达到215.2亿美元，比2006年同期数字猛升4.9%。8月份销售增长超过分析师预测，比2007年7月的三月平均销售额206.1亿美元增长4.5%。 SIA表示，增长归因于NAND闪存供应减少导致平均销售价格反弹。8月份NAND闪存销售价格比7月增长19%，与2006年8月相比增长48%。 SIA总裁GeorgeScalise表示，“8月份，正常的季节性增长带来全球半导体销售连续健
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嵌入式系统 单片机 NAND 闪存 芯片 MCU和嵌入式微处理器
- 前言DSP系统的引导装载是指在系统加电时，由DSP将一段存储在外部非易失性存储器中的代码移植到内部高速存储器单元并执行的过程。这种方式即可利用外部存储单元扩展DSP本身有限的ROM资源，又能充分发挥DSP内部资源的高速效能。因此，引导装载系统的性能直接关系到整个DSP系统的可靠性和处理速度，是DSP系统设计中必不可少的重要环节。在装载系统中，外部非易失性存储器和DSP的性能尤为重要。FLASH是一种高密度、非易失性的电可擦写存储器，而且单位存储比特的价格比传统EPROM要低。为此，本文介绍了TMS320C
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嵌入式系统 单片机 FLASH 装载系统 DSP 单板计算机
- Jefferies Japan高级分析员David Motozo Rubenstein日前透露，东芝(Toshiba)公司NAND闪存晶圆厂的产能利用率已经处于最高位。 事实上，东芝公司的业务表现正在发生变化。David表示，“东芝认为供需形势处于有利状况，由于晶圆厂产能利用率达到100%，公司不得不回绝了25%的订单。” 还有更好的消息。NAND闪存“2006年平均售价下降70%，东芝曾经预计2007年更进一步下滑50%，但是到目前为止，价格还高于预计之上。” 价格已经触底
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嵌入式系统 单片机 NAND 闪存 东芝 嵌入式
- 摘要：NAND结构Flash数据存储器件是超大容量数据存储的理想选择，当前被广泛应用于U盘、MP3和数码相机的数据存储。本文对该类型Flash的基本操作进行研究并对实际应用系统给予验证，揭示了NAND结构Flash的操作规律。
关键词：NAND Flash 数据存储 C8051F
引 言
大容量数据存储是单片机应用系统的瓶颈，受到容量、功耗、寻址方式的约束。突破容量限制，可以很大程度上扩展和提高应用系统的总体功能。Sumsung公司的NAND结构Fla
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NAND Flash 数据存储 C8051F MCU和嵌入式微处理器
- 前言 DSP系统的引导装载是指在系统加电时，由DSP将一段存储在外部非易失性存储器中的代码移植到内部高速存储器单元并执行的过程。这种方式即可利用外部存储单元扩展DSP本身有限的ROM资源，又能充分发挥DSP内部资源的高速效能。因此，引导装载系统的性能直接关系到整个DSP系统的可靠性和处理速度，是DSP系统设计中必不可少的重要环节。在装载系统中，外部非易失性存储器和DSP的性能尤为重要。FLASH是一种高密度、非易失性的电可擦写存储器，而且单位存储比特的价格比传统EPROM要低。为此，本文介绍了TMS320
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嵌入式系统 单片机 TMS320C6713 FLASH 中间件 软件库
- 九月，NAND闪存芯片合约价格自六月以来首次下跌，较早前已堆积的存货将使内存制造商经历库存增加压力。 根据内存市场研究机构DRAMeXchange最新调查显示，多层单元(MLC)NAND闪存的价格在9月上旬下降10%以上，而单层单元闪存(SLC)的价格则相对稳定。唯一主流NAND闪存即2Gb单层单元闪存可望价格有所回升。 据台湾内存消息人士指出，韩国三星电子8月震惊业内，使得激烈价格上升。需求被昂贵的价格压抑，反映在现货市场价格疲弱。 虽然许多内存库存商8月期间已经减少其采购，最新的报价仍然加
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嵌入式系统 单片机 NAND 闪存 嵌入式
- 据国外媒体报道，三星电子和东芝等24家企业日前因涉嫌操纵NAND闪存价格而遇到集体诉讼。 据悉，被起诉的24家厂商包括雷克沙（Lexa）、日立美国公司、日立公司、日立电子设备美国公司、Hynix美国公司、Hynix半导体、美光（Micron）科技、美光半导体产品部公司、三菱公司、三菱电子美国公司； Mosel Vitelic、Renesas科技、Renesas科技美国公司、SanDisk、三星半导体、三星电子、意法半导体、东芝、东芝美国公司、东芝美国电子部件公司、
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消费电子 三星 NAND 闪存 消费电子
- 摘要：介绍一种基于四时钟周期、高速8051内核的混合信号8位单片机MAX7651。探讨在开发基于MAX7651的应用系统时所面临的问题，并推荐相应的解决方案。
关键词：MAX7651 AT89LV55 8XC51RA/RB/RC ALL-07 Flash 四时钟周期
在全球8位单片机领域，英特尔（Intel）生产的MCS-51系列是毋庸质疑的领导者。借助英特尔广泛的授权行为，基于8051内核的8位单片机兼容产品早已根深叶茂。Dallas Semicondu
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MAX7651 AT89LV55 8XC51RA/RB/RC ALL-07 Flash 四时钟周期 MCU和嵌入式微处理器
- 摘要：RC5及RC6是两种新型的分组密码。AVR高速嵌入式单片机功能强大，在无线数据传输应用方面很有优势。本文基于Atmega128高速嵌入式单片机，实现RC5和RC6加密及解密算法，并对算法进行汇编语言的优化及改进。根据实验结果。对两种算法的优热点进行比较和分析。
关键词：Atmega128 RC5 RC6 分组密码 混合密钥 Flash
引言
在无线局域网中，传输的介质主要是无线电波和红外线，任何具有接收能力的窍听者都有可能拦截无线信道中的数据，掌握
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Atmega128 RC5 RC6 分组密码 混合密钥 Flash MCU和嵌入式微处理器
- 1 引言在便携式电子产品如U盘、MP3播放器、数码相机中，常常需要大容量、高密度的存储器，而在各种存储器中，NAND FLASH以价格低、密度高、效率高等优势成为最理想的器件。但NAND FLASH的控制逻辑比较复杂，对时序要求也十分严格，而且最重要的是NAND FLASH中允许存在一定的坏块(坏块在使用过程中还可能增加)，这就给判断坏块、给坏块做标记和擦除等操作带来很大的难度，于是就要求有一个控制器，使系统用户能够方便地使用NAND FLASH,为此提出了一种基于FPGA的NAND FLASH控制器的设
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嵌入式系统 单片机 FPGA NAND FLASH 嵌入式
- iSuppli公司日前表示，2007年第2季度三星电子(Samsung)NAND闪存销售额达到14亿美元，比第1季度的12亿美元增长18.9%。三星在2007年上半年将部分产能从DRAM转向NAND闪存，该公司的NAND市场份额猛增至45.9%，比1季度的44.1%高几乎两个百分点。 iSuppli内存/存储系统首席分析师NamHyungKim表示，“三星第2季度表现强劲主要是按容量计算增长11%，出货量增加归功于扩大苹果iPhone和iPod等消
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消费电子 三星 NAND 闪存 消费电子
- 摘要：主要介绍内核兼容8051的MSC1210单片机结构特点，其高性能ADC、片内存储器以及Flash编程应用等功能。
关键词：MSC1210 ADC PGA Flash
实际应用系统往往需要进行高精度的测量，同时还必须进行实时快速控制，提高其开发效率。为此人们常采用高精度A/D芯片加带ISP开发功能的单片机系统来实现。德州仪器（TI）的MSC1210单片机解决了上述问题。它集成了一个增强型8051内核、高达33 MHz
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MSC1210 ADC PGA Flash MCU和嵌入式微处理器
- 致力于简化系统级存储验证和测试的业界组织 PISMO顾问委员会近日宣布，PISMO 2.0多媒体标准已通过审批。这一针对目前PISMO2.0规范的全新多媒体扩展版为芯片组和存储供应商增加了 MMC存储接口支持，从而满足手机和消费产品中存储丰富媒体内容的需求。PISMO™顾问委员会于2004年由Spansion和ARM创建，目前共有15家成员公司。 新增MMC支持后，PISMO多媒体规范使设计者可以方便地在不同厂商提供的开发平台上测试多种存
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PISMO NOR NAND 闪存
- 在三星向外界透露位于韩国的工厂于8月3日因故停产后，各厂商均密切关注该事件对NAND闪存价格造成的影响。业界预测DRAM内存合同价在8月还将上升。 业界预测DRAM内存合同价在8月还将上升，同时受三星电子上周一因某工厂停产的影响，NAND闪存的价格也持续攀升。三星近日提高了NAND闪存在现货市场的价格，力晶半导体公司(Powerchip Semiconductor Corporation,PSC)因此也调高了eTT DRAM内存的报价。 在三星向外界透露
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三星 NAND 闪存
nand flash介绍
Nand-flash内存是flash内存的-种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数 [
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