- 鸿海董事长郭台铭昨(12)日证实，将筹组美、日、台梦幻团队，共同竞标东芝半导体。 对日本出现担心鸿海「中国因素」的评论，郭董炮火全开，左打美系私募基金，右批日本经济产业省高层，并强调，鸿海如果顺利得标，海外市场将优先考虑在美设内存芯片厂。
东芝半导体竞标案进入倒数计时，预计本周公布结果。 竞标者之一鸿海动作不断，郭台铭接连接受日经新闻、路透社专访。 郭董强调，如果鸿海顺利标下东芝半导体事业，希望未来能在海外建立内存工厂，地点将优先考虑美国。
郭台铭补充，因为美国国内市场需求在当地还没达到，
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东芝 NAND
- NAND闪存的内部架构:NAND闪存可以分为三种不同架构，即：单层单元SLC 多层单元MLC多位单元MBC。其中，MBC以NROM技术为基础的NAND闪存架构，由英飞凌与Saifun合作开发，但该项架构技术并不成熟。采SLC架构是在每个Cell中存储1个bit的信息，以达到其稳定、读写速度快等特点，Cell可擦写次数为10万次左右。作为SLC架构，其也有很大的缺点，就是面积容量相对比较小，并且由于技术限制，基本上很难再向前发展了。
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MLC 闪存 NAND 英特尔
- 公司内部派系斗争问题，又因外部的2008年金融海啸与2011年福岛核灾影响日本经济及东芝业绩，造成派系斗争恶化，及为自保而伪造业绩歪风兴起，等到2015年事件爆发，发现该厂从2008会计年度(2008/4~2009/3)便有业绩灌水的问题，事件逐一发不可收拾。
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东芝 NAND
- NAND Flash控制芯片与模块厂群联董事长潘健成日前估计，接下来将面临史上最缺货的第3季，而该公司也积极备战，近日捧着5000多万美元现金，大举吃下某大厂释出的货源，为下半年建立更多库存。
群联在去年初NAND Flash市况尚未大热时，建立的库存水位一度超过三亿美元，后来市场景气于去年第3季开始往上，价格走升，也让该公司因此大赚。
潘健成提到，今年大概只有5月有机会多收货，所以该公司在前两个礼拜以现金买了大约5000多万美元的额外货源，预计可供第3季使用。
群联在今年4月时，手
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NAND
- 以AT45DB041B为例，将FPGA和大容量串行flash存储芯片的优点有效地结合起来，实现了FPGA对串行存储芯片的高效读写操作，完成了对大量测量数据的存储处理和与上位机的交换，并在某电力局项目工频场强环境监测仪中成功应用。
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Flash 串行存储 FPGA
- 介绍了一种基于FPGA的水声信号数据采集与存储系统的设计与实现,给出了系统的总体方案,并对各部分硬件和软件的设计进行了详细描述。系统以FPGA作为数据的控制处理核心,以存储容量达2 GB的大容量NAND型Flash作为存储介质。该系统主要由数据采集模块、数据存储模块和RS-232串行通信模块组成,具有稳定可靠、体积小、功耗低、存储容量大等特点,实验证明该系统满足设计要求。
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数据采集 Flash FPGA
- FPGA最小系统是可以使FPGA正常工作的最简单的系统。它的外围电路尽量最少，只包括FPGA必要的控制电路。一般所说的FPGA的最小系统主要包括：FPGA芯片、下载电路、外部时钟、复位电路和电源。如果需要使用NIOS II软嵌入式处理器还要包括：SDRAM和Flash。一般以上这些组件是FPGA最小系统的组成部分。
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FPGA最小系统 Altera NiosII Flash SDRAM
- 集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出，第一季整体NAND Flash市况延续第四季持续受到缺货影响，即使第一季度为传统NAND Flash淡季，渠道颗粒合约价却仍上扬约20-25%。在智能终端设备如智能手机与平板电脑内的行动式存储价格也呈现双涨的状况下，2017年将是NAND Flash成果丰硕的一年。
DRAMeXchange资深研究经理陈玠玮表示，由于NAND在平面制程(2D/Planar NAND)面临微缩限制，进而转进垂直堆栈制程(3D/Vertical-NAND)
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NAND SK海力士
- TFFS文件系统中的Core Layer内核层可将其他层连接起来协同工作；翻译层主要实现DOS和TFFS之间的交互、管理文件系统和Flash各个物理块的关系，同时支持TFFS的各种功能，如磨损均衡、错误恢复等；MTD层执行底层的程序驱动(map、read、write、erase等)；socket层的名称来源于可以插拔的socket存储卡，主要提供与具体的硬件板相关的驱动。
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文件系统 Flash SOCKET
- 闪速存储器(Flash Memory)以其集成度高、制造成本低、使用方便等诸多优点广泛地应用于办公设备、通信设备、医疗设备、家用电器等领域。介绍了Flash的使用方法，并给出了单片机与闪速存储器接口和程序设计中应注意的关键技术。
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编程 接口 Flash 擦除
- Flash存储器又称闪速存储器，是20世纪80年代末逐渐发展起来的一种新型半导体不挥发存储器。它兼有RAM和ROM的特点，既可以在线擦除、改写，又能够在掉电后保持数据不丢失。NOR Flash是Flash存储器中最早出现的一个品种，与其他种类的Flash存储器相比具有以下优势：可靠性高、随机读取速度快，可以单字节或单字编程，允许CPU直接从芯片中读取代码执行等。因此NOR Flash存储器在嵌入式系统应用开发中占有非常重要的地位。本文以SST公司的NOR Flash芯片SST39SF040和MCS-51单
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NOR Flash 接口 单片机
- 以基于TMS320C32 DSP开发的故障录波装置为模型，介绍AMD公司的Flash存储器Am29F040摘 要 的原理和应用；利用它的操作过程实现断电后仍然可以将子程序保存在F1ash存储器内的特 性，结合TMS320C3x提出实现DSP系统上电后用户程序的自动引导的方法。
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DSP Flash TI
- 芯片贴板后跑不起来？Flash里面的数据在使用过程中莫名改变或不翼而飞？程序丢失可能无法正常运行，从而造成整个系统崩溃，下面我们来看看是什么原因让数据异常变化。
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电源电压 Flash MCU
nand flash介绍
Nand-flash内存是flash内存的-种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数 [
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